硬件知识分享

xiaoqianghit1990

已于 2022-09-12 20:11:22 修改

阅读量2.9k

点赞数 10

分类专栏：硬件文章标签：硬件嵌入式

于 2020-10-27 22:16:19 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_44833114/article/details/109290833

版权

硬件专栏收录该内容

8 篇文章 6 订阅

订阅专栏

以下为个人心得分享，如有错误请指正。

1.硬件设计综述

1.1硬件设计流程

硬件设计流程如下图所示，其中在系统框架建立和元器件选型的过程中，需要项目所有相关人员参与讨论确定，设计方案和元器件选型是整个设计流程的核心，软件设计、硬件设计、测试人员等都需要参与其中，这两个环节越完美，后期节省越多时间和成本。

在这里插入图片描述

建议大家在最开始进行硬件设计时，参考成熟电路设计，等到经验丰富之后可以自行设计电路。
画出系统框架图，电路设计的过程中可随时参考。
查找元器件网站：
0.半导小芯1.立创商城2.云汉芯城3.贸泽电子4.AllDatasheet
供应商网站：
1.infineon2.TI3.ST4.ADI5.TDK6.KOA

PS：原理图设计完成后即可进行元器件采购，元器件采购存在订货情况，尽早确定bom采购可以减少开发时间。

1.2 如何查看官方设计方案和选型建议

以infineon为例，假如我们想找一款工作在12V的5V输出的LDO，在官网的product界面下，找到对应的最新版Selection Guide 链接：Selection Guide
在这里插入图片描述
找到对应需求的元器件

在这里插入图片描述

1.3 汽车级认证

AEC 代表汽车电子设备委员会，是 JEDIC 的一个附属机构，主要负责设定汽车级设备要求。这里有很多具体规范需要满足，尽管无法进行详细解读，但我们可以大致了解一下 Q100 认证的含义。

AEC-Q100 首先定义了用来规范给定器件环境工作温度范围的五个不同温度等级。例如，1 级是车载应用非常普遍的标准，规定器件可以在 -40°C 至 +125°C (零下 -40°F 至 +257°F)的环境温度下工作。此外，器件电气规范通常可在该工作范围内确保。但对于一些非汽车器件来说则不是这样，因为它们的规范只需在室内温度下即可确保。查看一下 DRV8801-Q1 有刷 DC 电机驱动器产品说明书,就会发现电气特性表的顶部有一条注释说明了该规范可在整个 1 级工作范围内确保。

另一个重要 AEC-Q100 合规性要求与器件的生产验证有关。任何 IC 在进入生产阶段之前，都必须通过一系列电气、使用寿命以及可靠性应力测试。对于汽车级 IC 而言，产品测试比工业或商业 IC 要严格得多。这里又会涉及温度级，因为不同温度级具有不同质量要求，其中 0 级（-40°C 至 +150°C）最为严格并适用于传动系统或引擎盖下的应用。这些严格的认证测试可确保在恶劣汽车环境中设备工作的高可靠性与长时间的使用寿命。Q100 应用已不仅仅局限于汽车市场，因为由于测试更加严格，越来越多的工业客户放弃标准工业级产品，转而选用 Q100 认证部件。

2.元器件分析+选型

2.1 电阻

2.1.1 电阻分类和功能

电阻细分可以参考这个链接常用电阻器分类

常用电阻按照焊接方式分为贴片电阻和直插电阻。
请注意：电阻值并非随意选择，而是固定的阻值，如10k，1k，2k，5.1k等，你很难找到50k的电阻，但是可以很轻易的选到47k的电阻，51k的电阻。
在这里插入图片描述

电阻在电路中的功能主要有：

限流
比如为防止烧坏单片机，模拟输入/数字输入电压需经过限流电阻才能接到单片机。下图中R8为限流电阻。
电平确定
在上图中R9尅保证在单片机P1.0脚在无任何输入时电平为低，如果没有R9在输入端没有接信号时电平悬空，将使电路不稳定。
提升电路稳定性，抗干扰性
继续上图，如果没有R9，输入电平通过R8接入P1.0，电阻R8上电流将很小，外界输入发生变化时，P1.0的输入电压易受到影响，通过接入R9分流，形成负反馈，提高了信号抗干扰性。
分压
很好理解，不赘述。
采样
电阻的采样功能一般是指采样电流。根据欧姆定律U=IR，使用高精度、小阻值的采样电阻接入系统中，不会对电流大小产生影响，通过电阻两端电压差计算得知电流值。

