学模拟电路的人一定对三极管不陌生，他是流控器件也是少子器件，其电流导通能力很强，可以用作逻辑控制、放大等。然而现今BJT在集成电路领域中逐渐被CMOS器件替代，原因是CMOS比其面积更小，效率更高，驱动能力更强，BJT器件逐渐淡出历史舞台，但是芯片中的寄生BJT却是无处不在，在正常情况下我们用的是CMOS器件，但是从微观来看，芯片衬底与各个层会出现大量的寄生BJT结构，有时是我们希望得到的比如ESD的导通BJT，有时候确实我们不想发生的，如latch up现象。因此，去理解BJT内部的细节可以帮助我们理解芯片中发生的很多非理想情况。
下图显示了NPN—BJT中的各种粒子流成分，我们定义这些成分并考虑由它们运动所产生的的电流，虽然看起来有很多的粒子流成分，但我们可以将各种因素与其中的少子分布联系起来，从而使整个事件变得清晰明了。
JnE是从发射区注入基区中的电子流。随着电子扩散过基区，一部分将同空穴复合。因复合而失去的多子空穴由基极补充。这部分补充的空穴流记为JRB。到达集电区的电子流是JnC。从基区注入发射区的多子空穴导致产生一股空穴流JPE。注入的正偏BE结的电子和空穴的一部分会在空间电荷区复合，复合导致电子流JR产生。反偏BC结中存在电子和空穴的产生，这种产生导致一股空穴流JG。最后，BC结的反向饱和电流记为空穴流JPC0。
我们关心的是电流从发射极到集电极的数量变化，下式为发射极到集电极的效率公式：
其中为发射极注入效率系数，
为基区输运系数，
为复合系数，它们的具体表达式如下：
这些公式可以通过上述原理推到而出，很直观但是还是不细节，通过将少子分布函数代入我们可以得到更加微观的数学表达式：
其中pE0为发射区中的热平衡少子空穴浓度。nB0为基区中的热平衡少子电子浓度，DE为发射区少子扩散系数，DB为基区少子扩散系数，LB为基区少子扩散长度，LE为发射区少子扩散长度，Js0为反向饱和电流密度，Jr0为BE结反偏饱和电流密度。
我们可以通过工艺厂的参数计算出各个指标。我们也可以简单的定性分析确定问题所在，如芯片发生异常Latch up现象，通过基本的发射极到集电极效率公式我们可以知道，寄生BJT开启与注入效率，输运系数，复合系数相关，如果我们不期望他发生，那么我们可以减少发射极注入效率，也就是减少寄生NPN中N区域的掺杂。我们可以减少基区输运系数与增大复合系数，因此我们可以将基区做的非常宽，这样既增加了电子的输运距离，同时增加了电子空穴对的复合，这样整体的电流就会变得很小（增加复合系数还可以加入陷阱电荷guardring），以至于这个寄生NPN就不会导通也就不会发生latch up现象了。
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