MOS管驱动原理

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二、MOSFET关键参数

2.1.开关时间

在考虑MOSFET的开关性能时，需要区分理论开关时间和实际开关时间。理论上，开关时间可以短至50ps至200ps，但由于电路寄生元件的存在，实际开关时间通常在10ns至60ns之间。此外，周期时间是指MOSFET完成一次从完全关闭到完全打开再回到关闭的完整循环所需的总时间，它包括了两倍的开关时间以及电平状态转换后达到稳定所需的额外时间，这通常是开关时间的5倍或10倍。

2.2.栅极网状电阻 RG,I：

MOSFET内部的栅极信号分配电阻对器件性能，尤其是在高速开关应用中，起着至关重要的作用。这些电阻影响着MOSFET的开关速度和对电压变化率（dv/dt）的抗扰性。

2.3.栅极阀值电压 VTH：

• 定义在特定条件下，不等于栅极开关波形的米勒平坦区域电压。
• 温度系数约为 7 mV/°C，对逻辑电平 MOSFET 设计的栅极驱动电路尤为重要。

2.4.跨导 gfs：

• MOSFET 在线性区域中的小信号增益。
• 与漏极电流和栅源电压有关。

2.5.源极电感 (LS) 和漏极电感 (LD)：

• 影响开关性能的重要参数，取决于晶体管的封装类型。

2.6.外部串联栅极电阻和 MOSFET 驱动器输出阻抗：

• 在高性能栅极驱动设计中起决定性作用，影响开关速度和损耗。

2.7.电容值的计算：

MOSFET的CGS电容由栅极和源极区域的重叠形成，其值由几何结构决定，并在不同工作条件下保持恒定。$C_{GD}$电容由耗尽区域的电容和JFET区域与栅极电极的重叠形成，它是非线性的，并且是漏源电压的函数。$C_{DS}$电容则是体二极管的结电容，同样也是非线性的。
在MOSFET的数据表中，电容值通常不会直接给出，而是通过$C_{ISS}$、$C_{RSS}$和$C_{OSS}$这些参数间接提供，它们分别代表了输入电容、反向传输电容和输出电容。这些参数需要通过特定的公式计算得出实际的$C_{GS}$、$C_{GD}$和$C_{DS}$电容值。

$C_{GS}$电容，即栅极到源极电容，是一个固定值，不会随电压变化；而$C_{GD}$和$C_{DS}$电容，即栅极到漏极和漏极到源极电容，则会随着电压的不同而变化，它们在零电压时达到最大值，并随着电压的升高而迅速减小。
以IRFP450器件为例，其$V_{DS}$驱动电压为25V时，对应的$C_{GS}$、$C_{DS}$、$C_{GD}$的值如下：

当其$V_{DS}$从25V调整到了380V时，$C_{GS}$保持不变，而$C_{DS}$、$C_{GD}$应该根据应按下式进行评估计算

根据上式进行计算，可得$C_{GS}$、$C_{DS}$、$C_{GD}$

2.8.阈值电压和米勒平台电压计算

如A2图所示，MOSFET的开关特性受到实际栅极阈值电压和米勒平台电压的影响。为了计算米勒平台电压，我们可以使用数据表中提供的MOSFET源极到栅极的阈值电压（VTH）和跨导（gfs）。

需要注意的是，阈值电压的定义并不十分明确，且数据表中给出的跨导是小信号参数。为了获得更准确的VTH和米勒平台电压，我们可以参考数据表中的典型传输特性曲线。

在同一温度曲线中，选择两个易于读取的数据点，并记录相应的漏极电流和栅源电压。为了提高精度，我们应选择图表上垂直网格线对应的漏极电流值，这样可以准确读取电流。然后，沿着交点水平移动并读取栅源电压。由于栅源电压在直角坐标系上是线性的，而在对数坐标系上的漏极电流则不是，因此以漏极电流为起点可以获得更高的精度。在直角坐标系上更容易估计Vgs1和Vgs2，因此潜在的误差会更小。
以150℃的曲线为例,读出坐标信息如下：

阈值和米勒平地电压可以计算为：