对于热敏电阻，将其串入电路中进行模拟电压采集，通过官方给出的换算表即可得知温度。

在这里插入图片描述

2.1.2 电阻封装

电阻的常用封装有0402，0603,0805,1206
一般来说，封装越大，体积越大，承受的功率越大，价格越贵。

封装尺寸与功率关系：
0402 1/16W
0603 1/10W
0805 1/8W
1206 1/4W
封装尺寸与封装的对应关系
0402=1.0mmx0.5mm
0603=1.6mmx0.8mm
0805=2.0mmx1.2mm
1206=3.2mmx1.6mm
一般情况下，选用精度1%的厚膜电阻。薄膜电阻精度更高但更贵。使用功率计算P=U^2/R，在已知电压和电阻的情况下，计算电阻上的功率，选择符合使用要求的封装，由于浪涌电压等的存在，一般还需预留20%的额度，即按照计算得到的P*1.2进行选型。

2.1.3 电阻命名

学习电阻、电容、电感等的命名可以在设计电路或反剖电路以及电路调试时提供帮助。

以KOA电阻为例，阻值命名，最后一位为10的几次方，最终阻值为前三位乘以10的第四位次方欧姆。
比如RK73H1JTTD1002F，指RK73H品种的，0603封装的，阻值为10kΩ的，精度1%的电阻。
通过查看官方给出的手册可以获取电阻命名方式，大同小异。
在这里插入图片描述
封装命名

2.2 电容

2.2.1 电容分类

电容的分类可以参考这个链接电容的分类与区别

常用电阻按照封装形式一般分为贴片电容和直插电容。
常用的贴片电容主要有陶瓷贴片电容、钽电容以及部分电解电容，直插电容一般为电解电容。
独石电容和云母电容等我不是很了解，不在此介绍。

陶瓷贴片电容最常用，一般封装有0603,0805,1206等，其容值较小，一般在pF~uF级别，具有ESR小，精度高，低温漂等优点。电容主要参数是额定电压和精度，温漂等，封装越大，能够做到的耐压值也越高，需要根据电容值，需求耐压值和集成度要求进行电容选型。

钽电容可以实现小体积大电容，在几十uF的选型时非常常用，不过其存在发热燃烧的风险。钽电容一般降额50%选型。

电解电容体积较大，容值越大，ESR也越大，且寿命较短，随着使用时间进行，会发生漏液甚至干枯，容值大幅下降，无法使用。但由于其容值符合常见的使用场景，一般在电源输入输出端具有广泛的使用，电解电容一般需要30%的降额。电解电容选型需要参考耐压值、封装、ESR、纹波电流、精度等参数。

ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，大多数情况下，ESR越小越好。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源一类的，都使用低ESR的电容器。
陶瓷贴片电容

在这里插入图片描述
钽电容

电解电容，电解电容有直插型和贴片型，直插型抗震性更强，贴片型封装更小，且不影响反面贴片，更适合集成。

2.2.2 电容的功能

电容在电路中的功能主要有：

去耦
在芯片电源输入引脚旁放置陶瓷贴片电容，可有效滤除电源噪声，一般为100nF。
滤波
在接口电路输入端，或芯片信号输入端，旁接一个陶瓷贴片电容，可有效滤除外界干扰噪声，对于一般的非高速信号，接口电路端一般为10nF，芯片输入端一般为100nF，对于高速信号，需根据信号速率进行相应容值选型，一般芯片手册会给出电容值建议。
储能
电源芯片，大电流信号输入口，需要放置大电解电容储能，当负载发生改变时，电容储能能够及时释放能量，平稳输出。在大电流信号输入口或电源芯片输入和输出端，一般采取电解电容+陶瓷贴片电容的组合，电容并联可以提升容值，降低ESR。
耦合

2.2.3 电容命名

贴片电容，以TDK的贴片电容为例：
电容值为前两位*10的第三位次方pF，比如
CGA5L1X7R1E106K106AD表示CGA系列的1206封装的，工作温度-55~125度的，耐压值25V的，10uF的电容。工业产品一般X5R（-55-85度）即可，汽车电子产品需要选用X7R。对温漂比较关注的产品，可以选用C0G系列。
电解电容，以黑金刚（CHEMI-CON）的电解电容为例：
如下图所示，630代表耐压值63V，计算方法是前两位x10的第三位次方V，471代表电容值为470uF，计算方法是前两位x10的第三位次方uF。

2.3 电感

关于电感分类可以参考这个链接电感的分类及作用

电感按功能一般分为功率电感、贴片电感、磁珠等。功率电感额定电流大，电磁发射大，贴片电感额定电流小，电磁发射小。磁珠一般用来抑制芯片电源输入端的高频噪声，一般规格有100欧姆/100MHz，即在100MHz频率下阻值为100欧姆。需要注意的是，功率电感在使用时需要加续流二极管。
在这里插入图片描述
电感由于其通直阻交特性，常用来搭配电容滤波或搭建震荡电路（电源输入端、高频信号输出端、电源芯片输出端、震荡电路）。当系统电流较大时，在电路中加入电感可有效减小电压纹波。
电感的选型一般根据芯片手册和通过电流大小、PCB尺寸限制、成本等进行折衷选择。

