电容在电路中的选型及应用

凌风cys

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分类专栏：硬件电路设计开发文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程

于 2024-01-31 16:53:53 首次发布

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说明：本文详细分析了电容在电路设计中的选型及应用，用于指导硬件电路设计。

电容对电路的贡献特别大，即使在一块普通的单板上，电容也随处可见，因此电容是电路上最为常见的器件，但同时电容也是最容易被忽视的器件，在设计中，设计者往往知道需要放置电容，但对电容选型随心所欲，本文详细介绍分析电容的具体作用和选型。

一、电容的作用

（1）电荷缓冲池

在电路设计中，电源的负载是动态的（器件的电流和功耗是不断变化的），为了保证工作稳定，希望器件的工作电压不随电流和功耗的剧烈变化而产生变化，即希望器件电压尽量稳定。在这种情况需要为器件提供一种缓冲池，以便外界环境变化时，器件的电压能相对稳定。电容的本质就是存储电荷和释放电荷，当外界环境变化时，电容中的电荷能被迅速积累或释放。根据公式 $\Delta U=\Delta Q/C$ $\Delta U$ 表示电容两端的电压变化量， $\Delta Q$ 表示电容两端的电荷变化量，C为电容的容值，当外部电压产生变化时，电容能通过积累或释放电荷以吸收这种变化，即将工作器件的电压变化转变为电容中的电荷变化，从而保持器件工作稳定。

（2）高频噪声的泄放通路

在高频电路中，信号的状态不断在0、1之间转换，器件电流方向也可能在输入和输出状态来回切换，这种快速切换会产生大量的噪声干扰。一般这些噪声干扰处于有效信号的2次、3次等倍频频率，在传输路径上我们需要将这部分干扰泄放到稳定的地平面上。根据公式 $Z=1/J\omega C$ ，当频率较高时，电容表现为低阻抗，便于高频干扰信号通过。

（3）实现交流耦合

交流耦合其实是利用电容通交隔直特性，滤除信号发送端携带的直流分量。举个例子，两组器件通过差分信号相连接，一组信号的电压为1.8V，一组信号为3.3V，如果两组信号直接相连，由于电压不匹配会导致信号无法正确被识别。对于这种情况，需要将信号所携带的发送端的直流分量在接收端接收前将其滤除。在信号线上串入0.1uf（经验值）左右电容，利用电容通交隔直特性，实现对直流分量隔离。

二、电容等效电路分析

在电路设计中电容器件并不是纯粹的电容，而是带有电阻、电感等成分的小电路。其中ESL是由电容器件引脚电感和电容器件两级间等效电感串联而成，主要取决于器件的封装；ESR是由电容器件的引脚电阻和电容器件两极间等效电阻构成，主要取决于电容的工作温度、工作频率、以及电容本身的导线电阻等；Rleak是电容本身特有的泄漏特性。可以认为电容器件的特性同时取决于电容分量、ESL分量、ESR分量、电容本身泄露特性。具体如下图所示：

三、实际应用中的电容选型方法

（1）电容选型的关键参数

Size ：厂家制定的尺寸编号；

Tolerance：公差，电容容值的公差；

Rated Voltage：额定电压，器件最高工作电压不能超过该值；

Capacitance Value：电容容值；

ESR：内部串行电阻的最大值，该值会随着工作频率改变而变化，因此需要根据实际应用的频带范围取值。实际电容手册中一般会给出ESR频率特性曲线，如下所示：

DF值：电容损耗因数dissipation factor(DF)，有时也叫D值，一般用损耗角正切tanδ表示，等于有功功率/无功功率

Q值：电容品质因数，Q值用来表示高频领域电容器性能的指标。而D = tanδ=1/Q 则 Q = 1/D ，Q值与D值之间互为倒数关系。Q值愈大 , 表示该电容组成的电路或网络的选择性愈佳；Q值越高，损耗越小，效率越高；Q值越高，谐振器的频率稳定度就越高，就能够更准确。反而言之，就要求高频领域所使用电容的D值要小。Q值与ESR之间计算公式如下所示：

