器件学习——MOS管（2024.01.04）

参考链接1: 全面认识MOS管，一篇文章就够了
参考链接2: MOS管基本认识（快速入门）)
参考链接3: MOS管参数详解
参考链接4: 米勒电容和米勒效应

  在此感谢各位前辈大佬的总结，写这个只是为了记录学习大佬资料的过程，内容基本都是搬运的大佬博客，觉着有用自己搞过来自己记一下，如果有大佬觉着我搬过来不好，联系我删。

MOS管主要参数

  1.1、简介

  MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
  一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
  记住 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。
  PNP与NPN两种三极管各引脚的表示：

  记不住上面图对应的引脚时候可以记下面图：
    G极(gate)—栅极，不用说比较好认
    S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
    D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

  1.2、MOS分类

  按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型） 和 NMOS（N沟道型）管。
  按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：
    增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零；
    耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。
  两两搭配可以有2^2=4种组合：增强型 PMOS，增强型 NMOS，耗尽型 PMOS，耗尽型 NMOS。

  在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。
结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。

  下图列出了四种MOS管的比较：

  1.3、MOS的功能

  1>信号切换
  2>电压通断

  1.4、MOS在电路中的应用

  关键点:
    ①确定哪一极（S？D？）连接输入端，哪一极（D？S？）连接输出端；
    ②控制极电平为？V 时MOS管导通；
    ③控制极电平为？V 时MOS管截止；

  NMOS接法说明：D极接输入，S极接输出
  PMOS接法说明：S极接输入，D极接输出

  1.5、MOS导通条件

  N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
  P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

  1.6、MOS重要参数

  以TWGMC(台湾迪嘉)的AO3401为例（P沟道）：

  如下图，在其数据手册上有如下重要参数：





  VDS：击穿电压。 D、S两端最大能承载的电压差，加在MOS上的工作电压必须小于 V（BR）DSS超过此值，否则MOS会击穿！！！！！！！；
  VGS：最大栅源电压。 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压；
  ID：最大漏源（导通）电流。 是指场效应管正常工作时，D、S间所允许通过的最大电流；
  VGS（th）：开启电压。 此参数一般会随结温度的上升而有所降低。G、S两端电压超过此值，MOS导通；
  RDS（on）：漏源电阻。 MOS导通时DS之间的内阻，此值越大损失在MOS上的能量越多，MOS越容易发热；
  gfs：跨导。 过小会导致 MOS 管关断速度降低，过大会导致关断速度过快， EMI特性差，同时伴随关断时漏D、源S会产生更大的关断电压尖峰；
  寄生电容：
    Ciss：输入电容。
    Coss：输出电容。
    Crss：反向传输电容（米勒电容）。

    这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒 电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。
    米勒效应会严重增加MOS的开通损耗，因为它延长了MOS的开通时间，同时会降低MOS的开关速度。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免，只有采用适当的方法减缓。
    一般有四种方法：①选择合适的门极驱动电阻RG；②在G和S之间增加电容；③采用负压驱动；④门极有源钳位；

  1.7、MOS应用说明

    1.7.1、在MOS管GS并联电阻

  GS端电阻阻值选择：建议是一般取5K至数10K左右，太大影响 MOS 管的关断速度。 太小驱动电流会增大，驱动功率增大。但是在有些地方大一点也无所谓，比如电源防反接等不需要频繁开关的场合（下面示例图）。

其中 R1，就是我们现在说的GS间的并联电阻，上文说到过，电阻的作用是用来释放寄生电容的电流。

  总结一下GS并联电阻的作用：1、起到防ESD静电的作用，避免处在一个高阻态。这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免MOS管误动作，从而 损坏MOS管的栅GS极；2、提供固定偏置，在前级电路开路时，这个的电阻可以保证MOS有效的关断（理由：G极开路，当电压加在DS端时候，会对Cgd充电，导致G极电压升高，不能有效关断）

    1.7.2、在MOS管G级串联电阻

  G级电阻阻值选择：一般不建议太大，网上建议百欧以内，会减缓MOS管的开启与通断时间，增加损耗，但是在有些地方大一点也无所谓，比如电源防反接等不需要频繁开关的场合（下面示例图）。

  串联电阻还是因为寄生电容！在G级串联一个电阻，与 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs）形成一个RC充放电电路，可以减小瞬间电流值，不至于损毁MOS管的驱动芯片。
  抑制振荡：MOS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。串联一个电阻，可以减小振荡电路的Q值，是振荡快速衰减，不至于引起电路故障。