2.4 TVS

Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器，可以参考这两篇文章瞬态抑制器
 TVS参数详解及选型应用
在这里插入图片描述

TVS选型关注的参数有最大钳位电压、击穿电压、节温、封装、符合的标准等
TVS选型最重要的参数是最大钳位电压VC、工作峰值反向电压VRPM和击穿电压VBR。当电压超过击穿电压时，TVS开始雪崩击穿，释放能量，最大钳位电压表示TVS能够钳位的最大电压值。
比如SM8S30A，当电压超过VRPM=33.3V后，TVS击穿放电，最大钳位电压为48.4V。设计电路时，如果选型SM8S30A，则电路正常工作电压需小于VRPM=33.3V，否则电压波动容易导致TVS击穿，电路能够承受的最大电压应小于VBR=48.4V，否则浪涌电压将烧毁后级电路。
在这里插入图片描述
当TVS在短时间内承受大量浪涌电压时，其发热很大，当温度超过节温，TVS将失效。因此需要为TVS在PCB上预留足够的散热面积。

2.5 MOS管

NMOS和PMOS选型主要参考耐压值，VGS耐压值，最大电流，导通阻抗，开启延迟，上升下降时间，热阻等参数。
NMOS：VGS>Vth时导通
PMOS：VSG>Vth时导通
NMOS栅极需比源级电压高至少一个阈值电压方可导通，因此需要专用的驱动芯片方可使用，而PMOS栅极只需比源级低至少一个阈值电压即可导通，因此PMOS可由简单的电阻配合实现导通，如下图
在这里插入图片描述
MOS管选型主要看耐压值，最大电流，以及导通电阻。NMOS相比PMOS具有更小的导通电阻，因此其通过大电流的能力更强，在电流需求较小时可选用PMOS，当通过电流较大，无法实现PMOS选型或需要进行MOS管的高速切换时，常使用NMOS管。

NMOS和PMOS都带有体二极管，在搭建电路时需要留意体二极管朝向。

2.6 晶体管

晶体管选型主要参考耐压值、耐流值、封装等参数。

当Vbe>Von，晶体管导通。
请留意一点：晶体管是电流控制器件，而MOS管是电压控制器件（这个后面会讲）。

2.7 二极管

二极管选型需考虑导通压降、反向耐压值、最大通过电流、工作温度、热阻、恢复时间、满足的标准等
以S3JB R5G为例，正向电流3A，反向电压50~1000V，瞬时浪涌电流80A，节温150度，符合AEQ-101认证，正向导通压降1.15V，热阻10K/W，当该二极管上功率3W时，温升30度，满足使用需求。

2.8 各种物料的推荐厂商及国别

当电容失效时80%情况会短路，20%情况会短路，对于系统的可靠性设计，选择更加可靠，不良率低的厂商十分重要。在物料选型时，我个人建议陶瓷贴片电容选用TDK，贴片电阻选用KOA，TVS选用Vishay，选用美国品牌时需慎重。
在这里插入图片描述

3.常用电路设计

3.1 开关电路

1）使用晶体管搭建开关电路
下图为常用的NPN管搭建的开关电路，当MCU过来的信号为高时，Q2导通，输出电平拉到地，当MCU过来的信号为低时，Q2关断。请注意，A点电压在MCU为高时为0.7V左右，我们知道晶体管是电流控制器件，当在该电路中去掉R6后，Q2基级电流很小，即使Vbe>Von，Q2导通，Q2也没有工作在放大区，Q2集电极到射级的电流很小，无法实现开关功能。
在这里插入图片描述
同理，对于PNP管，如果去掉R12，从VCC通过Q4输出的电流将很小，无法实现开关功能。

需要注意的是，我们需要根据使用需求设计开关电路默认的通断状态。
假设单片机输出脚默认电平为低，下面给出两种参考电路，默认通和断
默认通：
在这里插入图片描述
默认断：

2）使用MOS管搭建开关电路
由于MOS管是电压控制器件，因此当VGS>VTH时，即可实现开关功能。需要注意的是体二极管的朝向，如果体二极管朝下，则MOS管会一直导通，通过电流最大是体二极管的额定电流，则起不到开关作用。
在这里插入图片描述

