等离子体技术【十三】--中频电源

此贴介绍了使用DC电源的问题及现象，包括弧光放电、阳极消失、靶中毒。

　　以上问题均来自于：沉积介质薄膜时，若采用DC反应溅射，阳极表面逐渐被化合物覆盖，使接地电阻越来越高，直到完全被绝缘物覆盖，导致二次电子没有去处，形成“阳极消失”现象。阳极消失现象使辉光放电阻断，放电过程变得越来越不稳定，最后导致频繁的异常辉光放电，这对成膜是非常有害的。

　　从电路的角度来说，绝缘层的形成，相当于对地形成电容，DC电源是无法穿透的，但高频电流是可以穿透导通的。（隔直流通交流）

　　亦即使是说，如果当阴极表面积累了一定的正电荷时，在没有引起弧光放电之前，电源产生一个反向电压，使累积在绝缘层上的正电荷及时被中和，就可抑制上述现象。

　　因此需要确认“弧光放电”所需的时间：再从绝缘膜构成电容的角度计算：

设到地电容为C，电压为V，累积的电量为Q，则有，