微机原理——存储器系统（二）

目录

半导体存储器性能指标

存储器系统设计

译码器

译码方法

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存储器系统（一）

（一）EPROM

（1）用于紫外线透过擦除原有信息

（2）一般使用专门的编程器（烧写器）编程

（3）编程后，应该贴上不透光封条

（4）未编程前，每个基本存储单元都是信息“1”

（5）编程就是将某些单元写入信息“0”

EPROM芯片2764：

存储容量为：8K*8

28个引脚：

        13根地址线A12~A0

        8根数据线D7~D0

        片选杠CE

        编程杠PGM

        读杠OE

        编程电压Vpp

（二）EEPROM

（1）用加电方法，进行在线擦写

（2）无需拔下，直接在电路中擦除和编程一次完成

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半导体存储器性能指标

（一）存储容量

（1）指存储器所能存储二进制数的总量，即所含存储元的总数。

（2）存储容量=字数*每字位数

（3）存储容量与芯片的地址、数据线个数有关。

（4）存储容量=        ;M:芯片的地址线条数，N：芯片的数据线条数

（二）存取速度

（1）存储时间（Ta）：指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，又称为读写周期。

（2）存取周期（Tac）：两次存储器访问所允许的最小时间间隔

（三）制造工艺

（四）功耗

（五）可靠性：平均无故障时间

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存储器系统设计

（一）连接方法

CPU的三类系统总线

        数据总线DB：CPU 8位或16位

        地址总线AB：CPU的20位，分为：片内直接连接到存储器芯片和片外地址译码器（2：4 或3：8）

        控制总线CB：读写控制线

（1）位扩充（数据总线DB的扩充）1K*4——1K*8

（2）地址线的连接方法

片内：系统低位地址线与芯片的地址线相连

片外：系统的高位地址总线

                1.进地址译码器2：4或3：8进行片选

                2.或者不使用

                3.或者直接片选

字扩充（地址线AB的扩充）1K*8——2K*8

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译码器

（一）门电路译码

（二）3：8译码器

（三） 2：4译码器

译码方法

（一）全译码

CPU系统所有地址线全使用，包括片内和片选，每个存储单元的地址都是唯一的，不存在重复地址

（二）部分译码

高位地址线只有部分参与译码，部分没用，每个存储单元将对应多个地址（地址重复），系统的部分空间被浪费

（三）线选译码

只用少数几根高地址线进行芯片的译码，构成简单但地址空间严重浪费会出现地址重复，一个存储地址会对应多个存储单元