51c嵌入式~电路~合集21

我自己的原文哦~     https://blog.51cto.com/whaosoft/12892826

一、光耦合电路讲解，工作原理+电路案例

主要是关于：光耦合器工作原理、光耦合器类型、光耦合器的工作模式、光耦合器的作用、光耦合器的应用。

1、光耦合器

光耦合器是在两个隔离电路之间传输电信号的电子元件，也就是说将电信号从一个电路传输到另一个电路。（具体的如下图所示。）

光耦合器

光耦合器也称为光隔离器、光耦合器或光隔离器。

通常在电路中，尤其是低电压或高噪声敏感电路中，光耦合器用于隔离电路以防止电气碰撞机会或排除不需要的噪声。

2、光耦耦合器的内部结构

光耦合器的内部结构

上图为光耦合器的内部结构。左侧的 1引脚和 2 引脚外露，是一个 LED。LED向光敏三极管发出红外光在右侧。

光电晶体管是通过其集电极和发射极来切换输出电路，在这一点上与典型的 BJT 晶体管相同。

LED 的强度直接控制光电晶体管，因为两个独立的电路可以由光耦合器控制。

另外，光电晶体管和红外 LED 之间的空间是透明的非导电材料，隔离了两个不同的电路。LED 和光电晶体管之间的中空空间可以使用玻璃、空气或透明塑料制成，电气隔离要高得多，通常为10 kV或更高。

3、光耦合器工作原理

光耦合器由作为 LED 的发射器和作为光敏元件的接收器组成。

当 LED 发出光并且光照射到光电传感器（光电二极管、光电晶体管、PhotoTriac）上时，光电传感器开始流动电流。在这个系统中，输入光与输出端的电流成正比。

光耦合器工作原理

当给 LED 供电时，LED 发光，光线落在光电晶体管的基极上，光落在光电晶体管的基极上后，将被激活，并且可以控制与晶体管相连的输出电路。

这里输入电路只连接光耦的 LED 引脚，输出电路连接光电晶体管，输入和输出电路完全电气隔离。

光耦合器工作原理动图

4、光耦合器的工作模式

1、饱和模式

在饱和模式下，LED 将打开或关闭，因此，输出晶体管完全关闭或完全打开，这意味着导通或非导通模式。

此模式用于需要保护微控制器引脚免受输出电路高压影响的地方。例如，在使用微控制器的电机驱动中，电机需要高电流和高电压。在此模式下，电机将完全开启或关闭。

2、线性模式

在这种模式下，LED 会得到一个变化的信号脉冲。LED 光线通过电压或信号样本来改变或控制，然后光电晶体管还为输出提供可变传导。

用于开关模式电源 (SMPS) 或控制需要在输出端进行错误检测的不同电路。

3、光电二极管与光电晶体管光耦合器

光电二极管光电耦合器在电流和光之间的线性关系上优于光电晶体管光电耦合器。尽管光电晶体管光耦合器可以通过改变进入光电晶体管基极的 LED 光束来传递宽频率的模拟音频信号。当光束到达其基极时，晶体管的输出会发生变化以放大。但在高频处可能会出现一些失真。

尽管光电二极管的输出信号幅度远小于光电晶体管提供的输出，但光电二极管光耦的输入光和输出电流关系在大多数音频和一些数字信号中都很好。

光电二极管与光电晶体管光耦合器

5、光耦合器类型

1、光晶体管光电耦合器

基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。

在上图中，内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以 PNP，也可以是 NPN。

根据输出引脚的可用性，光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中，有一个额外的引脚输出，在内部与晶体管的基极相连。

该引脚 6 用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负极连接。在这种配置中，可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。

此外，在使用基于光电晶体管的光耦合器之前，必须知道晶体管的最大额定值。PC816、PC817、LTV817、K847PH是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。

2、光达林顿晶体管光耦合器

在上图中，有两种类型的符号，显示了基于光达林顿晶体管 的光耦合器的内部结构。

达林顿晶体管是两个晶体管对，其中一个晶体管控制另一个晶体管基极。在这种配置中，达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样，LED 发出红外 LED 并控制对晶体管的基极。

这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。第 6 个引脚在内部连接到晶体管的基极，用于控制晶体管的灵敏度。4N32、4N33、H21B1、H21B2、H21B3是少数基于光达林顿的光耦合器示例。

3、基于 光三端双向晶闸管的光耦合器

基于 光三端双向晶闸管的光耦合器

光管三端双向晶闸主要用于需要基于 AC 的控制或开关的场合。LED 可以使用 DC 控制，三端双向晶闸 用于控制 AC。

在这种情况下，光耦合器也提供了出色的隔离。这是一个双向可控硅应用程序。基于光 三端双向晶闸 的光耦合器示例是IL420、4N35等。

四、基于晶闸管的光耦合器

基于晶闸管的光耦合器

SCR 代表可控硅整流器，SCR也称为晶闸管。

与其他光耦合器一样，LED 发射红外线。可控硅由 LED 的强度控制。基于光电可控硅的光电耦合器，用于交流相关电路。

基于光 SCR 的光耦合器的几个例子是：- MOC3071、IL400、MOC3072等。

6、光耦合器的作用

1、保护高敏感电路免受高压电路

如果你需要使用带有微控制器的命令来驱动高压电机，那么光耦合器将为开关系统提供电机和微控制器输出之间的完全电气隔离连接。

2、防止高压尖峰

光耦合器还用作具有比保险丝更先进的功能的保险丝。在电路中，光耦合器用于使用数字信号或使用非常低的电压来切换系统，但如果出现电压尖峰或出现浪涌电流，则整个输出电路将不受影响，因为光耦合器仅损坏并停止将当前传递到下一部分。

3、使用光耦合器检测交流电源的过零

由于响应时间非常快（纳秒级），光耦合器的开关非常快，它被广泛用于通过整流器检测交流电源的过零，并且通过使用这个数字信号可以找到我们需要的波形变化。

使用光耦合器检测交流电源的过零

4、用于消除信号中的电噪声

7、光耦合器的应用

直流电路中使用的光耦合器很少，交流相关操作中使用的光耦合器也很少。由于光耦不允许两侧直接电连接，所以光耦的主要应用是隔离两个电路。

从切换其他应用程序，就像可以使用晶体管来切换应用程序一样，可以使用光耦合器。它可用于各种与微控制器相关的操作，其中需要来自高压电路的数字脉冲或模拟信息，光耦合器可用于在这两者之间实现出色的隔离。

光耦可用于交流检测、直流控制相关操作。下面为光耦合器的一些应用。

1、用于开关直流电路的光耦合器：

用于开关直流电路的光耦合器

在上面的电路中，使用了基于光电晶体管的光耦合器电路，是一个典型的晶体管开关。

在原理图中，使用了基于低成本光电晶体管的光电耦合器PC817。红外线LED将由 S1 开关控制。当开关打开时，9V 电池电源将通过限流电阻 10k 为 LED 提供电流。强度由 R1 电阻控制。如果我们改变值并降低电阻，LED的强度会很高，使晶体管增益很高。

另一方面，晶体管是由内部红外 LED 控制的光电晶体管，当 LED 发出红外光时，光电晶体管将接触，VOUT 将为 0，关闭连接在其上的负载。根据数据表，晶体管的集电极电流为 50mA，R2 提供 VOUT 5v，R2 是一个上拉电阻。

在这种配置中，基于光电晶体管的光耦合器可以与微控制器一起用于检测脉冲或中断。

2、用于检测交流电压的光耦合器：

用于检测交流电压的光耦合器

这里显示了另一个电路来检测交流电压。红外线 LED 使用两个 100k 电阻控制，使用两个 100k 电阻代替一个 200k 电阻是为了在短路相关条件下提供额外的安全性。LED 连接在墙上插座线 (L) 和中性线 (N) 上。当按下 S1 时，LED 开始发射红外线。光电晶体管做出响应并将 VOUT 从 5V 转换为 0V。

在这种配置中，光耦合器可以跨低压电路连接，例如需要交流电压检测的微控制器单元，输出将产生方形高到低脉冲。

3、使用直流电压控制交流电路的光耦合器：

使用直流电压控制交流电路的光耦合器

在上面电路中，LED 再次由 9V 电池通过 10k 电阻和开关的状态来控制。另一方面，使用基于光电 TRIAC 的光耦合器，从 220V 交流插座控制交流灯。68 R 电阻用于控制 BT136 TRIAC，由光耦单元内部的光电 TRIAC 控制。

