半导体物理(硅的能带解读）

最新推荐文章于 2024-06-28 11:28:59 发布
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分类专栏： 算法 文章标签： 能带
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本文链接：https://blog.csdn.net/wwxy1995/article/details/120145696
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这篇博客深入探讨了硅的复杂能带结构，重点关注电子在价带顶和导带底的行为。通过三维布里渊区的视角，解释了硅的能带图，并介绍了k·p方法来模拟导带底和价带底的电子行为。同时，讨论了硅的态密度，这是理解其电学性质的关键。
摘要由CSDN通过智能技术生成

半导体物理教材上给出的可能是简化后的东西，实际上真是硅的能带结构是比较复杂的，从三维布里渊去来看，结构如下：

硅的能带如下：

3. 重点关注电子在价带顶和导带底的行为

如何用自由电子模型fit导带底和价带底的电子：k dot p method

 

 

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qq_43308551的博客
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lielie12138的博客
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【private:】半导体物理
Fourier_xyz的博客
03-09 8471
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