$Q=1/\omega C/Esr$

由上公式得出，ESR越小，品质因数越高，选取电容时一般选取Esr较小的电容。

（2）实际应用中的电容选型变化

1、LDO应用电路中：

有些LDO应用中对电容ESR有要求，可能要求电容ESR较大，当LDO电源的负载电流发生瞬时变化时，利用ESR能立即产生电压波动，从而引起LDO电源反馈电路的动作，以便LDO电源针对负载变化做出快速调整。所以电容ESR值也不是绝对要选择最小的。

2、根据噪声频率选择合适的电容：

电路设计中需要考虑高频和低频两种噪声，针对这两种噪声，应该选取不同的滤波电容，一般情况下根据经验，低频噪声选用容值大的电容，高频噪声选用电容值小的电容，我们针对这点进行更深入的理解。首先了解几个公式：

电路中的容抗： $Zc=\frac{1}{jwc}=-j/(wc)$ 电路中的感抗： $ZL=jwL$

电路中总的阻抗： $Z=Esr+jwL-\frac{j}{wc}$ 串联谐振公式： $f=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$

由上公式得，电容器件随着频率的的升高其阻抗逐渐降低；ESL分量则随着频率的升高而逐渐增加，这两种作用是相反的。在电容分量和ESL分量的共同作用下，其阻抗整体表现为，随着频率的升高首先电容分量起主导作用，使阻抗逐渐减小，器件表现为电容的阻抗特性，滤波效果逐渐增强；当频率达到某一点处发生串联谐振，此时阻抗最小Z=Esr；此后随着频率的升高，ESL分量起主导作用，阻抗逐渐增大，器件表现为电感的阻抗特性，滤波效果渐弱。

滤波电容的作用机制是为噪声提供了一条低阻抗回路，在噪声频率点上，要求滤波电容的阻抗较小，当噪声频率落在谐振点附近的时候，滤波效果最好。电路设计中，噪声干扰往往不是在一个频率点上，而是占据一个频带，在实际工作中往往利用多种不同的电容构造一个比较宽的低阻抗频带，来覆盖产生的噪声带。

相同封装电容值不同的电容并联后不能达到展低阻抗频带的目的，因为相同封装的ESL基本没有变化，大容值的电容会包含小容值电容的阻抗曲线，尽量选择封装不同的电容进行滤波；如果封装相同的电容放了多个，相当于阻抗并联使用，达到在谐振点减小阻抗目的。

3、电容的选型种类介绍

电路设计中常用的电容有陶瓷电容、钽电容、铝电解电容、OSCON电容，在这四种电容中只有陶瓷电容没有极性，其余三种都属于极性电容。

（1）陶瓷电容应用

陶瓷电容是以陶瓷为介质，在陶瓷的两面喷涂金属作为极板构成，平常用的由X7R、X5R、Y5V等，陶瓷电容符号含义如下图所示：

在电路设计中，常用的陶瓷电容由X5R、X7R、NPO、Y5V等，NPO是温度补偿型陶瓷电容，是电容量最稳定的一种陶瓷电容，工作范围在-55℃-125℃，可以认为在这个温度下，电容量基本保持不变。

注意电容的容值一般会受环境温度，电容两端电压影响，当上述两个条件改变时，电容的容值可能发生很大变化，一般建议电容采用降额使用，一般X5R、X7R应至少降额20%使用，Y5V不建议在环境变化特别剧烈的情况下使用。由于陶瓷电容的容量一般较小，在电源电路中一般需要搭配钽电容、电解电容或者OSCON等类型电容。

（1）钽电容应用

钽电容具有温度特性好、ESL值小、高频滤波性能好、体积小、容值大等特性。因此钽电容一般用在大容量电容滤波场合，如向CPU供电。

钽电容缺点也非常明显，他的耐压以及耐电流能力较弱，一般要求钽电容的工作电压需要间隔至少50%以上。有些场合甚至需要降额到70%，如：

（1）负载有感性负载，防止感性负载切断时产生感应电流；

（2）串联电阻较小；

（3）瞬变电流较大；

上述应用场景都会产生较大的瞬变电流，对钽电容冲击特别大，容易造成钽电容金属介质击穿。而且钽电容被击穿后他不一定会永久失效，钽电容本身有较强的自愈能力，所以会导致测试板一会好用一会不好用，而且很难发现原因，钽电容一定要降额使用，而且在有热插拔或者大的电源滤波电路中尽量少用。