Vasp如何给悬挂键添加赝氢饱和

最新推荐文章于 2023-12-22 11:51:33 发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_48675067/article/details/110224058
版权
本文介绍使用VASP进行材料悬挂键电荷计算的方法，包括添加赝氢、优化过程等步骤，并提供详细教程链接。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

1. 找到材料的bulk，做bader charge 仿真，具体教程可以看大师兄的https://www.bigbrosci.com/2011/12/23/A07/

 2.算出悬挂键的电荷，选择赝氢的电荷，遵循2N电子原则。

3.直接在POTCAR中加赝氢或者在MS中加。具体位置说法很多，可以是原来的原子键的一半，也有人说是查下原子和H的键长。

4.直接优化

详细的请看这里https://wenku.baidu.com/view/685a4a016d175f0e7cd184254b35eefdc8d315b9.html

第一次写博文，希望给VASP小白一些帮助

Nature|通过范德华层压实现三维单片集成系统 （半导体器件/集成电路）
感知科学前沿
08-19 1257
二维（2D）半导体由于其表面无悬挂键和能够与各种基底集成而不受传统晶格匹配的约束，展示出在三维单片（monolithic three-dimensional，M3D）集成方面具有巨大潜力。然而，由于原子级的体厚度，2D半导体与微电子学中各种高能工艺不兼容，其中多个2D电路层的M3D集成具有挑战性。在这里，作者提出了一种替代的低温M3D集成方法，通过范德华（van der Waals，vdW）层压整个预制电路层，其中加工温度控制在120°C。通过进一步逐层重复vdW层压工艺，在垂直方向实现了具有10个电路层的
VASP结构优化（1）——分子的优化
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本文转载于微信公众号，VASP学习交流，将会持续更新 分子和团簇的优化 构建大的supercell，在考量计算量的情况下，保证近邻image中最近原子距离>6A （可以认为破坏对称性） 只优化原子坐标，不优化晶格常数：VASP中ISIF=2, K点也是单Gamma点（见KPOINTS详解） 分子H2O的建立POSCAR 1. 从菜单栏选择File —— New，或者直接点击如图中的按钮，在新建文档对话框中选择3D Atomistic，鼠标左击两次,这将打开一个空白的3D视图，相
【ASE+python学习】批量实现将含有空位的结构进行氢饱和(实际就是在某个位置添加氢原子)
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在搬砖过程中，我经常要对大批量的含有空位的结构进行氢饱和处理。如果一个个打开结构，然后进行加氢，我估计要累死，对颈椎及其不友好。而且这种简单且没有技术含量的工作，我想可以用更科学的方式进行实现。
如何区分US、PAW、LDA、GGA、PW91
pptde的博客
11-09 3万+
本文转载自：http://www.52souji.net/2652.html vasp计算中用到的三种赝势：模守恒赝势，超软赝势，PAW赝势(按产生顺序)。 按方法不同分为USPP（ultrasoft pesudopotential，超软赝势）和PAW（projector augmented wave，投影缀加平面波），两种方法都可以相当程度地减少过渡金属或第一行元素的每个原子所必需的平面波数...
MS计算-CASTEP+DMol3模块阐明光催化剂析氢活性提高机理
MS_YangZhanZhang的博客
12-22 1485
图4说明TSAS和TSASe在可见光范围内有着优异的光吸收能力，且平面内吸光能力强于平面外，它们的吸收系数分别可达1.4×105cm−1和1.7×105cm−1，因此在构筑此类光电器件及光催化材料时，应该调控其垂直生长，增大平面内的触光概率。因此，设计一款具有高的载流子迁移能力和光吸收效率的析氢光催化剂尤为重要。首先作者对催化剂的稳定程度进行分析，优化前后晶格常数趋近一致，在AIMD和声子谱测试中，未出现较大的能量波动和明显的虚频，如图2所示，体现出单层的TSAS和TSASe具备优异的稳定能力。
【VASP解读】​PNAS：高盐条件下新型催化剂助力水体自净化
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09-30
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