Veriog HDL 基本电路设计14：伪双口SRAM

module psram (
	input clk,
	input [7:0] addr1,
	input [7:0] addr2,
	input [7:0] data_in1,
	input [7:0] data_in2,
	input we1,
	input we2,
	output reg [7:0] data_out1,
	output reg [7:0] data_out2
);

reg [7:0] mem [0:255];						// 数据存储单元，用于存储RAM中的数据

always @ (addr1) begin						// 地址译码电路，用于将地址映射到数据存储单元
	data_out1 <= mem[addr1];
end

always @ (addr2) begin
	data_out2 <= mem[addr2];
end

always @ (posedge clk) begin				// 写入操作
	if (we1) begin
		mem[addr1] <= data_in1;
	end
	if (we2) begin
		mem[addr2] <= data_in2;
	end
end

endmodule

伪双口SRAM是一种在单端口SRAM基础上实现的双端口RAM，它通过复用单端口的数据存储单元和地址译码电路来实现了双端口RAM的功能。伪双口SRAM包含两个读写端口，每个端口都可以进行独立的读写操作，但它们要共享同一个数据存储单元和地址译码电路。以上是一个伪双口SRAM的Verilog代码，并进行了详细的描述和解释：

clk是时钟信号，用于同步读写操作。addr1和addr2分别是两个读写端口的地址输入信号，data_in1和data_in2分别是两个读写端口的数据输入信号，we1和we2分别是两个读写端口的写使能信号。data_out1和data_out2分别是两个读写端口的数据输出信号。

mem是一个二维数组，用于存储RAM中的数据，它的第一维（0-255）表示地址范围，第二维（0-7）表示数据位数。在地址译码电路中，利用了Verilog中的always @语句，对addr1和addr2的变化进行了监测，如果地址发生变化，则从对应的地址中读取数据作为输出。

在写入操作中，我们利用了时钟的上升沿作为写入触发边沿，当we1和we2信号有效时，将对应的数据写入到对应的地址中。

综上所述，该Verilog代码实现了一个功能正确的伪双口SRAM，包含两个独立的读写端口，可以实现并行的读写操作。