这种配置用于控制使用低压电路的电器。IL420 用在上面的原理图中，是一个基于光 TRIAC 的光耦合器。

除了这种类型的电路之外，还可以在 SMPS 中使用光耦合器，将次级侧短路或过流状况信息发送到初级侧。

二、电烙铁焊锡到底有没有毒？

电烙铁焊锡有毒吗？ 

有网友吐槽称，他在PCB工厂用电烙铁焊锡一年整了，都感觉到身体开始不舒服了，腹部有点胀，焊锡有毒吗？是不是会铅中毒。

其实这个还要看工作中用电烙铁焊锡的有铅焊锡丝还是无铅，并需要定期检查血铅，没有超标就完全不会有问题的，焊锡有毒吗？

正常来讲如果按照国家标准进行防护与原材料采购，焊锡是不会造成重大伤害的。现在基本上都是使用无铅的产品了。

铅是一种有毒物质，人体吸收过量会引起铅中毒，摄入低剂量可能会对人的智力、神经系统和生殖系统造成影响。

锡与铅的合金，就是常用的焊锡，它具有金属良好的导电性，溶点又低，所以，长期以来用于焊接工艺。它的毒性主要来自铅。焊锡所产生的铅烟容易导致铅中毒。

金属铅可能产生铅化合物，全被归类为危险物质，在人体中铅会影响中枢神经系统及肾脏。

铅对一些生物的环境毒性已被普遍证实。血液铅浓度达10μg/dl以上就会产生敏感的生化效应，若长期曝露使血液铅浓度超过60~70μg/dl就会造成临床铅中毒。

有铅的肯定是有毒的，先别说焊锡对身体影响大不大，就是一般的金属，多了也会中毒，焊锡的时候，会有烟雾出现，里面含有一种对身体有害的元素。

工作的时候，最好是带口罩， 但是多多少少还是会有点影响，当然如果能用无铅焊锡丝， 会比有铅的，要安全的多。

无铅焊锡有毒吗？ 

用电烙铁焊锡的材料焊锡丝，它虽然主要成份是锡，但也含有其他金属。主要分为有铅和无铅（即环保型）。随着欧盟ROHS标准的出台，现在越来越多的PCB焊接工厂选择了无铅环保型的，有铅焊锡丝也在慢慢被替用，不是环保的出不了口。无铅锡膏，无铅锡丝，无铅锡条是目前市场上的主要产品。

简单来说：一般用的焊锡因为熔点低，含铅60%、含锡40%左右，所以焊锡本身是有毒性的。而市场上大部分的焊锡都是中空的，内装有松香，所以你所说的气体，估计是焊接时焊锡内的松香熔化时所挥发出来的。

松香挥发出来的气体也是有些微毒性的，这种气体挺难闻的。焊锡在焊接时最主要的危害因素是铅烟，哪怕是无铅焊锡，其中多少都含有一定的铅。

铅烟在GBZ2-2002中的限值很低，毒性很大，需重点防护。由于焊接过程对人体和环境的破坏，在欧洲，对焊接工人的保护及对环境的保护已以立法的形式强制执行，在没有如何防护措施的条件下进行焊接是不允许的。在ISO14000标准中对生产环节产生的污染进行处理和防护有明确的规定。

锡都含有铅，以前焊锡丝内有铅把焊锡归类为职业危害岗位（在国家职业病目录中）；现在我们一般企业都使用无铅焊锡丝了，主要成分是锡，疾病预防控制中心测的是二氧化锡；并不在国家职业病目录中。

无铅工艺（leadfree）一般来说铅烟是不会超标的，但是焊锡还存在其他的危害了，比如助焊剂（松香类物质）有一定的危害，得视具体情况来来看。员工平时可以看一下配发下来的锡是什么标识的，是属于哪一类的，这样可以有据可查及要求企业整改（可以提意见给工厂内部工会）。

要是配的锡是含铅的，肯定是对身体有害的。时间长了，它们在身体积累，对神经系统免疫破坏很大的。

无铅焊锡丝是环保的，但是无铅焊锡丝对人体也有害，无铅焊锡丝的铅含量低并不是不含铅，和含铅的焊锡丝相比，无铅焊锡丝对环境和人体的污染比含铅的要小。焊锡时产生的气体是有毒的，有松香油、氯化锌等气体蒸气产生。

电烙铁焊锡丝有毒怎么防范？

首先PCB工厂在用电烙铁焊锡焊接元器件时要使用ROHS的锡丝，并要做好防范工作：

比如带手套、口罩或防毒面具，工作场所注意通风，排风系统好，工作后注意清洗，喝牛奶的方法也是可以预防焊锡中的铅毒性的。

1、要休息一段时间，一般1小时要休息15分钟左右，缓解疲劳，因为疲劳时抵抗力最差。

2、少抽烟 多喝水 这样在白天可以排除大部分吸收的有害物质。

3、睡前饮绿豆汤或者蜂蜜水 这样可降火 对心情有帮助 而且绿豆和蜂蜜可以排除吸收的大量的铅和辐射。

4、可把烙铁搞的亮一点，尽量用PPD的焊头，这样温度达到了可以少用焊油和松香，减轻对身体的危害，

5、焊油焊锡冒烟时候尽量头向边上偏点 刷天那水时候也要把头偏到边上点 尽量屏住呼吸。

6、多用酒精，用酒精多刷一会效果差不多的。

7、焊接完要洗干净手。

8、睡觉前洗澡尽量早睡早起，保证充足的睡眠，只要睡的好，杂质基本都可随身体排出。

9、带口罩工作。

三、硬件前辈们总结的低级错误

01

    有极性的电容，原理图和PCB把管脚搞反了？

02

    电源和地忘记接了......还有接反的......

03

    连接器的线序搞反了...

04

    RX、TX接反了...

    串口RX、TX画的时候心里默念不要接反，不要接反，板子贴片回来测试，果然串口不通。

05

    想当然的写一个封装，结果没有这个规格的器件，百度文库下载datasheet，结果根本买不到这个器件。

06

    直接抄电路，结果器件根本买不着，曾经一个做智能锁的团队，电路直接抄三星的智能锁，结果里面一个电容式触摸按键的控制器，是韩国产的很难买到，而且没有什么代理和支持，纯靠自己试验和摸索。

07

    选择电容的时候，只考虑容量，没有考虑耐压，结果这么大的封装放不下满足规格电容。

08

    选择电阻的时候，只看阻值，不看功耗。

09

    画完PCB不看DRC报告，靠眼睛看飞线，回板后就真的飞线了，脑残的一次把短路DRC关了，结果回来板子电源正负果然连一起了。

10

    封装做反了......当时赶进度，没拿到芯片只看了Datasheet就画了图投了板，板子回来后看着镜像的封装一脸懵x。

    但这事不能怪我，因为那个傻x datasheet上的封装图居然是bottom view而且没有注明！  

11

    散热焊盘的阻焊层没有处理。

12

    lm1117整个画反了，ina826同向端反向端看错了原理图就画错了......烧程序时候忘了选外部晶振然后测了好久好久发现我擦，烧程序的问题。

13

    431真是奇葩设计，每次用都检查几遍管脚顺序，关于431稳压器SOT23封装的引脚排列，原来以为各个厂家排序都一样。

    结果发现：从左到右数，TI-TL431A是CAR排列，UTC-TL431A和CJ431A是RAC排列。

    还有继电器引脚排列，文档一般给个底视图，结果画板时没有镜像，只好把继电器焊接到背面。

14

    对着datasheet把封装画反了，信誓旦旦的说这是我布局布得最漂亮的一块。

15

    板子只要有子卡，那就等着手心莫名其妙出汗，睡觉被吓醒了。

16

    电池接口极性画反......损失惨重吖！

17

    在学校腐蚀槽里发现过一个大神用马克笔layout的PCB，无法想象他用马克笔直接画线时，脑子里是怎么把网表分清的，这等神迹堪比用txt直接出网表以及用二进制编辑器直接编程。

18

    焊接，以前很喜欢插件电阻，因为容易焊还能跨线，但自从工作以后，不是大功率场合，见都没见过了。

    以前焊0805、0603都要叫半天，觉得难焊，现在已经全程0201，看习惯0201，再看0603已经觉得是庞然大物了。

    有人好奇0201手焊技巧，这里要纠正大家用热风的误区，一个是很多人认为吹小元件要用细吹口，第二个是很多人认为吹小元件要用低风速，实际上，吹0201应该是最粗吹口加7成风速，0201最大问题是焊盘小，PCB散热快。

    用小吹口只加热两个焊盘时，大量热量从焊盘散走，而且镊子一旦挡住风路，直接失温导致虚焊，另外小吹口也易导致局部风速高，PCB受热不均，吹掉焊盘或是吹飞器件都不奇怪。

    粗吹口风速柔和，热力稳定，效果和回流焊机类似，这才是正解，0201定位靠助焊剂清除氧化膜和锡的张力吸附，这个不用再强调了吧？

19

    以前对DC-DC懂得少，而且一般开关电源芯片小，还有一堆外围，手焊很麻烦，就觉得三端稳压器碉堡了啊，一个就能得到想要的电压啊，有木有。

    然后就各种用三端稳压器，那玩意效率奇低，而且功率稍微上去一点，就发热很厉害，有些时候还得不到想要的电压，高了的话就串联几个二极管，靠管压降消耗多余电压，现在想起来都觉得蠢哭了。

20

    以前做板子，一般都是单层板，高级一点做双层，完全没有设计参考面的意识，更不要说考虑回流路径了，线都是连上就行，然后，就是EMI问题一大堆，学生时运气好的话，低速电路不怎么体现。

    记得有一次运气差，一个电机驱动的超强EMI耦合到一个信号线上，导致程序各种跑飞，还完全找不出原因。

    最后重画板子莫名其妙解决了，也说不出个所以然，后来看了某宝书(HSDD高速数字设计)，被作者一句：很多人总是认真设计信号回路的前半段，而将后半段交给上帝，他们真是愚蠢，疯狂打脸。

21

    学电之后会嫌光速太慢，没学之前，相信没人会认为分析电路要考虑光速，电信号以光速在真空中传播。

    实际上在电路板上，电信号以光速除以根号下电介常数的速度传播，一般约为6mil/ps，这是很坑爹的，一段2inch(5cm)的走线，信号传过去需要约330ps。

换句话说，对于GHz级别的信号，很可能第一个状态刚到接收端，第二个状态已经从源端出发了。

    一条理想导线的两端，同时出现不同的电平，这在以前是多么反直觉啊，实际设计中，走线长度不同会导致并行信号时序混乱，一些高速板会采用电介常数低的材 料以减少信号飞行时间。

