本文介绍用VASP如何求硅的电子态密度和能带,共分为如下5个部分:
(1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS
(2). 优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数
(3). 固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量
(4). 修改KPOINTS和INCAR输入文件,固定电荷密度,做非自洽计算,得到输出文件EIGENVAL
(5). 提取数据,画图
(1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS
(2). 优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数
运行VASP程序, 查看SUMMARY.fcc输出文件:
(3). 固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量
(i) 找到平衡晶格常数后, 把该值写入到POSCA件中,并增加K点数作一个离子步自洽计算(NSW = 0, IBRION = -1) .
(ii) 从DOSCAR输出文件中读出态密度和费米能级,费米费米能级也可从OUTCAR中读出.
(4). 做非自洽计算, 求电子结构
• 修改INCA件: 将参数ICHARG设为 11
• 修改KPOINTS输入文件
• 运行VASP程序,从输出文件EIGENVAL中提出电子结构
画出电荷密度
• VASP输出电荷密度文件CHGCAR
• 采用免费程序LEV00处理数据文件CHGCAR www.cmmp.ucl.ac.uk/lev
最后,有MD相关需求,欢迎通过微信公众号联系我们。
公众号:320科技工作室。