【9】RAM

RAM

（1）单端口RAM

设计一个单端口RAM，它有： 写接口，读接口，地址接口，时钟接口和复位；存储宽度是4位，深度128。
注意rst为低电平复位

输入描述：
输入信号 enb, clk, rst addr w_data
类型 wire
在testbench中，clk为周期5ns的时钟，rst为低电平复位
输出描述：
输出信号 r_data
类型 wire

verilog代码

仿真结果

（2）双端口RAM

实现一个深度为8，位宽为4bit的双端口RAM，数据全部初始化为0000。具有两组端口，分别用于读数据和写数据，读写操作可以同时进行。当读数据指示信号read_en有效时，通过读地址信号read_addr读取相应位置的数据read_data，并输出；当写数据指示信号write_en有效时，通过写地址信号write_addr 和写数据write-data，向对应位置写入相应的数据。

输入描述：
clk：系统时钟信号
rst_n：异步复位信号，低电平有效
read_en,write_en：单比特信号，读/写使能信号，表示进行读/写操作
read_addr,write_addr：8比特位宽的信号，表示读/写操作对应的地址
write_data：4比特位宽的信号，在执行写操作时写入RAM的数据
输出描述：
read_data：4比特位宽的信号，在执行读操作时从RAM中读出的数据

verilog代码

仿真结果