关于MOS管GS之间并接电阻的作用分析

在这里插入图片描述
在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?

在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验:

找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了.

为什么mos管在没有加驱动信号的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通.

所以在驱动电路没有工作,而且没有放电回路的时候,mos管很容易被击穿.假如采用变压器驱动,变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通

总结

1.防静电损坏MOS(看到个理由是这么说的:由于结电容比较小根据公式U=Q/C,所以较小的Q也会导致较大的电压,导致mos管坏掉)

2.提供固定偏置,在前级电路开路时,这个较小的电阻可以保证MOS有效的关断(理由:G极开路,当电压加在DS端时候,会对Cgd充电,导致G极电压升高,不能有效关断)

3.下面还有就是对电阻大小的解释,如果太小了,驱动电流就会大,驱动功率增加;如果太大,MOS的关断时间会增大;

在这里插入图片描述

### MOS管栅源极之间电阻作用MOS管的栅源极间入下拉电阻可以有效防止寄生效应的发生,确保电路稳定运行。当MOSFET处于关闭状态时,如果没有适当的措施,浮动的栅极端可能会因为感应电压而意外开启晶体管[^2]。 具体来说: - **提高抗干扰能力**:通过提供一条直流路径到地,使得任何可能存在的噪声或杂散电荷能够迅速释放,从而减少误触发的风险。 - **设定初始条件**:保证上电瞬间或者逻辑控制信号到来之前,栅极保持在一个已知的状态(通常是低电平),有助于实现更可靠的开关操作。 - **保护输入端口**:对于某些敏感的应用场合,适当大小的串联电阻还可以限制流入栅极的最大电流,避免因静电或其他原因造成的损害。 ### 实现方法 为了有效地发挥上述功能,在实际设计过程中应当注意以下几个方面: #### 选择合适的阻值 根据应用场景的不同,所需的具体数值也会有所差异。一般来说,几百欧姆至几千欧姆范围内的电阻是比较常见的选择。如果是为了增强系统的鲁棒性和稳定性,则可以选择较大一些的电阻;而对于高频工作的场景,则需考虑较小的电阻以降低时间常数的影响。 #### 正确连位置 通常情况下,该电阻会被放置于栅极与源极之间,即直在这两个引脚之上。这样做不仅简单易行,而且效果显著。另外,在某些特殊的设计里也可能将此电阻置于外部控制器输出与MOSFET栅极之间的线路上作为限流元件使用。 ```c++ // 示例代码展示如何配置GPIO引脚来驱动带有栅源极下拉电阻的N沟道MOSFET void setup() { pinMode(MOS_GATE_PIN, OUTPUT); // 设置用于控制MOSFET栅极的IO引脚模式 } void loop() { digitalWrite(MOS_GATE_PIN, HIGH); // 开启MOSFET delay(1000); digitalWrite(MOS_GATE_PIN, LOW); // 关闭MOSFET } ```
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值