利用Cadence Virtuoso IC617对SIMC18MMRF的工艺库进行参数仿真

前言

这是我个人的关于Cadence Virtuoso IC软件系列的第三篇文章。其它文章可以在我制作的专栏看见。
上一篇文章中，通过仿真得到了NMOS管和PMOS管的V-I特性曲线。在这一片文章中，利用得到的仿真数据进行计算得到SIMC18MMRF工艺库的一个工艺参数。

NMOS管

数据的提取

注意原理图里的NMOS管的W=220nm,L=180nm。这个管子的尺寸数据后续计算时需要用到。

我们需要对仿真参数进行一个修改，为获取更加准确的数据，将Vds的范围改为0v ~ 2v，Vgs改为0.6v ~1.2v ，搜索步长也由0.5改为0.2。具体可以参考下面两图。

在仿真完成，波形图出现后，点击键盘v键，会出现如下图所示的一条垂直的线。鼠标点击该线，点击右键选择Vertical Marker Properties…，在弹出的窗口的X position位置填入1v，束线就到了Vds等于1v时的位置。

在界面的左侧，我们可以看到，当Vds等于1v时，对应Vgs的值不同时，输出电流的值。

这次数据选取的分别是Vds对应1v和1.5v时，Vgs对应0.8v和1v时的输出电流的值。（1.5v所对应的竖线做法和1v的做法相同）

整理数据，得到以下表格：
注意：W=220nm，L=180nm

$$I_D=\frac{1}{2}{\mu }_n{C}_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH}{)}^2(1+\lambda V_{DS})$$
$$令k_n={\mu }_n{C}_{ox}$$
$$可以得到：I_D=\frac{1}{2}{k}_n\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH}{)}^2(1+\lambda V_{DS})$$

同理，PMOS的工艺参数也可以按照上述方式获得。