聊聊常见的薄膜材料-TiW

钛钨（TiW）是一种在许多半导体工艺中得到广泛应用的关键材料。由于其独特的物理和化学性质，TiW为各种复杂工艺提供了可靠的性能。钛钨的物理和化学特性如何？在半导体制程中的有何应用？

什么是TiW？
TiW，也就是钛钨合金，是一种在半导体工艺中广泛应用的镀膜材料。它是由钛（Ti）和钨（W）按照特定的比例混合而成的合金。常见的比例有10/90、30/70。 根据合金中钛和钨的比例不同，可能会有不同的性质。以下是一些一般性的性质： 物理性质：

1. 密度：TiW的密度在10-19 g/cm³范围内，具体值取决于钛和钨的比例。
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3. 熔点：TiW的熔点通常在3000°C以上，取决于合金的具体成分。
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5. 热导率：一般在15-50 W/m·K范围内。
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7. 硬度：一般来说，随着钨的含量增加，TiW合金的硬度也会提高。这是因为钨是一种非常硬的元素，其硬度远超过钛。
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化学性质：

1. 稳定性：TiW具有良好的化学稳定性，不易与氧、氮等反应。
   
2. 耐腐蚀性：TiW在大多数环境下表现出优秀的耐腐蚀性，可以抵抗许多酸和碱的腐蚀。这主要因为于钛和钨各自的耐腐蚀性,在空气中，钛能够迅速形成一层稳定的氧化膜，这层膜可以保护材料内部免受腐蚀。即使在氯化物环境中，钛也具有很高的耐腐蚀性。同时，钛对大多数酸和碱的腐蚀也相当稳定。钛钨结合后，耐腐蚀性大大提升。
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TiW材料在镀膜中的应用 1，做黏附层：TiW合金对许多常见的基底材料，如硅、氧化硅等，具有很强的黏附力。这使得在其上可以成功地沉积其他薄膜，而不会产生剥离或开裂。这些属性使得TiW合金成为黏附层的理想选择，特别是在需要高温处理的微电子制程中。

2，做扩散阻挡层：钛钨合金常常被用作扩散阻挡层。扩散阻挡层的主要任务是防止不同材料之间的原子互相扩散。如果没有有效的扩散阻挡层，上层薄膜材料的原子可能会扩散到下层基底材料中，反之亦然。这种原子的扩散可能会导致芯片性能下降，因为它可能改变上下薄膜的电学性质。TiW做阻挡层是由于在制程中，经常需要进行高温处理。TiW合金的热稳定性好，可以防止在高温下发生扩散。

TiW薄膜与Ti薄膜的比较？
在半导体制程中，钛（Ti）和钛钨（TiW）都是非常常见的材料，但应用不同，相互之间有异性也有共性。 钛（Ti）在氧化硅和氮化硅等材料上有良好的附着力，因此经常被用作黏合层。但是，如果需要更强的附着力或是在金属界面上的附着力，钛钨（TiW）是更好的选择。 钛（Ti）的扩散阻隔性能较弱，特别是在高温下容易发生扩散现象。钛钨（TiW）在这方面的性能更好。

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