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开关电源中的半导体器件
功率半导体是开关电源的基本组成元件,通常也是电源中损耗最集中的部分。选择适当的功率器件,降低损耗,以及适当的热设计是开关电源设计当中的重要一环。
什么是半导体(Semiconductor)
- 当PN结正偏时,电流可以流通;
- 当PN结反偏时,电流不可以流通;
- 半导体材料既不是导体也不是绝缘体,而是居于两者之间。
功率半导体的分类
- 功率半导体可以分为开关器件和整流器件
- 开关器件:将直流变为交流或者带直流偏置的交流
- 整流器件:将交流变为直流
- 通常在电路分析时,它们都可以近似为理想开关。
- 开关管:控制信号高时导通,近似短路;控制信号低时关断,近似开路。
- 整流管:电压正偏时导通,电压负偏时关断;电流正时导通,电流负时关断。
开关半导体的演化-整流管
名称 | 符号 | 特性 |
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PN结二极管 (PN Junction Diode) | ![]() |
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肖特基二极管(Schottky Diode) | ![]() |
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开关半导体的演化-开关管
名称 | 符号 | 特性 |
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功率三级管 BJT(bipolar junction transistor) | ![]() |
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晶闸管 Thyristor | |
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金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) | ![]() |
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绝缘栅双极晶体管 IGBT(Insulated-gate bipolar transistor) | ![]() ![]() |
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小结
- 功率半导体器件是开关电源中的关键元件
- 基于不同的工作模式,功率器件可以分为:
- 开关器件
- 整流器件
- 在分析电流时,功率器件可以根据工作状态,近似为理想开关的导通或者关断状态。
开关电源中的二极管
从PN结结构中我们可以看到,P端半导体充满了可以导通的空穴,而N端半导体组成了大量的可以导电的电子。当P端加正电压,N端加负电压时,由于同性相斥,异性相吸,所以正电压把电子吸引过来,负电压将空穴吸引过来,所以电流可以导通。
- 在开关电源中,二极管将交流变为直流。
二极管的分类
- 取决于交流信号的频率和电压,通常会使用这几类二极管
- 普通二极管
- 开关速度慢,主要用于工频整流电路
- 快恢复二极管
- 开关速度快,用于高频整流
- 肖特基二极管
- 导通压降较低;
- 开关速度快,没有反向恢复
- 耐压较低,结电容较大
- 普通二极管
二极管的导通特性
- 二极管的导通压降近似于固定电压。
- 取决于不同的二极管特性,二极管的导通压降有所不同。
从图中可以看到,当电流在5A时,快恢复二极管的导通压降为1.1V左右,而肖特基二极管的导通压降在0.9V左右。所以肖特基二极管有更小的导通压降
二极管的导通损耗
当二极管导通时,它可以近似为一个固定压降和电阻串联
第一段是一个固定的导通压降VF,第二段是一个电阻的特性Rd,所以当把二极管的导通特性近似为一个固定电压和一个电阻串联时,比较容易计算导通损耗
导通损耗:
忽略电阻:
所以,二极管的导通损耗由流过它的平均电流所决定, 平均电流越小,导通损耗越小。
二极管的开关特性
- 在二极管的开通和关断过程中,需要一段时间来完成开关过程
- 正向恢复(forward recovery)
- 反向恢复(reverse recovery)
- 反向恢复电荷和反向恢复时间决定了二极管的开关速度
- 肖特基二极管没有反向恢复,更适合高频开关
在正向恢复过程中,二极管需要从反向阻断状态转换到正向导通状态, 需要有一段时间把电荷建立起来,有一个高压的瞬态;当从正向到反向时,需要有一段时间把二极管储存的电荷导出来,然后开始慢慢地阻断电压。从二极管电流过0到二极管能够真正地阻断电压,这一段时间称为反向恢复时间。在这一段时间里,二极管储存的电荷被反向电压给抽出来,所以反向恢复电荷和反向恢复时间决定了二极管的开关速度
二极管的开关损耗
是反向恢复电荷
是母线电压
是开关频率
- 二极管的开关损耗反应在二极管和开关管上,
- 二极管的反向恢复电流流经
- 额外的由反向恢复所产生的损耗可以估算为:
小结:
- 二极管在开关电源中将交流变为直流
- 根据二极管不同的开关特性,二极管可以分为
- 普通二极管
- 快恢复二极管
- 肖特基二极管
- 二极管的导通损耗主要由平均电流所决定
- 二极管的开关速度取决于它的反向恢复特性
- 肖特基二极管没有反向恢复
功率金属氧化物半导体场效应管晶体管
MOSFET的原理
功率MOSFET是应用得最广泛的开关器件之一。
- 高速开关,适用于高频工作
- 电压驱动,简单而且驱动损耗较小
- 导通电压与导通电流成正比,类似于电阻
- 有较宽的耐压范围可以选择, 从几十伏到几百伏甚至更高
箭头朝里是NMOS,虚线表示增强型
MOSFET有NMOS,和PMOS,增强型及耗尽型之分,通常我们所使用的都是增强型NMOS
门极通过绝缘层将其他衬底分开,
- 当门极电压低时,给源极和漏极加电压,PN结反偏,MOSFET处于阻断状态
当给门极和源极之间加电压时,由于同性相斥,门极把P型基区的空穴推开,从而形成了导电沟道,这样电子能够从源极通过沟道,通过漂移流到漏极,
当门极电压高时,P型基区被推开,形成导电沟道
当MOSFET导通时,电流流过N型漂流区,导通特性呈现出电阻特性
由于MOSFET的构造,从源极到漏极有一个寄生的二极管(体二极管)。
MOSFET正向导通特性
跨导:
- 当门极电压低于门槛电压时,MOSFET处于阻断状态
- 当门极电压高于门槛电压时,MOSFET开始导通
- 当门极电压较低时,沟道电阻占主导,导通电阻随着门极电压升高而降低
- 当门极电压较高时,漂移区电阻占主导,导通电阻基本不随门极电压变化
- 当漏极电压接近或者超过门极电压时,MOSFET的电流达到饱和
MOSFET的反向导通特性
- 当MOSFET没有门极电压时,它的反向表征为一个寄生的体二极管,
- 当漏极电压为负时,MOSFET仍然工作在线性区,呈现出电阻特性
- 当电流过大时,体二极管会限制负偏时的导通压降
- 由于MOSFET的电阻较小,负偏时导通压降可以小于二极管压降,MOSFET可以用于整流而减小导通损耗
- 由于MOSFET的构造,从源极到漏极有一个寄生的体二极管
- 除了二极管之外,MOSFET各个引脚之间还有寄生的电容
- 从门极到源极
- 从门极到漏极
- 从漏极到源极
- 从门极到源极
- 这些寄生电容会影响MOSFET的开关特性从而影响它的开关损耗
MOSFET规格书
耐压(击穿电压)
总门极电荷
门极到漏极的寄生电容储存的电荷
导通电阻
门槛电阻
门极击穿电压
最大电流
雪崩击穿能量