中科亿海微RAM使用

小五头

已于 2023-08-12 18:40:11 修改

阅读量655

点赞数

文章标签： fpga开发

于 2023-08-12 18:39:31 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_46062412/article/details/132251786

版权

引言

FPGA（Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）是一种可编程逻辑设备，能够根据特定应用的需求进行配置和重新编程。在FPGA中，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）是一种重要的组件，用于存储和读取数据。RAM的背景可以追溯到计算机体系结构和存储技术的发展。RAM是一种易失性存储器，意味着当电源关闭时，存储在其中的数据将丢失。然而，它具有快速的读写速度和随机访问能力，使其成为处理器和计算系统中重要的组成部分。

在FPGA中，RAM被用于实现数据存储、缓存和中间结果的存储等功能。它可以作为数据缓冲区，存储输入、输出和中间数据，以提高系统性能。RAM还可以用于存储程序指令，支持动态指令修改和灵活的指令执行。FPGA中的RAM通常以块RAM（Block RAM）或分布式RAM（Distributed RAM）的形式存在。块RAM是专用的存储区域，具有较大的容量和更高的性能，适用于大规模数据存储和处理。分布式RAM则是通过利用FPGA内部的逻辑资源来实现的，适用于小规模的数据存储和临时变量。随着FPGA技术的不断发展，RAM的容量和性能也在不断提升。现代FPGA中的RAM模块可以提供更大的存储容量、更快的访问速度和更高的并行性能，为各种应用提供了更强大的数据存储和处理能力。

技术原理

静态RAM（SRAM）：静态RAM使用触发器电路（通常是双稳态触发器）来存储每个位的数据。每个位都由一个存储器单元和相关的访问线组成。SRAM的技术原理如下：
- 存储单元：每个存储单元由一个双稳态触发器构成，其中包含一个电容和至少六个晶体管。这些晶体管构成了一个存储电荷的闭环，保持数据的稳定性；
- 读操作：当读取数据时，访问线通过传输门与存储单元连接。如果访问线上的电平为高（1），则存储单元中的电荷通过传输门传递到读取线上，表示数据位为1。如果访问线上的电平为低（0），则存储单元中的电荷不发生变化，表示数据位为0；
- 写操作：当写入数据时，访问线上的电平控制传输门的开关。如果写入线上的电平为高（1），则数据位被设置为1，电荷通过传输门传递到存储单元。如果写入线上的电平为低（0），则数据位被设置为0，存储单元中的电荷被清空。
动态RAM（DRAM）：动态RAM使用电容器来存储每个位的数据，因此需要定期刷新以保持数据的稳定性。DRAM的技术原理如下：
- 存储单元：每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。电容器充电或放电来表示数据位的状态；
- 读操作：当读取数据时，访问线通过访问晶体管与存储单元的电容连接。电容器的充放电状态决定了数据位的状态。读取操作会导致电容器的放电，因此需要在读操作之后进行刷新；
- 写操作：当写入数据时，访问线上的电平控制访问晶体管的开关。如果写入线上的电平为高，则电容器充电，表示数据位为1。如果写入线上的电平为低，则电容器放电，表示数据位为0。

实现步骤

①以下是一个使用Verilog语言编写的RAM软核的示例：

module RAM_SOFT_CORE (
  input wire [7:0] address,
  input wire [7:0] data_in,
  input wire write_enable,
  input wire read_enable,
  output wire [7:0] data_out
);

  reg [7:0] memory [0:255];

  always @(posedge clk) begin
    if(write_enable) begin
      memory[address] <= data_in;
    end
    else if(read_enable) begin
      data_out <= memory[address];
    end
  end

endmodule

在这个示例中，RAM_SOFT_CORE模块接收了一个8位的地址(address)、一个8位的输入数据(data_in)、一个写使能信号(write_enable)、一个读使能信号(read_enable)，并输出一个8位的数据(data_out)。该模块内部包含一个具有256个8位存储单元的内存数组(memory)。

在时钟上升沿触发的always块中，根据写使能信号和读使能信号的状态，进行相应的操作。当写使能信号为高时，将输入数据写入到指定地址的内存单元中。当读使能信号为高时，将指定地址的内存单元中的数据输出。