22

    说个不好好学习的故事吧，上大学那会儿学模电，老师布置作业要用什么软件做出一个梯形波发生器，上课也没听…下课就不会做啊，哼哧哼哧弄了半天，做的是三角波，再弄，波都没了…

    没办法...后面用ps把三角波的顶端一去，再画一个横线…完美的梯形波啊…心怀忐忑的把截图和程序发到老师邮箱居然过了，我去…后来明白了…老师也懒得拿我的作业去仿真的…

21

    来讲两个无线通信模块的事，这个模块叫nrf24l01估计好多人都用过这个神模块。

    大二时，我调它总是一开始工作正常过了一段时间数据包就发不出去了，神奇的事情出现了：用手一摸模块的引脚就能发出去数据！我不能把手剁下来黏在上面吧？！最后把一个引脚加了10k 下拉电阻解决了，问题的原因一直不清楚呢。

    大三电赛做旋转倒立摆的时候，检测倒立摆倾角，想无线发出去给控制器要用到这个模块，向老师申请，申请时着重表明“模块”不是ic，等器件发下来...看着一大包qfn封装的nrf2401芯片真是哭笑不得。

22

    钽电容有一横的那边是正极，我搭档第一次用钽电容时候就炸了，后来一查资料才知道电容接反了。

23

    毕设在一家小公司做光伏发电入网我做功率平衡算法，有几个大电容做逆变，因为逆变做的不好波形毛刺多，一开机就带着桌子一起抖阿抖的声音也很大很吓人，再把功率调高一点就开始各种爆炸着火什么的。

    老板总是开玩笑说，电子器件的工作原理主要是靠里面的魔法烟雾，因为一旦烧了魔法烟雾跑出来就不工作了。

    我一个做嵌入式的平时接触的都是3.3最多5V哪见过这架势，老板安慰我说，不要怕烧东西，烧着烧着就会学到新知识，反正他上一家公司是做真空高压继电器的倒是无所谓啦。

    后来用第二版原型居然做出来了，可喜可贺，旧版原型老板拿去烧掉以后拍了个灭火器教学视频，有一次去老板家玩看到他的真空继电器第一代原型是用两个宜家买的高压锅扣在一起…

24

    有一天我的嵌入式老师让我去他那看看，帮忙修一个机器，到那一看，这个机器叫做【点穴仪】，听名字碉堡了吧？

    可是连一个使用说明的什么都没有，也不知道什么原理，拜托我们维修的人是替老人拿过来的，也不知道怎么用，摸索了半天，搞明白原理，我下定决心在电子相关的行业干了。

    为啥？人傻钱多啊，说说这个点穴仪吧，一个木头箱子里伸出两个大的铜柱，像是金属双截棍的两端。

    你拿一个，我拿一个，然后我用手点你的皮肤上，你就感觉这一点麻麻的，很神奇吧？呵呵，压根就是一个在安全范围内可调节电压值的电源…

    两个人各拿一个铜柱，手指接触皮肤后就形成回路，点接触的地方电阻大分压高， 就麻麻的，微信搜索公众号玩转嵌入式。

    为什么说人傻钱多呢？这个点穴仪看上去十分高大上，木制箱子，配上中医与科技完美结合的标语，再标上998的爆款价，绝对把老年人哄得团团转，里边是什么呢？就是一块交流转直流的电路板，连个MCU都没有。

25

    14年暑假做TI杯，选的是F题电能无线传输装置，题目要求用一个直径20cm的线圈，光是这个线圈就发生了无数狗血的故事，在那短短的四天三夜里XD。

    俺们都是做直流电源出身的啊！训练都是直流源啊！线性的开关的都做了啊！电压源电流源都做过啊！

    buck boost都做过啊！同步非同步都做过啊！PWM PFM都做过啊！我们感觉基本上准备得差不多了啊！丫给我来个无线充电啊！泥垢啊！天线什么的完全不懂啊！无线这块做都没做过啊！

    所以一开始我连线圈该绕 成什么形状比较炫酷（好用）都不晓得啊！花了整整一天看论文啊！然后俺大手一挥说不管了，先做个线圈试试，管他娘。

    然后就让我萌萌哒学弟出门去电子市场给我买线去了！咱有钱，任性！打电话问我要什么样的！我说漆包线！漆包线要什么样的！我说最粗的！给我来100m！

    学弟说最粗直径3mm，成不成？我说成！来100米！学弟说100米人家不卖，要买买180！我说180就180，记老师账上！

    我不会告诉你那捆线800多，老师问价格的时候我们都没好意思说QAQ，于是他们呼哧呼哧的扛着一大卷漆包线回来了…

    回来的时候我都震精了…然后我和我两个队友望着刀削面粗（大雾）的漆包线，无语凝咽…这他么怎么掰得动！

    然后我们掰那个线就掰了好久…掰完快要累成狗了…那玩意不光硬，你掰弯之后丫会回弹…我们得两个人按着它（没错两个人才按得动），一个人用尼龙扎带绑住它，这货形状才算固定下来，丑的一笔。

    还是关于那个线圈，你说这帮老师出题就出题，还限制线圈直径18~22cm（结果最后测老师都没测线圈直径！摔！）于是一开始我们就商量，这东西怎么做。

    我提议撕开个纸盒子，自己卷个20cm的纸筒，把线往上面一绕就搞定了！so easy！麻麻再也不用担心我的学习！

    然后看到学弟抱回来那张牙舞爪的漆包线我们就萎了，这要是往纸筒上绕绝笔要变形啊！于是我两位伟大的队友就跑去学校附近的五金店买了一堆钉子钉在木板上，绕了一个20cm直径的圆…

    下着大雨辛苦你们了…话说当时绕线的时候戴着电工经常戴的那种白手套，还是硌得很疼QAQ。

    TI杯时期的狗血事也就这些了吧…除开轮流睡觉的时候迷迷糊糊醒了把队友腰带当桌子沿扒之外也没旁的值得吐槽的事情了。

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    有一次是做恒流源，小功率的，结果因为布局的原因，feedback离电感太近有干扰，小电流时稳流稳不住…电流就各种蹿，接LED效果就是闪瞎狗眼…一闪一闪亮晶晶，满天都是小星星。

    神奇的是每次拿示波器探头一放在feedback脚立马就稳了，我想看波形都不行，这尼玛…然后我就分析应该有两点可能，一个是示波器探头天线效应引入的干扰和其他干扰抵消了，再一个就是示波器的输入阻抗起了个滤波器的效果。

    我就觉得第一点太特么扯了啊…哪有这么巧的，然后查了查示波器是1M欧 //10pf，然后我就愉悦的找了个1M欧电阻和10pf电容一并，欸，有点效果。

    不过电流再小点（1mA左右）还是不行…我就死马当作活马医，插了根线上去…卧槽居然好了啊！再也不相信爱情了！

    而且那根线要站着才能起作用…每次看那个电路都萌我一脸血…不过勤劳的小朋友遇到这种问题是一定要改布局的…不要学我，我懒。

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 最精彩的放在最后...得不到波形的时候，我们一般默认示波器是坏的——我才不会承认是我电路布错了呢~

四、单片机中如何用二极管实现不同电压的输出？

 利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。

    分享本文，分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的，另外关于二极管基础文章可以移步此文:​​关于二极管的基础知识​​。

限幅电路

    如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。

    而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。

限辐电路示意图

    根据上面限辐电路的原理，可以设计如下双向限辐电路。

双向限辐电路示意图

    然而有时候0.7V电压不能满足要求，那么，怎么产生不同大小的限幅电压？

    在电路中加入偏置电压VBIAS，只有当VIN大于等于VBIAS时二极管才能导通。此时VOUT被钳位，其值是0.7V+VBIAS，如下图所示。

偏压限幅电路示意图

钳位电路

    下面是二极管结合电容实现的钳位电路。分析中不考虑二极管的导通压降，假设RC时间常数足够大，从而使输出波形不会失真。

钳位电路原理

    当输入Vin在负半周期为负时，电流如下图中红色箭头所示。二极管导通，电容逐渐充电至V，在此过程中Vout=0。

    当输入Vin在正半周为正时，电流如蓝色箭头所示。二极管截止，Vout等于电容上电压加上正半周电压V，此时Vout=2V。

钳位电路原理

偏压钳位电路

    跟限幅电路类似的，为了获得所需要的钳位值，要在电路中加入偏置电压，如下图所示。

偏压钳位电路

    当所加的偏压与二极管导通方向一致，钳位值会提高V1，Vout=2V+V1。

双向二极管钳位电路应用举例

    在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护，如下图所示，假设0.7V为D1和D2的导通电压。

• Vin大于等于Vmax，D1导通，Vout会被钳位在Vmax
• Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin

二极管钳位保护电路

五、自举电阻和电容的选取

在一些低成本的应用中，特别是对于一些600V小功率的IGBT，业界总是尝试把驱动级成本降到最低。因而自举式电源成为一种广泛的给高压栅极驱动（HVIC）电路供电的方法，原因是电路简单并且成本低。

自举电路的工作原理

如下图自举电路仅仅需要一个15~18V的电源来给逆变器的驱动级提供能量，所有半桥底部IGBT都与这个电源直接相连，半桥上部IGBT的驱动器通过电阻Rboot和二极管VF连接到电源Vb上，每个驱动器都有一个电容Cboot来缓冲电压；

当下管S2开通使Vs降低到电源电压Vcc以下时，Vcc通过自举二极管和自举电阻Rboot对自举电容Cboot进行充电，在自举电容两端产生Vbs悬浮电压，支持HO相对Vs的开关。随着上管S1开关，Vs高压时自举二极管处于反偏，Vbs和电源Vcc被隔离开。