3.2 防反电路

我们可以使用PMOS或NMOS搭建防反接电路，PMOS更简单。
下图为常见的PMOS搭建的防反电路。Q9的体二极管由VIN指向VOUT，在系统上电后，R17得电，与R16分压，VOUT与A点电压差>Vth，Q9即可完全导通，VIN=VOUT，全程由硬件触发，无需软件参与，当VIN与地接反时，VGS<VTH，且体二极管反接，不导通，起到防反作用。ZD1是一个稳压二极管，当VIN存在浪涌电压时，VGS可能会超过Q9能够承受的最大栅源电压，ZD1稳压可以保护Q9。
在这里插入图片描述
一般NMOS驱动芯片都带有防反接功能，不在此赘述。

3.3 常用接口电路

如下图所示，常用开关信号输入可用下面的接口电路，接插件附近接一10nF滤波电容，单片机输入端接一100nF输入电容，20kΩ限流电阻和100kΩ可以根据实际情况调整。
该接口电路也可适用于模拟输入。
在这里插入图片描述

4.立创EDA使用心得

在此安利一下我录的立创使用视频和AD使用视频
立创EDA1小时快速入门
 Altium Designer一小时快速入门
着重需要强调的几个功能：

布局传递，shift+x交叉选择
组（可以将好友添加进组，使其具有项目的观察和编辑权限）
备份和恢复（应对不小心关闭客户端或客户端崩溃）

5. 原理图、PCB设计心得

5.1 原理图心得

5.1.1 如何结合Datasheet设计电路

我们以LT1513-2IR这款芯片为例，芯片手册LT1513-2IR
假设我们想用12V-22V波动的输入电平为16.8V的4节锂电池充电，我们选型了这款带有buck-boost功能的充电芯片LT1513-2IR。

在选型阶段，我们考虑了以下问题：

供电电压最大30V，满足要求
TO220封装，散热应该不错
在输入电压为12-14V时最大充电电流1A左右，满足使用需求
外接电阻配置充电电流及充电电流限制
充电可通过MCU控制开关
开关频率500kHz，效率应该一般般
只有7个脚，无需复杂的配置，设计简单

然后我们开始查看每一个脚的功能并且查看外部电路的配置
于是

R3设置最大电流，R3上的电压恒为100mV，取R3=0.1Ω，设置最大电流1A。
R1和R2设置输出电压，R2给出了推荐值，R1给出了计算公式
电感建议绕在同一个磁芯上的电感，并给出了建议型号，搜了搜找不到，手册说可以用两个分着的，按照电感值10uH，串联电阻小于40mΩ进行选型，选择了TDK的SLF10165T-100M3R83PF，10.1mm*10.1mm，10uH，3.8A，22.2mΩ，满足使用要求。
充电电流公式已给出，VISET直接设置电源电压3.3V，R3已设置为0.1Ω，IFBVOS从-7.5mV-12.5mV波动。取R4/R5=5/330，在不考虑IFBVOS的情况下，充电电流可配置为0.5A，取R5为330kΩ，R4为5.1kΩ，考虑到IFBVOS，最终输出电流将在0.375~0.575A之间。
环路参数配置。配置环路参数用的C4也给出了计算公式， R3=0.1Ω，Vin取最大值22V，R5=330kΩ，f=250kHz（这里不知道为什么它用的250kHz，前面给出的是500kHz），R4=5.1kΩ，VBAT=16.8V，可以计算出C4=168nF，如果f取500kHz，则C4取84pF，取C4=100pF测试一下，不行可以再调。
二极管选择。要求选一个肖特基二极管，选型Vishay的VS-15MQ040NTRPBF，SMA封装，0.43V压降，1.5A最大电流，满足使用要求。
还有几个电容，都给出了具体的电容值。
至此LT1513外围电路参数全部确定，按照application的建议进行原理图设计即可。

5.1.2 其他

原理图封装的画法
走线流畅，增加可读性
输入在左，输出在右，电源在上，地在下
网络节点的命名方式（输入输出、单片机相关等）
输入和输出可用IN和OUT标识出
与单片机相关的信号可用/M标识出
添加测试点的规则
关键节点增加测试点，测试点可以飞线，可以用表笔测电平，可有效防止万用表表笔误触引起的短路问题。关键信号可添加测试点，调试时飞线使用示波器观察波形。
常用电容值（电源输入端、输出端、接口处等）、电阻值
电源输入端一般采用电解电容与陶瓷贴片电容的组合，提升容值同时降低ESR。普通低速信号的接口电容一般采用10nF电容，高速信号需根据信号速率调整，去耦电容一般采用10nF电容，有时加10uF电容和电解电容。
0欧电阻的妙用
当不确定芯片引脚接高或接低时，可通过预留焊盘+0欧电阻的方式做预留设计。
可通过0欧电阻焊盘预留，设计短路预留
封装选择（成本考虑，布局考虑，功率、耐压考虑）
功率越大、耐压值越高，一般封装也越大，成本越高，在同样的参数要求下，封装越小，一般成本越高，需根据这些因素折衷选型。