②使用中科亿海微eLinx工具进行开发：

module RAM_Test();
  reg clock;
  reg [7:0] address;
  reg [7:0] data_in;
  reg write_enable;
  wire [7:0] data_out;


    m4k_1 u_RAM (
	.clock(clock),
    .address(address),
    .data(data_in),
    .wren(write_enable),
    .q(data_out)
  );
  
  initial clock = 0;
  always #10 clock = ~clock;
  initial begin
    // 初始化RAM中的数据
    for (address = 0; address < 256; address = address + 1) begin
      data_in = address; // 将地址作为数据写入RAM
      write_enable = 1; // 设置写使能信号为高
      #1; // 等待一个时钟周期
      write_enable = 0; // 设置写使能信号为低
      #1; // 等待一个时钟周期
    end

    // 读取RAM中的数据
    for (address = 0; address < 256; address = address + 1) begin
      #1; // 等待一个时钟周期
      $display("Address: %d, Data: %d", address, data_out); // 打印读取到的数据
      #1; // 等待一个时钟周期
    end
    $finish; // 结束仿真
  end


endmodule

实验结果

应用场景

数据存储：FPGA 中的 RAM 可用于存储数据，包括配置数据、算法数据、图像数据等。通过将数据存储在 RAM 中，可以实现快速的读写操作，提高系统性能。
缓存：RAM 可用作缓存存储器，用于临时存储频繁访问的数据。通过使用 RAM 缓存数据，可以减少对外部存储器的访问次数，提高系统响应速度。
图像处理：FPGA 中的 RAM 可用于存储图像数据，包括图像帧缓冲区、图像滤波器系数等。通过使用 RAM 存储图像数据，可以实现高速的图像处理和实时视频处理。
数据交换：RAM 可用于在不同模块之间交换数据。例如，多个处理模块可以通过共享一个 RAM 存储区域来传递数据，实现数据的共享和交互。
存储器控制器：FPGA 中的 RAM 可以用于实现存储器控制器，包括读写控制、地址解码、数据缓冲等功能。通过编写相应的控制逻辑，可以实现对 RAM 存储器的灵活控制和管理。
FIFO 缓冲器：RAM 可以用作 FIFO（先进先出）缓冲器，用于数据的临时存储和流控制。FPGA 中的 RAM 可以提供高速的读写操作，适用于数据流处理和通信应用。

总结

内存资源：FPGA中的RAM是有限的资源，因此需要根据实际需求合理规划和分配内存资源。考虑到性能和资源占用方面的平衡，需要确定所需的RAM容量和数量，并确保不会超出FPGA的可用资源。时序约束：RAM读写操作需要满足一定的时序要求，包括读写时钟速度、地址稳定时间、数据保持时间等。在设计时，需要根据所选RAM的规格和FPGA的限制，设置适当的时序约束以确保数据的正确读写。存储器控制器设计：在FPGA中使用RAM时，通常需要设计相应的存储器控制器来管理读写操作。存储器控制器应该能够有效地处理读写请求，并确保正确的时序和数据一致性。内存访问冲突：当多个模块同时访问同一个RAM时，可能会出现内存访问冲突的问题。为了避免冲突，需要合理规划内存访问的时序或者引入合适的同步机制，例如互斥锁或流水线等。数据一致性：在多模块或多时钟域的系统中，由于FPGA中的RAM是异步存储器，需要特别注意数据一致性的问题。确保在不同模块之间进行数据交换时，采用合适的同步策略和数据验证机制，以避免数据错误或不一致的情况发生。信号布线：在FPGA中使用RAM时，需要合理布局和布线RAM的输入输出信号。根据设计需求，将RAM模块和相关信号放置在合适的位置，以最小化信号传输延迟和功耗。

参考文献

"Computer Organization and Design: The Hardware/Software Interface" by David A. Patterson and John L. Hennessy - 这本书是计算机组织与设计的经典教材，其中包含了关于RAM的基本概念、结构和操作。
"Memory Systems: Cache, DRAM, Disk" by Bruce Jacob, Spencer Ng, and David Wang - 这本书深入介绍了存储系统的各个层次，包括RAM的组织、层次结构、性能和优化。
"High-Speed Digital Design: A Handbook of Black Magic" by Howard W. Johnson and Martin Graham - 这本书讲解了在高速数字设计中遇到的各种挑战，其中包括关于RAM接口和时序设计的内容。
"RAM Design and Application" by Ashok Bindra - 这本书重点介绍了RAM的设计和应用，包括静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）的原理、布局和性能优化。