自举电容的选取

当下管S2导通，Vs电压低于电源电压(Vcc)时自举电容(Cboot)每次都被充电。自举电容仅当高端开关S1导通的时候放电。自举电容给高端电路提供电源(VBS)。首先要考虑的参数是高端开关处于导通时，自举电容的最大电压降。允许的最大电压降(Vbs)取决于要保持的最小栅极驱动电压。如果VGSMIN最小的栅-源极电压，电容的电压降必须是:

其中：
Vcc=驱动芯片的电源电压；
VF=自举二极管正向压降；
Vrboot=自举电阻两端的压降；
Vcesat=下管S2的导通压降

计算自举电容为：

其中：

QTOT是电容器的电荷总量。

自举电容的电荷总量通过等式4计算：

下表是以IR2106+IKP15N65H5(18A@125°C)为例子计算自举电容推荐：

推荐电容值必须根据使用的器件和应用条件来选择。如果电容过小，自举电容在上管开通时下降纹波过大，降低电容的使用寿命，开关管损耗变高，开关可靠性也变低；如果电容值过大，自举电容的充电时间减少，低端导通时间可能不足以使电容达到自举电压。

选择自举电阻

自举电阻的作用主要是防止首次对自举电容充电时电流太大的限流，英飞凌的驱动芯片一般已经把自举二极管和电阻内置，不需要额外考虑电阻的选取。这里只是给大家分析原理，当使用外部自举电阻时，电阻RBOOT带来一个额外的电压降：

其中：
ICHARGE=自举电容的充电电流；
RBOOT=自举电阻；
tCHARGE=自举电容的充电时间(下管导通时间)

该电阻值（一般5~15Ω）不能太大，否则会增加VBS时间常数。当计算最大允许的电压降(VBOOT )时，必须考虑自举二极管的电压降。如果该电压降太大或电路不能提供足够的充电时间，我们可以使用一个快速恢复或超快恢复二极管。

实际选择时我们可能考虑更多的是自举电阻太小限制：

1、充电电流过大在小功率输出应用触发采样电阻过流保护

2、过小的自举电阻可能会造成更高的dVbs/dt,从而产生更高的Vs负压，关于Vs负压的危害我们会在后面继续讨论。

3、充电电流过大容易导致充电阶段Vcc电压过低，造成欠压保护。

4、容易造成自举二极管过流损坏。

如下图是英飞凌新一代2ED218xS06F/ 2ED218x4S06J大电流系列的SOI技术的半桥驱动内部电路，内部集成了自举电阻和自举二极管，可以帮助客户省掉自举电阻和二极管电路的设计麻烦。

自举电路设计要点

为了保证自举电路能够正常工作，需要注意很多问题：

1、开始工作后，总是先导通半桥的下桥臂IGBT，这样自举电容能够被重新充电到供电电源的额定值。否则可能会导致不受控制的开关状态和/或错误产生。

2、自举电容Cboot的容量必须足够大，这样可以在一个完整的工作循环内满足上桥臂驱动器的能量要求。

3、自举电容的电压不能低于最小值，否则就会出现欠压闭锁保护。

4、最初给自举电容充电时，可能出现很大的峰值电流。这可能会干扰其他电路，因此建议用低阻抗的自举电阻限流。

5、一方面，自举二极管必须快，因为它的工作频率和IGBT是一样的，另一方面，它必须有足够大的阻断电压，至少和IGBT的阻断电压一样大。这就意味着600V的IGBT，必须选择600V的自举二极管。

6、当选择驱动电源Vcc电压时，必须考虑驱动器内部电压降及自举二极管和自举电阻的压降，以防止IGBT栅极电压不会太低而导致开通损耗增加。更进一步，所确定的电压必须减去下管IGBT的饱和压降，这样导致上下管IGBT在不同的正向栅极电压下开通，因此Vcc应当保证上管有足够的栅极电压，同时保证下管的栅极电压不会变的太高。

7、用自举电路来提供负压的做法是不常见的，如此一来，就必须注意IGBT的寄生导通。

最后，自举电路也有一些局限性，有些应用如电机驱动的电机长期工作在低转速大电流场合，下管的开通占空比一直比较小，造成上管的自举充电不够，这种情况需要在PWM算法上做特定占空比补偿或者独立电源供应。

六、关于旁路电容应用的讨论

通过一次关于基本知识的对话，让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容和去耦电容。

    旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中不把它作为主题，但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。

    来自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第一部分。Dave和Tamara信仰辩论的价值、教育的价值以及谦虚地深入讨论核心问题的价值。

    简而言之，为了获取知识而展开对一个问题的讨论，下面请“聆听”并学习。

David: 有一种观念认为，当我们做旁路设计时，我们对低频成分要采用大电容(微法级)，而对高频成分要采用小电容(纳法或皮法级)。
Tamara: 我赞成，那有什么错吗？
David: 那听起来很好并且是有意义的，但是，问题在于当我在实验室中验证那个规则时并未得到我们想要的结果！我要向您发出挑战，Tamara博士。
Tamara: 好啊！我无所畏惧。
David: 让我们看看，你有一个电压调整器并且它需要电源。电源线具有一些串联阻抗(通常是电感以及电阻)，这样对于短路来说，它在瞬间提供的电流就不会出现大变化。它需要有一个局部电容供电，旁路电容功能如下图所示。

Tamara: 我到目前均赞成你的观点。那就是旁路的定义。Dave，接着说吧。
David: 例如，有些人可能用0.1 μF电容进行旁路。他们也可能用一个1000pF的电容紧挨着它以处理更高的频率。如果我们已经采用了一个0.1 μF的电容，那么，紧挨着它加一个1000pF电容就没有意义。它会增加1%的容值，谁会在意？
Tamara: 然而，除了电容值之外，有更多要研究的内容。这两种数值的电容均不理想。
David: 我们必须考察0.1 μF的实际电路；它存在有效串联电阻(ESR)以及有效串联电感(ESL)。
Tamara: 有时候，你还要把介质损耗一项当成一个并联电阻来考虑，旁路电容的模型如下图所示。

David: 现在，当我们遇到具有瞬态特性的这一损耗时，我们假设0.1 μF电容的ESL远远大约1000pF的电容。我们需要某一器件在短期内供电，因ESL的存在而让0.1 μF的电容做不到这一点。假设就在于1000pF的电容具有更低的ESL，因此，能够提供更好的电流。
Tamara: ESL与你获得以及封装的电容的类型有关。其数值可能完全独立于电容本身的尺寸和数值，旁路电容的阻抗如下图所示。

David: (显示出对年轻同事所具有的知识的惊讶)
Tamara: 我曾经看到过一些人把100 nF、10 nF和1 nF的电容分级并联起来使用，它们可能均采用相同的封装，例如0402，因为这些电容通常就是采用这种封装形式。然而，每一种0402封装均具有相同的ESL，因为它们具有相同的电感以及相同的高频响应，因此，这么安装电容于事无补。

David: 我们在实验室中所发现的问题在于，各种封装均是类似的。我们所采用的大多数陶瓷电容均为面积是0805或0603的电容。我测试发现，把0603 0.1 μF电容挨着0603 100pF电容安装，效果上不如仅仅采用两个0603 0.1 μF的电容。
Tamara: 那是完全有可能。我猜测，你所处的频率范围就是0603 0.1 μF电容被最优化的频率范围。相同尺寸和不同尺寸的电容的阻抗比较如下图所示。

David: 是的，ESR和ESL是原数值的一半且非常管用。在这些应用中，我所研制的开关调整器的工作频率大约为1MHz。

Tamara: 在你的情况下，要调整电容的数值以及封装，以改善对你没有兴趣的那个频率范围的旁路网络。图4假设我们谈论的是相同类型的电容(陶瓷电容)。其它类型的电容—如钽电容—具有更高的ESR，因此，整个曲线突起。另一方面，有时可能全部要采用钽电容。
David: 我们现在讲讲历史。过去，人们采用他们手上能用的一切元器件。那时，你无法获得封装小的100 μF电容，你不得不通过缩短旁路电容器上的引线来改善旁路网络。当今的大电容的尺寸正逐渐缩小类似于较小电容所具有的尺寸。当你开始认真考虑选择一只0.1 μF电容时，你肯定选择0603的封装，并且，最终会选择0402封装的电容(因为我没有看过0402封装的电容，我倾向于不采用那些电容)。
Tamara: 按照分级封装的阶梯电容(stepped capacitor)的确切含义来自于赛灵思公司的讨论。他们的FPGA被用于各种各样的应用之中，并且，他们设法测试了所有的条件。因此，他们在高达5Gsps的宽频带内需要一种低阻抗电容对电源旁路。另一方面，你需要一种较低带宽的解决方案。
David: 我的评论全部来自较之于比赛灵思的速度更低的电源应用。你的辩论非常聪明，因为你指的是封装尺寸，而其他人没有那么深入的思考。他们通常说，高频需要小电容，而低频需要大电容。
Tamara: 啊，真是的，我要脸红了。
David: 我的旁路事业一直是非常令人厌烦的，因为在大多数时间内，规则就是用0.1 μF电容旁路每一个芯片，那就管用了。
Tamara: 那不仅仅与封装有关，而且还与布局有关。
David: 绝对正确！我循着电路板上的电流路线，发现电路板上存在电感。在任何电流路径上的电感与该路径的闭环面积呈正比。因此，当你围绕一个区域对元器件进行布局时，你需要把元器件紧凑地布局。那就是你为什么把元器件保持紧凑布局的原因—保持电感为低。然后，选择具有良好ESL和ESR的电容。我希望对于它有更多的设计艺术，但是，它的确是实用证明正确的少数的简单规则之一。
Tamara: 当然，你可以购买具有较低ESL和ESR的电容，但是，他们通常比标准的陶瓷电容更为昂贵。
David: 在大多数情形下，与每一块芯片尽可能接近的0.1 μF旁路电容仍然非常管用。

