开关电源中的半导体器件

芯片是怎样炼成的

已于 2024-08-16 20:09:56 修改

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分类专栏：电源工程师培训中级文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2024-08-16 08:30:00 首次发布

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开关电源中的半导体器件

什么是半导体（Semiconductor）

开关电源中的半导体器件

功率半导体是开关电源的基本组成元件，通常也是电源中损耗最集中的部分。选择适当的功率器件，降低损耗，以及适当的热设计是开关电源设计当中的重要一环。

什么是半导体（Semiconductor）

当PN结正偏时，电流可以流通；
当PN结反偏时，电流不可以流通；
半导体材料既不是导体也不是绝缘体，而是居于两者之间。

功率半导体的分类

功率半导体可以分为开关器件和整流器件
开关器件：将直流变为交流或者带直流偏置的交流
整流器件：将交流变为直流
通常在电路分析时，它们都可以近似为理想开关。
开关管：控制信号高时导通，近似短路；控制信号低时关断，近似开路。
整流管：电压正偏时导通，电压负偏时关断；电流正时导通，电流负时关断。

开关半导体的演化-整流管

名称	符号	特性
PN结二极管（PN Junction Diode）		PN结；导通电压近似于固定电压（=0.7V）；耐压可以很高；有反向恢复的问题；
肖特基二极管（Schottky Diode）		金属-半导体结（肖特基结）；导通电压近似于固定电压，但是比PN结小；通常没有很高的耐压；当耐压升高时导通电压迅速上升；没有反向恢复的问题

名称

符号

特性

PN结二极管

（PN Junction Diode）

PN结；
导通电压近似于固定电压（=0.7V）；
耐压可以很高；
有反向恢复的问题；

肖特基二极管（Schottky Diode）

金属-半导体结（肖特基结）；
导通电压近似于固定电压，但是比PN结小；
通常没有很高的耐压；
- 当耐压升高时导通电压迅速上升；
没有反向恢复的问题

开关半导体的演化-开关管

名称	符号	特性
功率三级管 BJT（bipolar junction transistor）		当基极有偏置电流时，三极管导通；当偏置电流消失时，三极管关断；导通电压近似于固定压降；电流驱动，有较大的驱动损耗；电流增益低，需要较大的驱动电流；开关速度较慢，不适用于高频设计
晶闸管 Thyristor		两个三极管组成，一个PNP，一个NPN 当门级流过偏置电流时，晶闸管导通；门级电流消失后，晶闸管仍然导通；导通电压近似于固定压降；电流驱动，但驱动损耗小；开关速度较慢，不适用于高频设计；通常用在交流调压，比如调光灯
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）		当门级电压高时，MOSFET导通；当门级电压低时，MOSFET关断；导通电压近似于固定电阻；电压驱动，驱动损耗较小；开关速度快，适用于高频设计
绝缘栅双极晶体管 IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）		当门级电压高时，IGBT导通；当门级电压低时，IGBT关断；导通电压近似于固定压降；电压驱动，驱动损耗较小；开关速度较慢，不适用于高频设计；通常用在高压大功率，逆变器，电机驱动

小结

功率半导体器件是开关电源中的关键元件
基于不同的工作模式，功率器件可以分为：
开关器件
整流器件
在分析电流时，功率器件可以根据工作状态，近似为理想开关的导通或者关断状态。

开关电源中的二极管

从PN结结构中我们可以看到，P端半导体充满了可以导通的空穴，而N端半导体组成了大量的可以导电的电子。当P端加正电压，N端加负电压时，由于同性相斥，异性相吸，所以正电压把电子吸引过来，负电压将空穴吸引过来，所以电流可以导通。

在开关电源中，二极管将交流变为直流。

二极管的分类

取决于交流信号的频率和电压，通常会使用这几类二极管
- 普通二极管
  - 开关速度慢，主要用于工频整流电路
- 快恢复二极管
  - 开关速度快，用于高频整流
- 肖特基二极管
  - 导通压降较低；
  - 开关速度快，没有反向恢复
  - 耐压较低，结电容较大

二极管的导通特性

二极管的导通压降近似于固定电压。
取决于不同的二极管特性，二极管的导通压降有所不同。

从图中可以看到，当电流在5A时，快恢复二极管的导通压降为1.1V左右，而肖特基二极管的导通压降在0.9V左右。所以肖特基二极管有更小的导通压降

二极管的导通损耗

当二极管导通时，它可以近似为一个固定压降和电阻串联

第一段是一个固定的导通压降VF，第二段是一个电阻的特性Rd，所以当把二极管的导通特性近似为一个固定电压和一个电阻串联时，比较容易计算导通损耗

导通损耗：

$P_{con}^{}=\frac{1}{T_{s}^{}} \int_{0}^{T_{s}^{}} i ^{_{F}}(t) v ^{_{F}}(t)dt$

忽略电阻：

$P_{con}^{}\approx \frac{1}{T_{s}^{}} \int_{0}^{T_{s}^{}} i ^{_{F}}(t) v ^{_{F}}(t)dt=V_{F}^{}\times I_{F,avg}^{}$

所以，二极管的导通损耗由流过它的平均电流所决定，平均电流越小，导通损耗越小。

二极管的开关特性

在二极管的开通和关断过程中，需要一段时间来完成开关过程
- 正向恢复（forward recovery)
- 反向恢复（reverse recovery）
反向恢复电荷和反向恢复时间决定了二极管的开关速度
肖特基二极管没有反向恢复，更适合高频开关

在正向恢复过程中，二极管需要从反向阻断状态转换到正向导通状态，需要有一段时间把电荷建立起来，有一个高压的瞬态；当从正向到反向时，需要有一段时间把二极管储存的电荷导出来，然后开始慢慢地阻断电压。从二极管电流过0到二极管能够真正地阻断电压，这一段时间称为反向恢复时间。在这一段时间里，二极管储存的电荷被反向电压给抽出来，所以反向恢复电荷和反向恢复时间决定了二极管的开关速度