模电的100个公式

最新推荐文章于 2024-09-12 08:07:34 发布

阿格在努力

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分类专栏：硬件学习文章标签：嵌入式硬件

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1.晶体二极管的伏安特性
2.二极管的钳位电路（τ=RC，放电时间等于5τ）
3.晶体三极管
4.绝缘型FET场效应管（MOS管，4种，P/N沟道，增强型/耗尽型）
5.放大电路

1.晶体二极管的伏安特性

在这里插入图片描述
晶体二极管的主要参数

2.二极管的钳位电路（τ=RC，放电时间等于5τ）

在这里插入图片描述

3.晶体三极管

在这里插入图片描述

输入特性指V（BE）和I（B）的关系，同时与V（CE）也相关
输出特性指V（CE）和I（C）的关系，同时与I（B）也相关

图片这里压降写错了

晶体三极管的主要参数

4.绝缘型FET场效应管（MOS管，4种，P/N沟道，增强型/耗尽型）

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

CMOS和VMOS

在这里插入图片描述

MOS管的特性曲线（转移特性和输出特性）

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

场效应管的主要参数

MOS管的话，肯定也是开关和放大。
开关就是用VGS来控制，当VGS>VT（2V）时打开，而且VDS只要稍微大一点，输出的电流是恒定的，这里不知道VDS的压降应该怎么考虑，是VD一个点，VS一个点，认为是断开的，个算个的吗？
放大就是让VDS是固定的，改变VGS的大小，来增大输出的电流，可视为恒流源。
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

晶体三极管和MOS管的区别

# 在这里插入图片描述

5.放大电路

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

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