继续关于排版的讨论

    Tamara博士拿着一袋发着沙沙响声的书进入她的办公室，当Dave从旁边走过时她把那袋书扔在了桌子上。

Dave: 嗨，Tamara:博士，你往那里扔什么？
Tamara: 那是我们的读者邮件。
Dave: 我们收到邮件？你的意思是喜欢“来自新泽西Fort Lee的Richard Fader写道：这就是我听说的关于电容器的一切抱怨吗？”之类的邮件？
Tamara: 是的，就是那样的信件。
Dave: 关于电容器以及排版吗？
Tamara: 当然！这是一封来自Kyle(所有读者的姓名被改变，以保护他们隐私)。在高幅度射频场中，他惯常于把电容器级联起来以旁路他的电路。
Dave: 正如我们所说的，有时候你需要这么做，但是，许多时间你不需要这么做。
Tamara: 他也问到了耦合电容。看来他们在耦合电容上遇到的问题不如在旁路电容上遇到的问题大。
Dave: 是的，我已经注意到了那个问题，但是，一些人担心采用大的耦合电容，因为它太慢。我认为，他们的思路不正确。
Tamara: 在今后的讨论中我们将着手解决那个问题。这里是Carl的评价。他对我们最近关于接地平面上的电压降问题提出的解决方案感到不确定。他认为，在它(感应作用)周围或者需要磁通，或者它仅仅是一个通常很小的IR降。
Dave: 是的，我们通常在视频系统中谈到的60dB的串扰非常小，意味着有几个毫伏的有害信号。上次在例子中我们证明了，为了便于描述，我们把电路做了相当多的简化。实际电路在每一个通道具有完整的直流恢复(具有电子机械继电器)，并且它是通孔元件。视频混合器的PCB排版图如下。边缘电流线显示出现串扰的可能性；带引脚的元件破坏接地层，并把电流线聚集在一起。可见，当通孔元件或过孔破坏了一个接地层时会发生什么情况。

Tamara: 你的意思是你不用表面贴装元件，因此，接地层上充满了带引脚的元件的通孔？

Dave: 是的，来自输入的大多数回流通过围绕这个电路的窄带之中。与实体接地层相比，电阻要更大。
Tamara: 因此，边缘电路被更多地拥挤在一起。
Dave: 是的。串扰比你想像的要多。表面安装的元件对解决这个问题有很大帮助，因为它们具有更少的通孔，但是，把接地层分开是明智且容易的事情，并且不论你是否拥有大量的过孔它均能消除这个问题。视频混合电路板利用分开的接地层来把串扰最小化，如下图所示。

Tamara: 免费、容易且有效—听起来就像放之四海皆准的惯例。
Dave: 那真是我一直思考的事情。你在哪个领域取得了什么进展？
Tamara: 我已经跟两家电容器公司X2Y以及KEMENT的代表进行了接触。
Dave: 他们怎么想的？
Tamara: 我们在旁路电容上花费了太多的精力，你不知道你怎么想的吗？
Dave: 啊，是的，我的意思是它们仅仅是电容器。
Tamara: 他们说，我们的研究不够。我们仅仅考虑两维。他们甚至要考虑电容器内部的侧景(side view)。
Dave: 他们重视我们建议的那样的电流路径吗？
Tamara: 是的，通过减少他们的电容器的引脚的垂直封装面积，他们把等效串联电感(ESL)的标准数值从大约2nH降低为原来的1/5。
Dave: 因此，即使专业公司也重视该电流(如释重负地叹息)。我们站在可巨人的肩膀上(停顿，心不在焉地凝视远方…)
Tamara: Dave. . . . DAVE. .
Dave: 哦，对不起。那么，现在我们在哪里跟踪电流路径，Tamar博士。
Tamara: 我认为，我们需要做稍微深入的讨论，并通过一个例子分步讨论。我认为，我们的读者了解电流路径对于放置他们的旁路电容是至关重要的，但是，可能需要一个实例。让我们看看在一个简单的电路中，电流是在哪里流过的。让我们看看驱动一个负载的运放的输出。下面是一块简单的电路和电路板。
Dave: 好，让我们把讨论做的有趣一些。对于输入偏置级的电压参考来说，怎么样？
Tamara: 简单的运算放大器以及电压参考电路，如下图所示，为具有增益为2的单电源运放配置。

Dave: 电压参考偏置均以电源电压的一半来输入以获得最佳的输入范围。

Tamara: 这次我们为排版选择采用双层电路板(上次那块板子采用四层板)。第二层几乎是完整的接地层，在输入和输出线上是两条跳线，单运放及其电压参考电路的印刷电路板排版如下图所示。

Dave: 让我们跟踪电流的路径，在参考电压中的交流以及直流路径分别如下左右两图。

Tamara: 工程师们有时会混淆交流以及直流路径，因此，让我们把交流高频路径标记为蓝色，而把直流路径标记为绿色。

Dave: 我要深入探讨一下。我用实线把驱动电路标出，因为它们的电流大多数在顶层流动并且回路用虚线表示，因为它们在接地层上的流动占突出地位。
Tamara: 你真厉害！
Dave: 你可能认为，参考电源仅仅是直流电源，但是，它也是放大器中交流电路的一部分。要核查在参考电路中的高频电流路径。
Tamara: 我特别想知道，无源元件的堆叠如何让你干净地引入输入线并在U2、R4、C3和C5之间共享一小块接地焊盘。
Dave: 那并没有阻止我构建一条从R3至那个输入网络的紧凑(布局很好)的反馈路径。
Tamara: 高频路径是短且紧凑的，其环路通过输出旁路电容器C5以及参考旁路电容器C3。我猜测那就是为什么你把C3放在放大器U2附近，而不是放在上面的参考芯片U1旁边。在顶层上它们甚至共享额外的接地连接。
Dave: 没错。我们想要高频电流包含小的闭合面积，这意味着电感小。为了形成对照，请参见直流电流的回路。
Tamara: 它们在整块板子上展开并且甚至似乎离开电路板的顶层。
Dave: 是！直流电流必须来自电源，那意味着它进入并离开连接器或找到它流去本地电源调整器的途径。在任一情形下，路径的面积均大。
Tamara: 那就是为什么我们在第一个地方采用旁路电容器：把高频电流保持在本地，并分流会引起大量不希望出现的电压降的感性以及阻性路径。
Dave: 现在，请看以下放大器的输出电流，在在运放中的交流以及直流路径分别如下两图所示。

Tamara: 再看看在电路板顶层上展开的直流电流(在连接电源的地方)，但是，在紧凑的环路中交流电流非常接近输出放大器。

Dave: 交流回路除非在接地层上展开，否则不会依靠自己或跨越它自己构成回路。那就是最小化串扰的良好实践。
Tamara: 这一次在你的接地层上没有出现你的著名的切割，为什么没有？
Dave: 那个信号的确没有机会相互作用。信号流直接从左边流向右边—输入至输出。我们没有画出输入电流路径，这留给读者做练习。
Tamara: 然而，如图2所示的接地层切割在把信号线围起来并防止边缘电流相互作用上最为有用。
Dave: 绝对正确。可是，不要忘记这整个对话是从旁路电容器开始讨论的。
Tamara: 是的，的确如此。我们能够选择正确的电容器的尺寸、类型和封装，然而，如果我们不对排版进行最优化的话，那也不会有效。
Dave: 那可能是我们能够说的最重要的事情：关于放置旁路电容器的问题几乎总是可以通过跟踪电流的路径并最小化电流的环路面积来回答。除此之外，没有更多的其它问题。

七、如何防止电源正负极接反？

 硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心将电源正负极接反的现象，导致很多电子元器件都烧毁，甚至整块板子都废掉，还得再焊接一块，不知道有什么好的办法可以解决？

    首先粗心不可避免，虽说只是区分正负极两根线，一红一黑，可能接线一次，我们不会出错；接10次线也不会出错，但是1000次？10000呢？这时候就不好说了，由于我们的粗心，导致一些电子元器件和芯片烧坏，主要原因是电流过大使元器件被击穿，所以必须采取防止接反的措施。

    一般常用的有以下几种方法：

01 二极管串联型防反接保护电路

    在正电源输入端串联一个正向二极管，充分利用二极管正向导通、反向截止的特性。正常情况下，二级管导通，电路板工作。

    当电源接反时，二极管截止，电源无法形成回路，电路板不工作，可以有效的防止电源接反的问题。这篇文章讨论了二极管相关应用:单片机中如何用二极管实现不同电压的输出？

02 整流桥型防反接保护电路

    使用整流桥将电源输入变为无极输入，无论电源正接还是反接，电路板一样正常工作。

    以上使用二极管进行防反处理，若采用硅二极管具有0.6~0.8V左右的压降，锗二极管也有0.2~0.4V左右的压降，若觉得压降太大，可使用MOS管做防反处理，MOS管的压降非常小，可达几毫欧姆，压降几乎可忽略不计。

