第三章-存储系统
主存储器的基本组成
SRAM(静态存储)和DRAM(动态存储)的区别
SRAM用于Cache 高数缓存
DRAM用于主存
存储元件区别
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栅极电容(DRAM使用)
读写速度慢:电容放电信息被破坏,是破坏性读出。读出后应该有重写操作,也称”再生
“- 每个存储元制造成本更低,集成度更高,功耗低
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与双稳态触发器(SRAM使用)
读写速度更快:读出数据,触发器状态保持稳定,是非破坏性读出,无需重写
- 每个存储元制造成本更高,集成度低,功耗大
区别对比总结:
DRAM动态存储刷新
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1 多久需要刷新一次:
刷新周期:一般为2ms(一般默认)
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2 每次刷新多少存储单元?
- 以行为单位,每次刷新一行存储单元
- 为什么采用行列地址?:
采用二维排列减轻选通线压力
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3 如何刷新?
- 有硬件支持,读出一行的信息后重新写入,占用1 个读/写周期
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4 在什么时候刷新?
- 思路一:每次读完都刷新一行→分散刷新
- 思路二:2ms内集中安排时间全部刷新 →集中刷新
- 思路三:2ms内每行刷新一次即可 →异步刷新
ROM 只读存储器(选择题高频)
了解各种ROM
主存储器与CPU的连接
存储芯片的输入输出信号
连接方法
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增加主存的存储字长-位扩展
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增加主存的存储字数-字扩展
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片选信号的改造
【存储单元地址的舍用 +非门电路(1-2译码器)控制选线
】译码器片选法
- 1-2译码器:
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2-4译码器
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主存容量扩展-字位同时扩展
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补充:译码器的画法
双端口RAM和多模块存储器
双端口RAM
- 作用:优化多核CPU访问一根内存条的速度
- 需要两组完全独立的数据线、地址线、控制线。CPU、RAM中也要有更复杂的控制电路
多体并行存储器
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可以理解为“多根内存条”↓
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高位交叉编址的多体存储器
- 高位连续读n个耗时nT
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低位交叉编址的多体存储器
- 低位 连续读n个 耗时 T+(n-1)r
- 可以说是读写一个字无限解决于r
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应该取几个“体”
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给定一个地址X,如何确定其处于第几个存储体?
- 1、根据末尾的体号便可以确定;
2、也可以根据给的十进制的地址取余确定;
- 1、根据末尾的体号便可以确定;
- 双通道内存
- 就是低位交叉的二体存储器
总结:
外存储器
磁表面存储器
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磁盘的组成
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优缺点:
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磁盘的性能指标
- 磁盘容量
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记录密度
- 道密度:沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数 - 位密度:磁道单位长度上能记录的二进制代码位数 - 面密度:位密度和道密度的乘积
- 平均存取时间=寻道时间+旋转延迟时间+传输时间
- 数据传输率:假设磁盘转数为r(转/秒),每条磁道容量为N个字节,则数据传输率为Dr=rN
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磁盘地址
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磁盘工作过程
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磁盘阵列
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RAID(廉价冗余磁盘阵列):将多个物理磁盘组成一个独立的逻辑盘,数据字啊多个物理盘上分割交叉存储、并行访问,具有更好的存储性能、可靠性和安全性。
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五中级别存储方案
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SSD固态硬盘
参考资料:
王道考研,《计算机组成原理》