参考链接1: 全面认识MOS管,一篇文章就够了
参考链接2: MOS管基本认识(快速入门))
参考链接3: MOS管参数详解
参考链接4: 米勒电容和米勒效应
在此感谢各位前辈大佬的总结,写这个只是为了记录学习大佬资料的过程,内容基本都是搬运的大佬博客,觉着有用自己搞过来自己记一下,如果有大佬觉着我搬过来不好,联系我删。
器件学习——MOS管(2024.01.04)
MOS管主要参数
1.1、简介
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
记住 MOS管有 三个引脚名称:G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。
PNP与NPN两种三极管各引脚的表示:
记不住上面图对应的引脚时候可以记下面图:
G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边
1.2、MOS分类
按沟道分类,场效应管分为PMOS管(P沟道型) 和 NMOS(N沟道型)管。
按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:
增强型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零;
耗尽型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。
两两搭配可以有2^2=4种组合:增强型 PMOS,增强型 NMOS,耗尽型 PMOS,耗尽型 NMOS。
在实际应用中,以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。
结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问题。
下图列出了四种MOS管的比较:
1.3、MOS的功能
1>信号切换
2>电压通断
1.4、MOS在电路中的应用
关键点:
①确定哪一极(S?D?)连接输入端,哪一极(D?S?)连接输出端;
②控制极电平为?V 时MOS管导通;
③控制极电平为?V 时MOS管截止;
NMOS接法说明:D极接输入,S极接输出
PMOS接法说明:S极接输入,D极接输出
1.5、MOS导通条件
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|
1.6、MOS重要参数
以TWGMC(台湾迪嘉)的AO3401为例(P沟道):
如下图,在其数据手册上有如下重要参数:
VDS:击穿电压。 D、S两端最大能承载的电压差,加在MOS上的工作电压必须小于 V(BR)DSS超过此值,否则MOS会击穿!!!!!!!;
VGS:最大栅源电压。 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压;
ID:最大漏源(导通)电流。 是指场效应管正常工作时,D、S间所允许通过的最大电流;
VGS(th):开启电压。 此参数一般会随结温度的上升而有所降低。G、S两端电压超过此值,MOS导通;
RDS(on):漏源电阻。 MOS导通时DS之间的内阻,此值越大损失在MOS上的能量越多,MOS越容易发热;
gfs:跨导。 过小会导致 MOS 管关断速度降低,过大会导致关断速度过快, EMI特性差,同时伴随关断时漏D、源S会产生更大的关断电压尖峰;
寄生电容:
Ciss:输入电容。
Coss:输出电容。
Crss:反向传输电容(米勒电容)。
这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们并不是独立的,而是相互影响,其中一个关键电容就是米勒 电容Cgd。这个电容不是恒定的,它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化,同时会影响栅极和源极电容的充电。
米勒效应会严重增加MOS的开通损耗,因为它延长了MOS的开通时间,同时会降低MOS的开关速度。但因为MOS管的制造工艺,一定会产生Cgd,也就是米勒电容一定会存在,所以米勒效应不能避免,只有采用适当的方法减缓。
一般有四种方法:①选择合适的门极驱动电阻RG;②在G和S之间增加电容;③采用负压驱动;④门极有源钳位;
1.7、MOS应用说明
1.7.1、在MOS管GS并联电阻
GS端电阻阻值选择:建议是一般取5K至数10K左右,太大影响 MOS 管的关断速度。 太小驱动电流会增大,驱动功率增大。但是在有些地方大一点也无所谓,比如电源防反接等不需要频繁开关的场合(下面示例图)。
其中 R1,就是我们现在说的GS间的并联电阻,上文说到过,电阻的作用是用来释放寄生电容的电流。
总结一下GS并联电阻的作用:1、起到防ESD静电的作用,避免处在一个高阻态。这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻,避免MOS管误动作,从而 损坏MOS管的栅GS极;2、提供固定偏置,在前级电路开路时,这个的电阻可以保证MOS有效的关断(理由:G极开路,当电压加在DS端时候,会对Cgd充电,导致G极电压升高,不能有效关断)
1.7.2、在MOS管G级串联电阻
G级电阻阻值选择:一般不建议太大,网上建议百欧以内,会减缓MOS管的开启与通断时间,增加损耗,但是在有些地方大一点也无所谓,比如电源防反接等不需要频繁开关的场合(下面示例图)。
串联电阻还是因为寄生电容!在G级串联一个电阻,与 Ciss(Ciss = Cgd+Cgs)形成一个RC充放电电路,可以减小瞬间电流值,不至于损毁MOS管的驱动芯片。
抑制振荡:MOS管接入电路,也会有引线产生的寄生电感的存在,与寄生电容一起,形成LC振荡电路。对于开关方波波形,是有很多频率成分存在的,那么很可能与谐振频率相同或者相近,形成串联谐振电路。串联一个电阻,可以减小振荡电路的Q值,是振荡快速衰减,不至于引起电路故障。