模拟电子技术 三极管部分 个人笔记

在学，就是一点点笔记，有错误的话，望请大佬指正，非常感谢。

双极结型晶体管

BJT-Bipolar Junction transistor
简称：晶体管、三极管
百度百科: 双极性晶体管.

分类

1. 按材料分：硅管、锗管
2. 按结构分：NPN、PNP
3. 按使用频率分：低频管、高频管
4. 按功率分：小功率管<500mW 中功率管0.5~1W 大功率管>1W

结构和符号

结构和特点

集电区：面积最大
基区：最薄，掺杂浓度最低
发射区：掺杂浓度最高

三极管工作原理

三极管内部载流子的传输过程

1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流$I_E$

2. 从发射区扩散到基区的自由电子与基区空穴的复合运动形成基极电流$I_B$。
   注：基区薄，掺杂浓度低，空穴数目少，复合运动的电流小，$I_B$是一个与$I_E$比较小的值。
   发射区扩散到基区的自由电子没有完全复合。

3. 多数电子（多子）在基区继续扩散，到达集电结的一侧。

4. 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流$I_C$
   

   由基本关系可得：
   A. 已知两个电流可确定第三个电流；（$I_B$，$I_C$流入；$I_E$流出）
   B. 根据电流方向可确定是NPN管还是PNP管；
   C. 根据电流的数值关系可确定晶体管的电极。

一般$I_B$很小，$I_E$和$I_C$大小相似。

三极管的小信号等效电路

小信号模型法（微变电路等效法）

建立小信号模型的意义

由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。

建立小信号模型的条件

研究的对象仅仅是变化量，信号的变化范围很小。

建立小信号模型的思路

把三极管在静态工作点附近的小范围内的特性曲线近似地用直线来代替。

微变电路等效法

1. 晶体管的微变等效电路（输入输出）

晶体管的微变等效电路可由晶体管特性曲线求出。
- 输入回路 ¹

静态工作点Q: 见上一个二极管电路中二极管基本电路及其分析方法->二极管四种建模->4. 小信号模型.
（1）当信号很小时，在静态工作点Q附近的输入特性在小范围内可近似线性化。
（2）晶体管的输入电阻$$r_{be}=\frac{\Delta U_{BE}}{\Delta I_B}|U_{CE}=\frac{u_{be}}{i_b}|U_{CE}$$
（3）晶体管的输入回路（B(基极)、E(发射极)之间）可用$r_{be}$等效代替，即由$r_{be}$来确定