第三章-存储系统

第三章-存储系统

主存储器的基本组成

SRAM（静态存储）和DRAM（动态存储）的区别

SRAM用于Cache 高数缓存

DRAM用于主存

存储元件区别

• 栅极电容（DRAM使用）
  

  • 读写速度慢：电容放电信息被破坏，是破坏性读出。读出后应该有重写操作，也称”再生“
  • 每个存储元制造成本更低，集成度更高，功耗低

• 与双稳态触发器（SRAM使用）
  

  • 读写速度更快：读出数据，触发器状态保持稳定，是非破坏性读出，无需重写
  • 每个存储元制造成本更高，集成度低，功耗大

区别对比总结：

DRAM动态存储刷新

• 1 多久需要刷新一次：

  • 刷新周期：一般为2ms（一般默认）

• 2 每次刷新多少存储单元？

  • 以行为单位，每次刷新一行存储单元
  • 为什么采用行列地址？：采用二维排列减轻选通线压力
    

• 3 如何刷新？

  • 有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1 个读/写周期

• 4 在什么时候刷新？

  • 思路一：每次读完都刷新一行→分散刷新
  • 思路二：2ms内集中安排时间全部刷新 →集中刷新
  • 思路三：2ms内每行刷新一次即可 →异步刷新
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ROM 只读存储器（选择题高频）

了解各种ROM

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主存储器与CPU的连接

存储芯片的输入输出信号

连接方法

• 增加主存的存储字长-位扩展

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• 增加主存的存储字数-字扩展

  • 片选信号的改造
    【存储单元地址的舍用 +非门电路（1-2译码器）控制选线】译码器片选法
    - 1-2译码器：

  • 2-4译码器

• 主存容量扩展-字位同时扩展

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• 补充：译码器的画法

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双端口RAM和多模块存储器

双端口RAM

• 作用：优化多核CPU访问一根内存条的速度
• 需要两组完全独立的数据线、地址线、控制线。CPU、RAM中也要有更复杂的控制电路
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多体并行存储器

• 可以理解为“多根内存条”↓

• 高位交叉编址的多体存储器
  

  • 高位连续读n个耗时nT

• 低位交叉编址的多体存储器
  

  • 低位 连续读n个 耗时 T+(n-1)r
  • 可以说是读写一个字无限解决于r

• 应该取几个“体”

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• 给定一个地址X，如何确定其处于第几个存储体？

  • 1、根据末尾的体号便可以确定；
    2、也可以根据给的十进制的地址取余确定；

- 双通道内存

- 就是低位交叉的二体存储器

总结：

外存储器

磁表面存储器

• 磁盘的组成

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  • 优缺点：
    

• 磁盘的性能指标

  • 磁盘容量

• 记录密度

    - 道密度：沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数
    - 位密度：磁道单位长度上能记录的二进制代码位数
    -  面密度：位密度和道密度的乘积
  

  • 平均存取时间=寻道时间+旋转延迟时间+传输时间
  • 数据传输率：假设磁盘转数为r（转/秒），每条磁道容量为N个字节，则数据传输率为Dr=rN

• 磁盘地址

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• 磁盘工作过程

• 磁盘阵列

  • RAID（廉价冗余磁盘阵列）：将多个物理磁盘组成一个独立的逻辑盘，数据字啊多个物理盘上分割交叉存储、并行访问，具有更好的存储性能、可靠性和安全性。

  • 五中级别存储方案

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SSD固态硬盘

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参考资料：王道考研，《计算机组成原理》