51c嵌入式~电路~合集27

我自己的原文哦~      https://blog.51cto.com/whaosoft/13883739

一、7805应用电路

简介

    如上图，7805 集成稳压电路。

    7805是串联式三端稳压器，三个端口分别是电压输入端（IN），地线（GND），稳压输出（OUT）。当IN-GND之间的电压超过 7V 以上，输出端与 GND 之间的电压就会稳定在 5V。下面是 7805 最常见到的 应用电路。​​[付费]毕设项目资料包​​

    上图，7805典型稳压工作电路。

如果将 7805 的 GND 端与电路地线之间增加一个偏置电压    ，那么电路的输出也会变成   。如果将偏置电压看成一个输入变化信号，那么 7805 的输出中也存在着与输入信号同向的信号分量。

    上图，7805输出电压调整。​

跟随放大器

    利用 7805 的 GND 与 OUT 之间的恒差跟随特性，那么可以形跟随放大器。输入信号有 7805 的 GND 输入， 它的输出信号中就包含有输入信号。由于 7805 具有很强的电流输出能力，所以这个跟随放大器具有功率放大功能。

    上图，基于7805 构成的功率放大器。

    下面是示波器观察到的 7805 跟随放大器的输入与输出信号波形。由于 7805 内部电路作用，这个放大电路的频率带宽相对比较低，只有几百赫兹。

    上图，7805功率放大器输入（蓝色）输出信号（青色）。​

电容三点式振荡器

    由于 7805 从 GND 到 OUT 之间有很大的电流放大能力，所以可以使用它构成 Colpits 电容三点式振荡器。下图给出了振荡电路图。 这个电路是由 L1,C3,C2 组成谐振回路，利用 7805 的电流放大能力不断在 C3 中补充电感，从而维持 LC 回路振荡。

    上图，基于7805 的 Colpits 电容三点式振荡器。

    如下是测量 7805 的输出端展示的 正弦振荡波形，振荡频率为 18.99kHz。计算 L1,C3,C2回路的谐振频率如下，可以看到这个频率与实测振荡器的频率很接近。

    上图，基于7805 的 Colpits振荡器输出波形。

    这个震荡器输出的信号还有一点非常奇怪，那就是它具有双周期特性，也就是在相邻两次振荡周期中，它的波形不一样，这是混沌电路的典型特征。​

总结

    当然，上面两个电路并没有特别的使用价值。通过这两个特殊的用法，可以让我们对于 7805 集成芯片有了更深入的了解。

二、LoRa的特性及其物联网创新应用分析

本文中，DigiKey介绍了LoRa技术的低功耗、远距离通信优势，以及其在物联网领域的广泛应用和未来创新方向。

LoRa（长距离）是一种低功耗广域网（LPWAN）通信技术。它是一种专为长距离连接和低功耗通信设计的新型无线调制方法。它主要用于需要长距离通信、低功耗、高可靠性和低数据速率的物联网（IoT）应用。

在开放空间中，它的通信距离可以超过 10 公里，而在城市环境中，其范围通常为几公里。这使得它成为大规模物联网应用的绝佳选择。

LoRaWAN 定义了网络的系统架构和通信协议。它是 LoRa 的网络层协议，由 LoRa 联盟推广。LoRa 联盟建立了全面的标准化协议体系，并促进了多个制造商之间的协作生态系统。

DigiKey提供：Würth Elektronik Daphnis-I 无线电模块专为 LoRaWAN 应用而设计

 DigiKey提供：EDATEC ED-GWL2010 是基于 Raspberry Pi 4 平台构建的紧凑型高性能室内 LoRaWAN 网关

LoRa 引领物联网革命：关键优势与创新

低功耗： LoRa 技术专为节能运行设计，使设备能以最低能耗传输数据。因此，搭载 LoRa 的设备单块电池续航可达 5 至 10 年，非常适合难以频繁更换电池的应用场景。

数据速率与通信距离： 它支持 0.3 kbps 至 50 kbps 的数据速率。尽管与高功耗协议的标准相比相对较低，但这对物联网应用中的​传感器数据传输完全足够。

线性调频扩频（CSS）技术： LoRa 采用线性调频扩频（CSS）技术，提升了抗噪声和抗干扰能力，即便在复杂环境中也能实现稳定的数据传输。凭借强大的抗干扰特性，单个 LoRa 网关可支持数千到数万个节点，非常适合大规模物联网应用。

