用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数
用确定的W/L,其中W为220nm,L为180nm,计算Kn,Rn,Vth,三个值
前文记录了用Cadence Virtuoso IC617仿真V-I特性曲线,本文将会描述,如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数
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一、原理图
1.1 N-MOS的测量
为了更精确得到数据,这里改变一下扫描范围,vds范围改为0-2V,vgs范围改为0.6-1.2V,步长设置为0.2V,得出结果如下图。
选择Marker菜单中的Create Marker,在图标中添加标记,软件会自动得出相交点的数据
添加一个垂直的标记,为了简便我选的是1V的坐标,点击OK后,再添加一个1.5V的坐标,这样我们就有了两组数据。
添加垂直标记后的效果,点击标记,就能显示出数值。这里为了方便计算,我选择vgs对应0.8V和1V下的数据,此时vds选择的是1V和1.5V。