03 MOS管防反保护电路

    MOS管因工艺提升，自身性质等因素，其导通内阻较小，很多都是毫欧级，甚至更小，这样对电路的压降，功耗造成的损失特别小，甚至可以忽略不计，所以选择MOS管对电路进行保护是比较推荐的方式。

1） NMOS防护

    如下图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为0.6V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs = Vbat - Vs，栅极表现为高电平，NMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的ds接入形成回路。

    若电源接反，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。

2）PMOS防护

    如下图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.6V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6），栅极表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。

    若电源接反，NMOS的导通电压大于0，PMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。

    注：NMOS管将ds串到负极，PMOS管ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。

    MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出，PMOS则S进D出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件。

    MOS管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。

    实际应用中，G极一般串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来。

    对于PMOS，相比NOMS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。

04 保险丝防护

    很多常见的电子产品，拆开之后都可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反，电路中存在短路的时候由于大电流，进而将保险丝熔断，起到保护电路的作用，但这种方式修理更换比较麻烦。

八、电路中电能传输方向

如图(01)这个电路，有两个电池和一个电阻串联。这个电路中，是电池E1对电池E2充电，还是电池E2对电池E1充电？

图(01)

我们测量一下电压U1和电压U2。如果电压U1大于电压U2，就可以判断电阻R左端电位高于右端电位，显然电阻中电流方向是从左向右，如图(02)所示。此时我们就可以判断是电池E1对电池E2充电。当然，如果测量U1和U2结果相反，那就是E2对E1充电。

E1对E2充电，意味着能量从E1流出，而流入E2。

图(02)　　

从图(02)中我们可以看出：当电压方向与电流方向相反时(例如上图的左边)，能量流出E1，当电压方向与电流方向相同时(例如上图的右边)，能量流入E2。

这是不是可以普遍应用的规律？根据电压的定义，这确实是可以普遍应用的规律。

不但在直流电路中是如此，在交流电路中仍然是如此。

图(03)简单交流电路中，仅有一个交流电源E和一个电阻R作为负载。我们假定电路中电压和电流正方向如图中所示。

图(03)　　

我们知道，电阻中的电流与两端电压相位相同，电阻R两端电压u与其中电流i关系的波形如图(04)所示。

图(04)　　

图(04)波形，前半个周期电阻两端电压u和通过电阻的电流i均为正方向，由前面所述，能量流入电阻(转化成为热)。后半个周期，电阻两端电压为负，通过电阻的电流也为负，二者仍然方向相同，能量是流入电阻转化成为热。　

只有交流电压过零那一瞬间，电压与电流同时为零，其乘积也为零，没有能量传输，但其它时间，能量均是流入电阻的。　

然而，我们把图(03)中电阻替换成一个电感如图(05)，情况就大不一样了。为简单起见，暂时我们不考虑电感中的种种损耗，假定图(05)中电感L是个理想电感。另外，我们只考虑最简单的正弦电压波形。

图(05)　　

我们都知道：电感两端电压u超前于电感中电流i，对理想电感，超前的角度为90°。图(05)电路中电压电流波形如图(06)。图中蓝色波形为电感两端电压波形，红色波形为电感通过电流波形。

图(06)　　

图(06)中电压和电流波形，有时方向相同，有时方向相反。为更详细分析能量流动方向，在图(07)中我们把交流的一个周期分成几个阶段分析。

图(07)　　

图(07)中，我们选取电流由负变正那一时刻开始分析。此一时刻之后的四分之一周期记为阶段1。阶段1中，电压和电流虽然在不断变化，电压在减小电流在增加，但电压和电流均为正(为正的意思就是与图(05)中标注的方向相同)。由此得出：在阶段1，能量从交流电源E流出，流入电感L。　

阶段1之后的四分之一周期记为阶段2。阶段2中电压和电流也在不断变化，但电压为负电流为正。电压与电流方向相反，由此得出：阶段2中，能量由电感L流出，流入交流电源E。

阶段2之后的四分之一周期记为阶段3。阶段3中电压和电流仍在不断变化，但从图(07)中可以看出，这一阶段中电压和电流均为负(和图(05)中标注的方向相反)。二者均为负，方向相同，由此得出：阶段3中，能量由交流电源E流出，流入电感L。

阶段3之后的四分之一周期记为阶段4。阶段4中电压为正而电流为负，二者方向相反，由此得出：阶段4中，能量由电感L流出，流入交流电源E。　　

阶段5和阶段1完全相同，不再赘述。　　

由上面所述，对理想电感，交流的每个周期内，有两次(各四分之一周期)能量是从交流电源流入电感，有两次(各四分之一周期)能量是从电感流入交流电源。而且，由正弦波形的对称性，阶段1从交流电源流入电感的能量从数量上说必定与阶段2从电感流出到交流电源的能量相等。　

所以，在交流电源与理想电感构成的如图(05)的电路中，能量在电源和电感之间往复流动，往复的频率为交流电频率的二倍。在交流电的一个周期内，电源对负载做功的平均值为零。正因为如此，图(05)中交流电压u的有效值和交流电流i的有效值的乘积，并不表示电源做功的功率。这个乘积，称为视在功率。在图(05)电压电流相位差为90°情况下，交流电源发出的功率完全是无功功率。　

如果图(05)中的电感换成理想电容，电路达到稳态时，交流电流将超前于电压90°。从图(06)和图(07)中推出的能量流动方向在电容电路中依然适用，即交流的一个周期内，两次能量由电源流入电容，两次能量由电容返回电源。在交流的一个周期内，电源对电容做功的平均值为零。　

但是，理想情况是不存在的。导线总具有一定电阻，实际的电感也总具有一定电阻。这样的负载如图(08)所示。

图(08)　　

这种情况下，电流落后于电压的角度就不到90°，而是0～90°之间的某个值。图(09)中画出了这种情况下电压和电流波形。

图(09)　　

我们同样可以把交流的一个周期分成几个阶段来考虑。　

从电流自负而正过零点为时间的开始，阶段1到电压自正而负过零点结束，阶段2到电流自正而负过零点结束，阶段3到电压自负而正过零点结束，阶段4到电流自负而正过零点结束。　

图(09)中，阶段1里面电压与电流方向相同，电源E对电感L和电阻R做功。阶段2，电压与电流方向相反，电感L中储存的能量返回电源，同时有一部分能量消耗在电阻R中。阶段3电压与电流方向相同，电源E对电感L和电阻R做功。阶段4，电压与电流方向相反，电感L中储存的能量返回电源，同时有一部分能量消耗在电阻R中。　

我们看到，含电阻的电感性负载，在交流的一个周期内，仍然有一部分能量返回到电源。但与图(05)的理想情况不同，一个周期内返回到电源的能量只有电源输出能量的一小部分而不是全部。　

问题在于：交流电源是否允许能量返回到电源？这可不是默认确定的。某些电源允许能量返回，但另一些电源却不允许能量返回。

图(10)　　

图(10)是个很常见的音频推挽功率放大器。T1和T2是互补的两支三极管，SP是扬声器，E1和E2是直流电源。为简单起见，T1和T2的驱动电路图中未画出。　

动圈式扬声器的结构是铜或铝线绕制的音圈放置于磁铁的磁场缝隙中，音圈中通过电流时就会受到磁场作用力，推动扬声器的振膜运动发声。动圈式扬声器是典型的既含电感又含电阻的负载。　

我们知道，推挽功率放大器两支管子，可以工作于甲类、乙类或者甲乙类。　　

推挽工作于甲类，就是一个周期内任一管子中总有电流，不会中断，即在交流的一个周期内不会有一段时间电流为零。也就是说，图(11)中T1管中电流I1(用绿色表示)和T2管中电流I2(用蓝色表示)无论何时总不会中断。图(11)中我们可以看出：负载中的电流I为T1中电流I1与T2中电流I2之差。

推挽工作于乙类，就是两管轮流导通，任何时刻总有一管中电流为零，换句话说，图(11)中T1管中电流I1(用绿色表示)和T2管中电流I2(用蓝色表示)绝不会同时出现。　

推挽工作于甲乙类，就是图(11)中T1管中电流I1(用绿色表示)和T2管中电流I2(用蓝色表示)有中断之时，也有同时出现之时。　

如果图(10)中的音频推挽功率放大器工作于甲类，那么既含电阻又含电感的动圈式扬声器负载SP，在图(09)的阶段2，可以将电感中能量返回到放大器。在图(09)的阶段1，图(11)中A点电压为正，但到阶段2的开始，A点电压转为负值，由图(09)中我们看到：扬声器中电流却要继续在正方向流动。对甲类工作的推挽功率放大器来说，这不成问题：只要电流I1稍大于I2，就可以让扬声器SP中电流按照原来(阶段1)的方向流动。也就是说，对甲类推挽功率放大器来说，允许负载向电源(推挽功率放大器)返回能量。

图(11)　　

但对乙类推挽功率放大器，可就不一样了。乙类推挽功率放大器中，电流I1(绿色)和电流I2(蓝色)绝不同时出现。I2产生之时，I1必定为零。在图(09)中的阶段2，图(11)中三极管T1已经关断，三极管T2导通，SP中电流仍要按照图中红色箭头所指方向流动。但这是不可能的，因为三极管T1已经关断，T2虽然导通，但T2不允许电流反方向流动，只能从T2发射极到集电极。如果SP中电流继续按照图(11)红色箭头方向流动，结果三极管就会被击穿。　