频段与安全性： LoRaWAN 工作在免授权的 ISM 频段（欧洲 868MHz、美洲 915MHz、亚洲 433MHz），无需承担高额的频谱授权成本。
它支持 AES-128 加密，确保数据传输安全可靠。

应用领域： 作为领先的 LPWAN（低功耗广域网）技术之一，LoRa 广泛应用于智慧城市、智慧农业、环境监测、能源管理和工业自动化领域。LoRa 还在不断拓展新应用，如精准定位、医疗监测、物流追踪和智能家居解决方案。​

未来创新与市场潜力：

• LoRa 芯片 / 模块演进： 支持更高效、更低功耗的应用。
• LoRa Edge ： 实现低功耗定位与端到端物联网解决方案。
• 与 AI 和边缘计算集成： 在智慧农业、生态保护等领域，增强可持续发展的智能应用。
• 网络部署与管理工具升级： 降低运营成本。
• 强大市场潜力： 凭借功耗低、通信距离远、成本效益高的优势，LoRa 将在不断扩展的物联网领域继续发挥关键作用。

三、ADC/DAC设计经典问答

关于ADC/DAC设计经典问答，涵盖时钟占空比、共模电压、增益误差、微分相位误差、互调失真等常见问题。

1. 什么是小信号带宽（SSBW）？

小信号带宽（Small Signal Bandwidth （SSBW））是指在指定的幅值输入信号及特定的频率下，它的输出幅值比低频时的输出幅值下降指定值时，该特定频率为小信号带宽。

2. 什么是共模电压（VCM）？

共模电压（Common Mode Voltage （VCM ））是差动输入的两个引脚上相同的直流输入电压。

3. 什么是MSB（最高有效位）？

MSB（最高有效位（Most Significant Bit）），是具有最大的值或权重的位。它的值是满量程的一半。

4. 什么是采样（孔径）延时？

采样（孔径）延时（Sampling （Aperture） Delay）是时钟输入的后边缘到采样开关打开所需的时间。采样/保持电路有效地停止输入信号捕获，并进入“保持”模式，确定时钟延时后的采样。

5. 什么是满量程（FS）输入范围？

满量程输入范围（Full Scale Input Range），是指模数转换器上数字化的输入电压的输入范围，既不低于这个范围也不超过这个范围。比如 V REF + = 3.5V 和 VREF - = 1.5V， FS = （VREF + ）-（VREF - ） =2.0V。

6. 什么是时钟占空比？

时钟占空比（Clock Duty Cycle）是时钟波形高电平时间和一个时钟周期总时间的比值。

7. 什么是位的有效数（ENOB ，或有效位）？

位的有效数（ENOB ，或有效位）（Effective Number of Bits （ENOB， 或Effective Bits））是信噪比和失真的比率，或SINAD的另一种表达方法。ENOB定义为（SINAD -1.76）/ 6.02，这个位数（ENOB）表示转换器是与理想的模数转换器等效。

8. 什么是增益误差？

增益误差是在第一个代码和最后一个代码发生转换时，实际输人电压与理想输人电压之差。即，这个差值是：满量程 - 2 LSB。

9. 许多模数转换器在数据手册中提供的应用，在Va， Vd 和Vref引脚上出现了三个电容。这三个电容器都是必须的吗？

根据特定器件和电路板的布局，一个或两个电容可能就足够了。较大的电容，通常是5到10？F的，提供了低阻抗大容量存储，在转换期间保证了电压的稳定性。较小值的电容器吸收较高频率的噪音尖峰。如果印制电路板具有非常好的布局用于低噪声工作，而且不包含一个微控制器或其他的嘈杂的数字逻辑，可能需要更少的电容器。但是为使ADC工作电平精度获得保证，一般情况下最好是遵循数据手册的推荐。

10. 什么是零误差？

ADC双级输出的零误差是理论的输入电压（典型的是中心值加1/2LSB）和实际输入电压之间的差异，这个实际输入电压引起了输出从0到1的转换。

11. 什么是输出保持时间？

输出保持时间是指在输入时钟边缘后输出有效数据的时间长度。

12. 什么是分辨率？

分辨率是模拟增量，相当于1 LSB转换器代码的变化。分辨率也被定义为转换器位数（n）的个数。数字代码的个数等于2^n，其中“n”是位的个数。举一个例子，一个12位转换器模拟信号和2 ^ 12 = 4096数字编码的映射关系。12位模数转换器的分辨率，是输入电压的满量程除以2^12，或4096，不会引起输出代码超出范围。

