前言
这是我个人的关于Cadence Virtuoso IC软件系列的第三篇文章。其它文章可以在我制作的专栏看见。
上一篇文章中，通过仿真得到了NMOS管和PMOS管的V-I特性曲线。在这一片文章中，利用得到的仿真数据进行计算得到SIMC18MMRF工艺库的一个工艺参数。
NMOS管
数据的提取
注意原理图里的NMOS管的W=220nm,L=180nm。这个管子的尺寸数据后续计算时需要用到。
我们需要对仿真参数进行一个修改，为获取更加准确的数据，将Vds的范围改为0v ~ 2v，Vgs改为0.6v ~1.2v ，搜索步长也由0.5改为0.2。具体可以参考下面两图。
在仿真完成，波形图出现后，点击键盘v键，会出现如下图所示的一条垂直的线。鼠标点击该线，点击右键选择Vertical Marker Properties…，在弹出的窗口的X position位置填入1v，束线就到了Vds等于1v时的位置。
在界面的左侧，我们可以看到，当Vds等于1v时，对应Vgs的值不同时，输出电流的值。
这次数据选取的分别是Vds对应1v和1.5v时，Vgs对应0.8v和1v时的输出电流的值。（1.5v所对应的竖线做法和1v的做法相同）
整理数据，得到以下表格：
注意：W=220nm，L=180nm
I
D
=
1
2
μ
n
C
o
x
W
L
(
V
G
S
−
V
T
H
)
2
(
1
+
λ
V
D
S
)
I_{D}=\frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2(1+\lambda V_{DS})
ID=21μnCoxLW(VGS−VTH)2(1+λVDS)
令
k
n
=
μ
n
C
o
x
令k_{n}=\mu_{n}C_{ox}
令kn=μnCox
可以得到：
I
D
=
1
2
k
n
W
L
(
V
G
S
−
V
T
H
)
2
(
1
+
λ
V
D
S
)
可以得到：I_{D}=\frac{1}{2}k_{n}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2(1+\lambda V_{DS})
可以得到：ID=21knLW(VGS−VTH)2(1+λVDS)
同理，PMOS的工艺参数也可以按照上述方式获得。
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