不过，早期的晶体管收音机多数采用如图(10)那样的推挽功率放大电路和动圈式扬声器，怎么就没有发生三极管损坏的事情呢？　

那是因为，第一扬声器的电感性并不强，主要是电阻性。普通动圈式扬声器标称阻抗若为4欧，用万用表测量电阻，大约3.2欧左右。可见动圈式扬声器仍然是电阻性为主。电感性不强，返回功率放大器的能量就不会很大。第二，三极管被击穿不一定损坏，只有损耗功率超出允许值才会损坏。我们常用的稳压管，长期在击穿状态下工作，只要功率损耗在额定值之内，就不会损坏。第三，这类推挽功率放大器均工作于甲乙类状态，也就是说，当T2中电流增加到某一比较小的数值时T1才彻底关断。在T1和T2中均有电流情况下，允许扬声器中能量返回到放大器。　

然而，“即使被击穿也不会损坏”，仅限于音频功率为百多mW，顶多1～2W的便携式收音机等，如果放大器输出功率较大(当然，与之相配的扬声器也大)，从扬声器返回功率放大器的能量相对就较大，功率放大器中的管子就可能损坏。尤其是这类功率放大器为提高效率，总是让电路工作于尽量接近于乙类。　

其实从图(10)和图(11)中可以看出，要保护T1和T2不被击穿而损坏，只要与T1和T2各反并联一支二极管。反并联二极管后，扬声器中储存的能量就可以通过二极管返回到直流电源，而不会使T1和T2两端电压增加太多而击穿损坏。　

从早期音频功率放大器芯片说明书中典型应用电路，就可以看出上述关于扬声器能量返回问题。图(12)是典型的18W输出音频功率放大器芯片TDA2030A说明书中的应用电路。图中可以看到，放大器输出端(4脚)对电源正端和电源负端各接了一支普通二极管1N4001。之所以要接这样两支二极管，目的就是防止扬声器中储存的能量向推挽功率管倒流时击穿功率管，因为较大功率的音频放大器芯片往往电源电压用到极限值，没有多少富余量，而且扬声器功率较大，可以储存的能量也较大。

图(12)　　

那么，为什么不是所有的音频功率放大器芯片都要求在外部接上这么两支二极管？这是因为，多数音频功率放大器芯片把这两支二极管做到了芯片内部，这并不困难。例如，输出功率达到80W的LM12芯片就把两支二极管做到了芯片内部，如图(13)红色圈内所示。

图(13)　　

图(13)就是音频功率放大器芯片LM12内部电路，Q14和Q15就是为防止输出端负载储存能量倒流入放大器致使Q12或者Q13击穿设置的。实际上，Q14和Q15利用了其发射结，而将管子的集电极接到了电源上。

九、看懂电容器

电容器是怎么一回事 ? 它是如何装电的，又是如何放电的？怎么同法拉弟扯上关系了?

电容器是这么一回事......

它是一种装电的容器，是一种容纳电荷的器件。

任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器

绝缘介质不同，导体间距不同，其装电的本领不同的，这个我们后面再详细说。

我们理解一下

电容器是如何装电又如何放电？

电容器充电示意图

电容器放电示意图

电容器装电的本领 — 静电容量

水桶装水的本领用容积表示，基本单位:立方米.

电容器装电的本领用静电容量表示，基本单位:法拉（F）.

1法拉的意思是给1V的电压，这个电容器能装1库仑（6.25×1018个电子）电荷！

在电容器这个领域1法拉太大了……！皮法、纳法和微法才是常用的单位。

1法拉(F)=103毫法(mF)=106微法(uF)=109纳法（nF）=1012皮法（pF）

"为什么用法拉做容量的单位？"

童鞋们总是很认真!

用“法拉”做容量的单位，是让世人缅怀那个名叫“法拉弟”的牛人在电学上无与伦比的牛逼贡献！

让我们看看他有多牛逼......

他的全名叫迈克尔·法拉第——Michael Faraday

牛逼的人都叫　Michael　！

他幼年时没有受过正规教育，因家里贫穷只读了两年小学．

牛逼的人都早早退学创业去了！

他22岁开始有幸做了当时科技大咖戴维的仆人，帮老师擦鞋，做实验，跟着这个牛逼的大师在欧洲各国混江湖！

有个牛逼的导师是你是否能牛逼的前提！

他27岁开始在大师戴维的指导下，做了一系列不仅仅是擦鞋的事儿，其中在研究合金钢时首创了金相分析方法，今天科技研究合金都用这个方法….

牛逼的人干啥都像样！

他30岁时，干了一件他自己觉得很牛逼的事，发明一个只要有电通过相关机件就会转动的装置，人类历史上第一台电动机,，装置简陋，但它却是今天世界上使用的所有电动机的祖先。

但由于他没有先向当时的大牛逼导师戴维汇报就自行发表成果，大牛逼导师戴维表示很生气.他被认为不乖被打屁屁了，各门各派向他发出嘘声……

即使你已是个牛逼，但有大牛逼在场时，低调点！

在冷眼、诽谤甚至污辱中郁闷了很多年……, 他只能听服从安排去玩玻璃….，直到大牛逼戴维去世，才又做他喜欢做的事。

他40岁时，干了一件轰动江湖连当时各门各派的大咖们都觉得牛逼的大事，他用实验揭开了电磁感应定律，发明了圆盘发电机。

结构虽然简单，但它却是人类创造出的第一个发电机，现代世界上产生电力的发电机就是从它开始的。

……..他还有很多牛逼的事儿，如最先提出电场概念和电场线概念的。在电化学方面精心试验，总结了两个电解定律，这两个定律均以他的名字命名，构成了电化学的基础。他将化学中的许多重要术语给予了通俗的名称，如阳极、阴极、电极、离子等…….

法位第的劳动成果如同太阳般无私而实在地给人类带来光明动力！

是从法拉第的发明成果开始，才有我们人类社会今天五彩缤纷的世界！

法拉第的贡献惠及每个人，把人类文明提高到空前高度，把文明进程提前几百年……！

用“法拉”做容量的单位，我们就是这样率真地缅怀这个名叫“法拉弟”的牛人！

关于电容器装电的本领——静电容量的大小可以通过公式C=Q/U进行测算，当然现在有很多专用的仪器可以直接测试出来了。

关键是，电容器装电的本领——静电容量，由电极板正对面积、电极板间距和两电极板间的介质种类三决定的，公式关系如下：

即是说，电容器的绝缘介质不同，电极板间距不同，电板板正对面积不同其装电的本领不同的.

还有一点很重要的是，电容器的绝缘介质当存在某方面的优点时总会在另一方面存在缺点。

据此，为提高电容器的装电能力，或适应不同的使用场合，工程师们各显神通，创造出各有五花八门各有特点电容器。

十、盘点场效应管在电路中应用

场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。

    下文介绍场效应管MOSFET的应用。

一、场效应管MOSFET用作开关

    MOSFET很容易饱和，这就意味着说，MOSFET完全打开，且非常可靠，可以在饱和区域之间进行非常快速的切换，这就意味着MOSFET可以用作开关，尤其是适用于电机、灯等大功率应用。

    在实际应用中，可以使用与大功率设备相同的电源来操作MOSFET，使用机械开关施加栅极电压。如下图所示，使用的是N沟道MOSFET。

    或者也可以使用电子信号，例如微控制器激活MOSFET。

N沟道MOSFET

如上，N沟道MOSFET开关电路图。

    当按下按钮时，LED亮起。1kΩ 电阻充当下拉电阻，将栅极电压保持在与电池负极端子相同的电位，直到按下按钮。这会在栅极施加正电压，打开漏极和源极引脚之间的通道，并允许电流流过 LED。

P沟道MOSFET

如上，P沟道MOSFET开关电路图。

二、场效应管MOSFET用作电机驱动电路

N沟道MOSFET

    如下图所示，两个二极管反向偏置放置在电机触点和MOSFET漏极/源极引脚上。

 如上，N 沟道 MOSFET 电机驱动电路。

P沟道MOSFET

    如上，P沟道MOSFET电机驱动电路。

双向运行控制器

    如果想要一个可以双向运行的电机控制器，就把上面两个电路结合起来，如下图所示。

    如上，双向电机驱动电路图。

三、场效应管MOSFET应用在逻辑门电路中

    在这之前，先简单介绍一下逻辑门。

双输入与门（AND）

    双输入与门（AND）是最容易理解的逻辑。如下图所示。

 只有两个输入都为高时，与门（AND）的输出才会为高。如果任一输入为低电平，则输出也为低电平。

    下图为与门逻辑真值表图。

与非门（NAND）

    下图为与非门（NAND）的真值表。

逻辑门中的MOSFET

    由于MOSFET很容易在低电压和几乎可以忽略不计的电流下饱和（完全导通），就可以用它构建上面的逻辑门，进而构建及其可靠的数字逻辑系统来处理数据。

非门（NOT）

    如下图所示，PB1 将两个 MOSFET 栅极连接到 +6V，但只有 ZVN 会以正电压打开。但是，当它打开时，它将输出连接到 GND，因此 + 输入在输出处变为 GND。相反，当我们通过 PB2 将 GND 施加到输入时，只有 ZVP 打开，将输出连接到 +6V，再次反转信号。

 如上，非门电路图。

与非门（NAND）内部是什么样？

    与非门使用4个MOSFET，如下图所示。

    只有当 SWA 和 SWB 都为高电平（逻辑 1）时，LED 才会关闭（逻辑 0）。

    如上，与非门的电路图。

    如果将上面两个图结合起来会发生上面？会不会是负负得正？如下图所示。

 如上，内部的与非门。    从上图中可以看出来，外部的与非门（NAND）是与门（AND）的否定，但内部的与门（AND）实际上是由一个与非门（NAND）和一个非门（NOT）组成。所以实际上的与门也就是非与非门。 