13. 什么是微分相位误差？

微分相位误差（Differential Phase Error）是指，小信号正弦波在两个不同的直流（DC）输入电平重构下，输出相位的差。

14. 什么是模/数转换器的动态指标？

模/数转换器的动态指标（DynamicSpecifications）涉及到那些交流（AC）输入信号。这些包括信/噪比（SNR），SINAD（信号噪声+失真），ENOB（有效位数），THD（总谐波失真），IMD（互调失真），FPBW（全功率带宽），SSBW（小信号带宽）。

15. 什么是互调失真（IMD）？

互调失真（Intermodulation Distortion），是指没有出现在输入端，作为两个正弦曲线的频率同时作用于模数转换器的输入，而形成的额外的频谱成分。它被定义为在互调积中的能量和原始频率中的总能量比值。互调失真（IMD）通常用分贝（dB）来表示。

16. 什么是增益温度系数（满量程温度系数）？

增益温度系数（满量程温度系数）是指增益误差变化量和温度变化量的比值。通常用每百万分之/ 摄氏度（ppm/°C）表示。

17. 什么是总谐波失真（THD）？

总谐波失真（THD），用dB或dBc表示，是指总的谐波电平（美国国家半导体模数转换器是9个谐波段）和输入信号的倍频出现在输出的电平。总谐波失真（THD）计算方法如下：THD=“sqrt”［ （ f2xf2 + f3xf3 +f4xf4 + f5xf5 + f6xf6 + f7xf7 + f8xf8 + f9xf9 + f10xf10） / （f1xf1） ］ f1是输入信号的基频，f2 到f10这9个谐波频率是基频的倍频。

18. 什么是零刻度偏移误差？

单极输出模数转换器的零刻度偏移误差是指理想的输入电压（1/2 LSB） 和实际输入电压之间的差，引起输出代码由0到输出代码1的转换。

19. 什么是全功率带宽（FPBW）？

全功率带宽（FPBW）是指满量程输入在重构的输出基频下降到3分贝时低于其低频值的频率。

20. 什么LSB（最低有效位）？

LSB（最低有效位），是指所有位中最小的值或权值。这个值是m*VREF/2 n，其中：“ m ”为主，是基准量程因子（这是最常见的单位），其中“n”是模数转换器的分辨率。

21. 怎样才能消除模数转换器时钟线和控制线上的超调量和/或欠调量？

超调量和/或欠调量，是由高速信号边缘和不匹配信号终端混合引起的。增加一个47-100Ω电阻串联到输入，电阻要尽可能的靠近时钟源。目的是为了和时钟线上的信号阻抗匹配，输电线路也应该这样考虑。串联的终端用一个小的附加电源，为减少摆动效应通常是足够了。

22. 什么是输出延时？

输出延时是指输入时钟的后边缘到数据更新出现在输出引脚的延迟时间。

23. 什么是孔径抖动？

孔径抖动是指采样值间孔径延时的变化。孔径抖动作为输入噪声出现。

24. 什么是信号噪声及失真比（S/（N+D） 或 SINAD） ？

信号噪声及失真比（S/（N+D） 或 SINAD），用分贝表示（dB），出现在输出的输入信号的有效值和所有其他光谱成分的有效值的比值，频谱成分包括低于时钟频率一半频谱的谐波，但不包括直流。

25. 什么是满量程阶跃响应？

满量程阶跃响应，定义为VIN从VREF-变化到VREF+，或从VREF+变化到 VREF-，为转换器设定足够的恢复，并满足其额定精度的转换所需的时间。

26. 什么是通道延时（潜伏期）？

通道延时（潜伏期），是指转换启动到转换的数据出现在输出驱动级时之间的时钟周期的数量。数据对于任何给定的采样是可利用通道延时加上输出延迟后进行采样。每隔一个时钟周期，可得到新的数据，但数据落后于通道延时加上输出延时。

