低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片GC26E31S/P 的产品描述

最新推荐文章于 2024-11-01 17:05:47 发布
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       GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITU V.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动 平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下， 输出处于高阻抗状态。G 和 GN 可同时控制 四路驱动器。 GC26E31S 是 SOP16 封装，GC26E31P 是 TSSOP16L，工作温度范围为-40 到 125℃。 

芯片应用：   马达编码

                     压力和温度传感器数据传输

                     军用和航空图像数据传输

                     Modbus 总线控制器 

Jason13510238356
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低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片 GC26E31S/P
2302_78541435的博客
11-06 84
GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITU V.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动 平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下， 输出处于高阻抗状态。G 和 GN 可同时控制 四路驱动器。GC26E31S 是 SOP16 封装，GC26E31P 是 TSSOP16L，工作温度范围为-40 到 125℃。芯片应用：  马达编码  压力和温度传感器数据传输。
低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片GC26E31S/P ，采用TSSOP16封装可应用于马达编码等产品上
Jesse0257的博客
11-03 158
GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高 速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯 片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITU V.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动 平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下， 输出处于高阻抗状态。G 和 GN 可同时控制 四路驱动器。GC26E31S 是 SOP16 封装，GC26E31P 是 TSSOP16L，工作温度范围为-40 到 125℃。
低功耗、四通道差分线路驱动器——GC26E31S/P，可应用于马达编码等产品中
Jack15302768279的博客
07-23 259
GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯片，可满足ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITUV.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下，输出处于高阻抗状态。 满足 ANSI TIA/EIA-422-B 和 ITU 协议要求。 5V 供电时，100 欧姆负载差分输出电压：2.6V。 总线 ESD（HBM)：±15KV。 3.3V 或者 5V 单电源供电。 输出驱动：±30mA。 断电时输出高阻抗。
GC26LV31E 低功耗 四通道差分线路驱动器,AM26LV31E国产替代 AM26C31国产替代
szjzcx的博客
01-21 1378
GC26LV31E 是一款低压、低功耗、高速1.8V、3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITU V.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下，输出处于高阻抗状态。 G 和GN 可同时控制四路驱动器。 C26LV31E 是采用SOP16 封装形式。C26LV31E工作温度范围为-40 到125℃。
接口芯片选型分析 四通道差分驱动可满足ANSI TIA/EIA-422-B 和ITU V.11 的要求 低功耗，高速率，高ESD
2302_78541435的博客
12-13 579
其中GC26L31S可替代AM26LS31/TI，GC26L32S替代AM26LS32/TI，GC26E31S替代TI的AM26LV31E。四通道差分驱动可满足ANSI TIA/EIA-422-B 和ITU V.11 的要求 低功耗，高速率，高ESD。
可满足ANSI TIA/EIA-422-B和ITU V.11的要求,低功耗，高速率，高ESD的接口芯片GC26E31S/P ，可替代TI的AM26LV31E
2302_78576669的博客
01-26 465
GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITUV.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下，输出处于高阻抗状态。 满足 ANSI TIA/EIA-422-B 和 ITU 协议要求。 5V 供电时，100 欧姆负载差分输出电压：2.6V。 总线 ESD（HBM)：±15KV。 最大传输速率：32MHz。 输出驱动：±30mA。 传输延时：8ns。
GC26E31S国产芯片可替代AM26LV31E/TI，适用于马达编码等产品上
Jesse0257的博客
01-26 574
该驱动器具有±15kV ESD（HBM和IEC61000-4-2，气隙放电）和±8kV ESD（IEC61000-4-2，接触放电）保护。输出具有驱动平衡线路的高电流能力，例如双绞线传输线，并在断电条件下提供高阻抗。是一款低压、低功耗、高速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯片，可满足 ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITUV.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动平衡双绞线或并行传输线，在断电模式下，输出处于高阻抗状态。 5V 供电时，100 欧姆负载差分输出电压：2.6V。
前端面试笔记随笔---kalrry
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面试笔记---kalrry第一部分：HTML5+CSS31、父元素和子元素宽高不固定，如何实现水平垂直居中2、分别实现骰子中的'一点' 和 '三点' 的布局。3、简述选择器~和+的区别。4、简述box-sizing的有效值以及所对应的盒模型规则。**5、flex中元素的margin是否会合并？**6、简述align-items和align-content的区别。7、简述data:属性的用法（如何设置，如何获取），有何优势？8、简述 title与h1的区别，b与strong的区别，i与em的区别。9、什么是标
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我搜索了一下，找到了一张5V降压3.3V电路图：...
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ATT7022E/26E、HT7038/36系列多功能、高性能三相电能专用计量芯片，内部集成了高精度二阶Sigma-delta ADC、参考电压电路以及数字信号处理等电路，能够测量各相以及合相的有功功率、无功功率、视在功率、有功能量及无...
云原生之容器编排实践-在K8S集群中使用Registry2搭建私有镜像仓库
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基于前面搭建的3节点 Kubernetes 集群，今天我们使用 Registry2 搭建私有镜像仓库，这在镜像安全性以及离线环境下运维等方面具有重要意义。作为测试环境，本次使用 Registry2 搭建了私有镜像仓库，实际生产环境建议使用 Harbor；创建了一个 local-storage 的 StorageClass ，并使用本地磁盘的方式创建使用 PV ，实际建议使用 NFS 。
单片机内存管理和启动文件
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FLASH又称为闪存，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在以前的嵌入式芯片中，存储设备一直使用ROM(EPROM)，随着技术的进步，现在嵌入式中基本都是FLASH，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。RAM随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。比如电脑的内存条。
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通过将这些外设集成到单个芯片上，微控制器能够在较小的体积内提供丰富的功能，减少了外部组件的需求，提高了系统的可靠性与性能。，这些外设可以直接与主处理器进行通信，从而提供特定的功能。与外部外围设备相比，片上外设具有更小的延迟、更低的功耗以及更高的集成度。我们知道，我们常说的芯片就是我们直观看到的一个物体（通常是一个外壳），芯片内部包含。DMA（直接内存访问控制器）：允许外设直接访问系统内存，减少CPU的干预，从而提高效率。：如Ethernet、CAN等，用于与网络或通信协议的连接。在内核外部，芯片内部。
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akd13798477800的博客
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将结构体声明放在最前面，程序就不报错了。这里错误信息提示我们，“
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