嵌入式工程师必学（138）：SiC MOSFET和Si IGBT的比较

概述：

Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。SiC MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。

Si IGBT是电流控制器件，由施加到晶体管栅极端子的电流来切换，而MOSFET则由施加到栅极端子的电压进行电压控制。Si IGBT 和 SiC MOSFET 之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET适用于高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。

碳化硅（SiC）包括硅（Si）和碳（C）原子。每个原子被四个不同的原子以正四面体的形式包围。SiC是一种具有最密集四面体排列的化合物半导体。SiC具有许多称为多型体的晶体结构，由于四面体重叠的周期性差异，它们表现出不同的物理性质。与硅相比，SiC具有更宽的能隙，在价带（即充满价电子的能带）和导带（即可以存在电子的空能带）之间不存在电子态（称为带隙）。宽带隙在原子之间提供了强的化学键，因此产生了高的电击穿场。SiC的击穿电场大约是硅的十倍。由于原子键很强，SiC具有更大的晶格振动，因此比硅更容易传导能量。因此，SiC是一种具有良好导热性的半导体材料。SiC的多型体包括六方晶体结构的4H-SiC和6H-SiC以及立方晶体结构的3C-SiC。下表比较了硅和其他半导体材料的物理性能。4H-SiC通常用作半导体材料，因为它比其他多型SiC在电子迁移率、介电击穿强度、饱和速度和其他物理性能