27. 什么是模拟 /数字转换器的静态指标？

静态指标是关于模数转换器的直流（DC ）信号输入的指标。这些包括增益误差，偏移误差，以及微分与积分线性误差。

28. 什么是总不可调整误差（TUE）？

总不可调整误差（Total Unadjusted Error（TUE）），是指理想的情况下数字代码的中心和输入电压范围相关的电压的最大偏差。总未调整误差包括偏移误差，增益误差，以及微分与积分非线性误差。

29. 什么是满量程误差？

满量程误差，是最后代码的转换离理想的1个 1/2 LSB 以下VREF +到多大范围的测量，并定义为：VFSE =Vmax + 1.5 LSB- VREF + ，其中Vmax是转换为最大代码时的电压，可以用伏特表示，最低有效位或满量程范围的百分数。

30. 什么是转换时间？

转换时间是指模数转换器完全一个转换所需的时间。转换时间不包括采样时间，多路复用器设置时间，或完成一个转换周期的其他部分，转换时间可能少于吞吐量时间。

31. 什么是电源抑制比（PSRR） ？

电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio），可分为两种规格。直流电源抑制比（DC PSRR ）是特定参数的变化量（例如，满量程误差）和一个电源电压指定变化量的比值。交流电源抑制比（AC PSRR）是衡量一个电源上叠加的特定频率和振幅的信号，这个信号在输出上的输出振幅，和它在电源引脚上的振幅的比值。电源抑制比（PSRR）通常用分贝表示。

32. 什么是遗漏码？

遗漏码，是那些输出码被忽略的，或将永远不会出现在模数转换器输出的。这些码不能通过任何输入值。

33. 什么是吞吐量率？

吞吐率是模数转换器最高的连续转换率。

34. 什么是信噪比（SNR）？

信噪比（SNR）是一个比率，用分贝（dB）表示，出现在输出的输入信号的有效值和所有其他频谱成分（低于采样频率的一半，除谐波分量和直流分量外）总和的有效值的比率。信噪比 （SNR）是信号电平的有效值与各种噪声（包括量化噪声、热噪声、白噪声等）有效值之比的分贝数。其中信号是指基波分量的有效值，噪声指奈奎斯特频率以下的全部非基波分量的有效值（除谐波分量和直流分量外）。

35. 什么是吞吐时间？

吞吐时间是指转换器完成一次转换所花的时间。吞吐时间包括任何多路复用器的建立时间，采样时间，转换时间，输出显示时间。

36. 什么是直流共模误差？

直流共模误差（DC Common-Mode Error）是用于模数转换器的差分输入的一个规格。当两个输入上的模拟电压被改变相同的值时，发生输出代码的变化量。它通常用LSBs表示。

37. 什么是偏置误差？

ADC的偏置误差定义为使最低位被置成“1”状态时ADC的输人电压，与理论上使最低位被置成“1”状态时的输人电压之差。

38. 印制电路板的电源地是否应作为数字和模拟的共同地？

是的，他们应该是一样的。但是重要的是，要慎重给所有电源和信号布线以使地电流与电源和信号分开。

四、PCB Layout设计要点全解析

在电子电路系统中，印刷电路板（PCB）是承载电子元器件、实现电气连接的关键载体，而PCB Layout（印制电路板布局布线）设计则是决定PCB性能优劣的核心环节。从电子产品的信号完整性到电磁兼容性，从产品的可靠性到生产成本，PCB Layout设计的质量都起着决定性作用。以下将从多个维度，对PCB Layout设计的核心要点进行全面解析。

特殊元器件的布局

• 发热元件应放置在有利于散热的位置，例如PCB的边缘，并远离微处理器芯片;
• 特殊的高频元件应紧挨着放置，以缩短他们之间的连线;
• 敏感元件应远离时钟发生器、振荡器等噪声源;
• 可调电感器、可变电容器、按键开关、电位器等可调元件的布局应符合整机的结构需求，方便调节;
• 质量较重的元件应采用支架固定;
• EMI滤波器应靠近EMI源放置。