或门（OR）

    如下图所示，或门就是或非门（NOR）和非门（NOT）组成的。

异或门（XOR）

    如下图所示，异或门也就是同或门（XNOR）和非门（NOT）组成。

 由上面几个可以证明，不管什么逻辑门，都可以用有限数量的与非门构成。

四、逻辑电路

    这个电路相对来说很简单，不过需要大量的N沟道和P沟道MOSFET或者逻辑芯片。

    在使用逻辑芯片的时候要注意以下几个点：

1）一定要避免任何静电积聚或者放电，以免损坏芯片。

2）每个芯片都有一个用于 +V 的公共引脚和一个公共 GND 引脚，这个在原理图上很容易找到。

3）任何未使用的输入引脚都应连接到 GND

4）逻辑芯片并不是用于大负载（如电机等）的大电流驱动器。

    下面将从一个简单的LED闪光灯开始。

LED闪光灯

    使用两个或非门就可以构建一个振荡器。如下图所示。

   如果想要两个来回闪烁的LED，则LED2和R2都是可以选择的。不然的话LED1将以R1和C1的值确定速率闪烁开/关。

设置/复位锁存器

    设置/复位锁存器是时序逻辑的关键组件。

    一组 8 个锁存器将形成一个 8 位存储单元的核心结构。在内存中，SR 锁存器称为 D 锁存器（数据），它与系统内核时钟一起用于确定何时进行锁存。具体如下图所示。

上面这个电路更多的是概念演示，因为在实际应用上，通常锁存器只要一个输出就够了，当按下按钮时状态之间的输出触发器时，它们将始终处于彼此相反的状态。

    当然也可以将此处的一个输出连接到第二个电路，并且将锁存器用作第二个电路的“推开”非机械开关。

两位输出的半加器

    单个的异或门（XOR）可以用作1位二进制加法器，通常添加两个与非门（NAND），就可以做成一个带有两位输出的半加器。

    先做一个或门（OR），如下图所示，由3个与非门（NAND）门组成。

 在将或门（OR）更改为或非门（NOR），只需要在 U3 的输出和 LED 之间添加第四个与非门 NAND，并将 U4 的两个输入连接在一起就可以了。

    再次使用与非门（NAND），可以构建一个同或门（XNOR）。

    将 U5 移除并将 U4 的输出连接到 R3，就可以得到一个 XOR 门。

    单个的异或门（XOR）可以用作1位二进制加法器，通常添加两个与非门（NAND），就可以做成一个带有两位输出的半加器。

全加器

    全加器需要进行一些更改（添加一个异或门（ XOR）、两个 与非门（NAND） 和一个 或门（OR）），其中添加一个输入来处理来自前一个加法器的进位信号。然后将几个加法器堆叠在一起，每个位一个加法器，以构建一个加法机。

  PB1 是位 A，PB2 是位 B，PB3 是前一个加法器块的进位位。如果我们只按PB1或PB2，我们是加1+0，只有LED 2会亮，表示值为1。如果我们同时按PB1和PB2，表示二进制加1+1，即二进制10 （表示为 10b）。这将点亮 LED1 并关闭 LED2。如果我们然后按 PB3 并再添加 1，我们得到 11b，两个 LED 都亮起。

4位加法器

    右边的第一个块（带有 A0 和 B0）可以用半加器交换，而不影响输出。它只是删除了第一个全加器上的进位（Cin），无论如何，它在这里连接到 GND。

   在这个例子中，我们将两个 4 位数字 A 和 B 相加。每个 (A0 和 B0) 的第一位在右侧相加，结果发送到 S0，任何进位位 (C1) 发送到下一个加法器. 然后将 A1 和 B1 以及来自第一个加法器的 C1 相加，结果进入输出 S1，任何进位位都在 (C2) 上发送。最后一个加法器要么显示最后的进位位 (C4)，如果有的话，或者如果没有空间或它不重要，则忽略它。

4位比较器数字锁

    如前所述，异或门（XOR ）可以用作加法器，但它们也是比较器，如果两个输入相同，则输出一个状态，如果两个输入不同，则输出反转状态。这使我们能够检查引脚的状态，并仅在正确时进行切换和输出。 

如上面所示，在日常生活中，我们经常会用到MOSFET，可以说，MOSFET是当今使用的最重要的电子元件。

    如果看到最后的话，应该可以发现，在这个文章中并没有提到说MOSFET用在放大电路中。不是不可以用作放大电路，而是根据我的经验来看，模拟信号放大器任务最好由BJT处理，而快速、大电流开关最好用 MOSFET 。

    其实这两种晶体管类型都有很多例子可以很好地双向工作。具体怎么使用，还是看大家的电路要求。

十一、共模干扰与差模干扰

1 共模信号和差模信号

    通常电源线有三根线，火线L，零线N和地线PE。

    电压和电流的变化通过导线传输时有两种形态, 一种是两根导线分别做为往返线路传输, 我们称之为"差模"；另一种是两根导线做去路,地线做返回传输, 我们称之为"共模"。

    如上图, 蓝色信号是在两根导线内部作往返传输的，我们称之为"差模"；黄色信号是在信号与地线之间传输的，我们称之为"共模"。

2 共模干扰与差模干扰

    任何两根电源线上所存在的干扰，均可用共模干扰和差模干扰来表示。

    共模干扰在导线与地（机壳）之间传输，属于非对称性干扰，它定义为任何载流导体与参考地之间的不希望有的电位差；

    差模干扰在两导线之间传输，属于对称性干扰,它定义为任何两个载流导体之间的不希望有的电位差。

    在一般情况下，共模干扰幅度大、频率高，还可以通过导线产生辐射，所造成的干扰较大。差模干扰幅度小、频率低、所造成的干扰较小。

共模干扰信号

    共模干扰的电流大小不一定相等，但是方向（相位）相同的。电气设备对外的干扰多以共模干扰为主，外来的干扰也多以共模干扰为主，共模干扰本身一般不会对设备产生危害，但是如果共模干扰转变为差模干扰，干扰就严重了，因为有用信号都是差模信号。

差模干扰信号

    差模干扰的电流大小相等，方向（相位）相反。由于走线的分布电容、电感、信号走线阻抗不连续，以及信号回流路径流过了意料之外的通路等，差模电流会转换成共模电流。

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共模干扰产生原因

• 电网串入共模干扰电压。
• 辐射干扰（如雷电，设备电弧，附近电台，大功率辐射源）在信号线上感应出共模干扰，原因是交变的磁场产生交变的电流，地线－零线回路面积与地线－火线回路面积不相同，两个回路阻抗不同等原因造成电流大小不同。
• 接地电压不一样，简单的说就电位差而造就了共模干扰。
• 设备内部的线路对电源线造成的共模干扰。

共模干扰电流

    共模干扰一般是以共模干扰电流存在的形式出现的，一般情况下共模干扰电流产生的原因有三个方面：

• 外界电磁场在电路走线中的所有导线上感应出来电压（这个电压相对于大地是等幅和同相的），由这个电压产生的电流。
• 由于电路走线两端的器件所接的地电位不同，在这个地电位差的驱动下产生的电流。
• 器件上的电路走线与大地之间有电位差，这样电路走线上会产生共模干扰电流。

注意事项

• 器件如果在其电路走线上产生共模干扰电流，则电路走线会产生强烈的电磁辐射，对电子、电气产品元器件产生电磁干扰，影响产品的性能指标；
• 当电路不平衡时，共模干扰电流会转变为差模干扰电流，差模干扰电流对电路直接产生干扰影响。对于电子、电气产品电路中的信号线及其回路而言：差模干扰电流流过电路中的导线环路时，将引起差模干扰辐射，这种环路相当于小环天线，能向空间辐射磁场，或接收磁场。
• 共模干扰主要集中在1MHz以上。这是由于共模干扰是通过空间感应到电缆上的，这种感应只有在较高频率时才容易发生。但有一种例外，当电缆从很强的磁场辐射源(例如，开关电源)旁边通过时，也会感应到频率较低的共模干扰。

如何抑制共模干扰

    共模干扰作为EMC干扰中最为常见且危害较大的干扰，我们抑制它最直接的方法就是滤波。

    在电路中串入共模电感，当有共模干扰电流流经线圈时，由于共模干扰电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模干扰电流，达到滤波的目的；

    当电路中的正常差模电流流经共模电感时，电流在同相绕制的共模电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消，因而对正常的差模电流基本没有衰减作用。

案例——USB信号上的共模干扰抑制方法

    上图，USB 端口的滤波处理－使用共模电感。

    USB 传输线上的信号是差分信号而干扰源是共模干扰信号，在传输线上串上共模电感能较好的抑制共模干扰，而对有用的差分信号没有任何衰减。

    上图，USB 高速运行会在DM/DP信号线上产生很强的共模干扰。

    上图，电路中加入滤波器－共模电感后共模干扰信号得到有效抑制。

    如果共模干扰源是在电源回路，可使用共模电容来抑制干扰信号。

    在电路中引入共模电容，则共模电容提供最短的路径使共模干扰信号被旁路，从而抑制共模干扰的产生。

    如果电源回路同时还存在差模干扰，使用差模电容来抑制干扰。

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    在电路中引入差模电容，则差模电容提供最短的路径使差模干扰信号被旁路，从而抑制差模干扰的产生。

    共模干扰作为EMC干扰中最为常见且危害很大的干扰,抑制它的方法除了滤波外，还可以通过对信号线路进行屏蔽，在PCB 板上大面积铺地降低地线阻抗来减少共模信号强度等方法。