利用Cadence Virtuoso IC617对SIMC18MMRF的工艺库进行参数仿真

前言

这是我个人的关于Cadence Virtuoso IC软件系列的第三篇文章。其它文章可以在我制作的专栏看见。
上一篇文章中,通过仿真得到了NMOS管和PMOS管的V-I特性曲线。在这一片文章中,利用得到的仿真数据进行计算得到SIMC18MMRF工艺库的一个工艺参数。

NMOS管

数据的提取

注意原理图里的NMOS管的W=220nm,L=180nm。这个管子的尺寸数据后续计算时需要用到。
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我们需要对仿真参数进行一个修改,为获取更加准确的数据,将Vds的范围改为0v ~ 2v,Vgs改为0.6v ~1.2v ,搜索步长也由0.5改为0.2。具体可以参考下面两图。
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在仿真完成,波形图出现后,点击键盘v键,会出现如下图所示的一条垂直的线。鼠标点击该线,点击右键选择Vertical Marker Properties…,在弹出的窗口的X position位置填入1v,束线就到了Vds等于1v时的位置。
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在界面的左侧,我们可以看到,当Vds等于1v时,对应Vgs的值不同时,输出电流的值。
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这次数据选取的分别是Vds对应1v和1.5v时,Vgs对应0.8v和1v时的输出电流的值。(1.5v所对应的竖线做法和1v的做法相同)
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整理数据,得到以下表格:
注意:W=220nm,L=180nm
在这里插入图片描述

I D = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T H ) 2 ( 1 + λ V D S ) I_{D}=\frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2(1+\lambda V_{DS}) ID=21μnCoxLW(VGSVTH)2(1+λVDS)
令 k n = μ n C o x 令k_{n}=\mu_{n}C_{ox} kn=μnCox
可以得到: I D = 1 2 k n W L ( V G S − V T H ) 2 ( 1 + λ V D S ) 可以得到:I_{D}=\frac{1}{2}k_{n}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2(1+\lambda V_{DS}) 可以得到:ID=21knLW(VGSVTH)2(1+λVDS)

同理,PMOS的工艺参数也可以按照上述方式获得。

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