晶振的摆放

晶振由石英晶体构成，容易受外力撞击或跌落的影响，所以在布局时，最好不要放在PCB边缘，尽量靠近芯片摆放。

晶振的摆放需要远离热源，因为高温也会影响晶振频偏。

器件去耦规则

在印制版上增加必要的去藕电容，滤除电源上的干扰信号，使电源信号稳定，推荐电源经过滤波电容后连到电源管脚上。

对于IC的去耦电容的摆放

每个IC的电源端口附近都需要摆放去耦电容，且位置尽可能靠近IC的电源口，当一个芯片有多个电源口的时候，每个口都要布置去耦电容。

电解电容远离热源

在设计时，PCB工程师首先要考虑电解电容的环境温度是否符合要求，其次要使电容尽可能的远离发热区域，以防电解电容内部的液态电解质被烤干。

贴片之间的间距

贴片元器件之间的间距是工程师在layout时必须注意的一个问题，贴片之间的间距既不能太大（浪费电路版面），也不能太小，避免焊锡膏印刷粘连以及焊接修复困难。

间距大小可以参考如下规范：

• 相同器件：≥ 0.3mm
• 不同器件：≥ 0.13×h+0.3mm（h为周围近邻与器件最大高度差）
• 手工焊接和贴片时，与器件之间的距离要求：≥ 1.5mm。

元器件引线宽度一致

保留未使用引脚焊盘

比如上图一个芯片其中两个引脚不要使用的情况，但是芯片实物引脚是存在的，如果像上图右边的方式两引脚就处于悬空状态很容易引起干扰。

如果芯片引脚本身内部属于未连接，加上焊盘再把焊盘接地屏蔽能避免干扰。

使用过孔需谨慎

在几乎所有PCB布局中，都必须使用过孔在不同层之间提供导电连接，PCB设计工程师需特别小心，因为过孔会产生电感和电容，在某些情况下，它们还会产生反射，因为在走线中制作过孔时，特性阻抗会发生变化。

同样要记住的是，过孔会增加走线的长度，需要进行匹配，如果是差分走线，应尽可能避免过孔，如果不能避免，则应在两条走线中都使用过孔，以补偿信号和返回路径中的延迟。

五、InnoMux2-EP

打破GaN高压应用瓶颈！看InnoMux2-EP如何构建多路输出电源耐压基准

在工程实践中，氮化镓（GaN）器件的高开关频率和低导通电阻特性，为电源设计带来了显著的效率提升和功率密度优势，使得我们在电源设计方面有了更大的选择空间。但实际应用的要求也越来越严苛，以电动汽车电源系统为例，车载充电系统和充电桩的设计面临前所未有的挑战。以800V平台为代表的高压系统正在成为主流，为了提升充电效率，整车和配套设施往往需要支持1000V以上的直流母线输入，同时输出多路低压控制电压。这要求电源不仅具备极高的耐压能力，还要在紧凑空间内完成多路高精度输出，并满足严苛的车规级要求。

传统设计通常依赖碳化硅器件或多级DC-DC转换架构来实现高压耐受与输出精度，但这类方案不仅电路复杂、体积大、成本高，还在效率和散热方面存在明显短板。尤其是在1000V以上的直流母线场景下，现有方案往往需要多个高压器件串联才能勉强满足设计要求，同时引入更多的驱动、隔离和保护电路，导致系统可靠性下降，设计周期拉长。这种“堆料式”的电源方案在现代应用中正面临越来越多的限制。

那么，是否存在更优的方案解决上述问题呢？

招招瞄准行业痛点

InnoMux2-EP，基于PI自主开发的PowiGaN技术，是目前唯一具备1700V耐压能力的氮化镓集成开关芯片，将氮化镓从以往擅长的中低压市场扩展到了更具挑战的高压工业和新能源应用场景。接下来，我们结合实际工作应用痛点，来看看InnoMux2-EP是如何进行技术创新的。

痛点一：动辄高达1000V的直流母线电压应用

在1000V以上直流母线的高压应用场景中（如光伏逆变器、工业电机驱动、储能PCS、电动汽车充电桩等），现有方案依赖多器件串联架构，面临着均压问题、驱动电路复杂度指数升级、保护电路可靠性下降、开关损耗占比陡增、EMI治理难度大、热管理复杂度高、测试验证成本剧增等诸多压力。

相较于碳化硅材料复杂的制造工艺和居高不下的成本，PI PowiGaN技术通过一种创新的级联结构，将氮化镓晶体与MOSFET器件高效结合，成功实现了增强型常关结构，彻底解决了氮化镓天然常通的问题。同时，这种结构不仅保障了器件在高压环境下的安全性和可靠性，更在制造成本上有明显优势。

