【数电】从电路级别理解DRAM和SRAM

DRAM：

读写时，列选择和行选择信号置1即可

SRAM

需要读写时，WL置1，此时M5、M6导通。读很自然，写时：

两者的价格差来源于集成度
ps：
SRAM的读写操作时间不同，个人理解是写比读快；SRAM由于不需要刷新电路，所以访问时间可以和处理器时钟周期接近；
DRAM的刷新是：读取后再次写回（通常是整行刷新）；为优化CPU和内存间的接口，添加了时钟，称为SDRAM；DDR（Double Data Rate），在时钟上升沿和下降沿进行数据传输。DDR4-3200 DRAM能够在1.6GHz的工作频率下，每秒进行32亿次的数据传输；为了实现上述的高带宽，需要对DRAM的结构精心组织。交叉地址访问：例如，对于4个bank的结构，只需要一次访问时间，之后以轮转的方式对这4个bank进行访问，这样就获得了4倍的带宽。

详细请看【数电】半导体存储器的分类及原理