如下表所示，InnoMux2-EP将内部集成的氮化镓开关耐压扩展到1700V。

InnoMux2-EP采用的1700V PowiGaN技术，可轻松应对高达1000V的直流母线电压，甚至能够稳定抵抗电网波动和瞬态尖峰电压的冲击。根据实际测试数据，这款芯片在1360V工作条件下仍保留了约80%的裕量降额空间，这意味着在实际应用中，设备的可靠性得到了明显增强，有效降低了工程师对传统碳化硅器件的依赖。如下图所示，InnoMux2-EP在1000V以上输入电压时，具有显著的优势。    

值得一提的是，实际测试显示，InnoMux2-EP芯片的极限耐压值甚至达到了2100V，这充分展现了该技术在高压电源应用中的潜力。对于工程师而言，这意味着在应对电网波动、突发尖峰电压等复杂工况时，有了更多的安全冗余空间和设计灵活性。因此，无论是从性能可靠性、经济效益，还是未来应用拓展的角度来看，1700V PowiGaN都代表着氮化镓技术在高压电源领域的重大突破，不失为一种新的选择。

痛点二：“两级架构”所带来的效率损耗、成本增加

传统的多路输出电源方案通常采用“两级架构”，也就是先通过前级AC-DC或高压DC-DC实现初步降压，再经多个独立的DC-DC稳压模块分别提供不同电压等级的输出。这种方案虽然能保证每路输出的精度，但对工程师而言，这种设计结构复杂、元件数量多，效率损耗明显，整体成本也相对较高。此外，器件数量的增加也给电源设计的可靠性和系统能效带来了挑战。

如下图所示，InnoMux2-EP采用了单级反激式多路输出架构，配合次级侧数字控制技术，可以在单一的变换级内精准控制最多三路独立输出。具体而言，InnoMux2-EP通过次级侧控制IC实现对每一路输出电压的独立监测和调节，电压精度可控制在±1%以内，尤其适合5V与24V等不同电压等级同时输出的精密电压需求场景。这种设计省去了传统后级额外的DC-DC稳压电路，减少了元器件数量，提升了整体能效，降低了设计成本，同时大幅减小了PCB布局空间。

此外，由于减少了转换级数，系统整体的热损耗明显降低。这使得电源即使在没有散热片或复杂散热装置的情况下，也能保持高效且可靠地运行，尤其适合在工业环境或空间受限的应用场景使用。

痛点三：功率开关损耗高

在高压、高频电源设计中，功率开关的损耗一直是影响整体效率的关键因素之一。特别是工业电源应用，由于输入电压通常较高，开关器件的损耗更加明显。传统的解决方案往往需要增加有源钳位或其他复杂电路来实现软开关，但这种方式无形中增加了成本与电路复杂度，也给系统可靠性带来了额外的挑战。

针对这一问题，InnoMux2-EP直接在芯片内部集成了零电压开关（ZVS）技术。具体而言，InnoMux2-EP利用其自主研发的同步整流零电压开关技术，通过在初级开关管导通之前，让次级侧的同步整流MOSFET短暂导通，从而在变压器次级绕组中建立一个反向电流。这个反向电流再通过变压器耦合回初级侧，帮助初级侧的功率开关实现零电压开启。这种设计有效地从源头降低了开关损耗，尤其在高压输入和高频开关条件下，其效果更为显著。这种集成的零电压开关技术不仅简化了电路结构，减少了元器件数量和成本，同时也提升了电源整体可靠性和使用寿命。          

痛点四：反馈控制精度不足、响应速度慢

传统的隔离式电源设计一般使用光耦或辅助绕组进行反馈控制，但这些方法存在精度不足、响应速度较慢以及长期使用性能易衰减等缺点，尤其是在多路输出应用场景中，难以精确独立地控制每一路输出电压。

为了解决这些问题，PI FluxLink磁感耦合隔离技术，通过磁感耦合的方式将次级侧的控制信号安全可靠地传递给初级控制器，不需要使用光耦或额外的反馈隔离电路。与传统方案相比，FluxLink在长期稳定性、温度稳定性和动态响应速度方面都有明显优势。

具体到InnoMux2-EP系列产品，FluxLink不仅实现了基础的反馈和隔离功能，更进一步实现了对多路输出之间的精准协调控制。次级侧控制器通过FluxLink快速准确地向初级侧反馈功率需求信号，从而确保每一路输出电压都能精准地进行独立调节。实际测试显示，每路输出电压的控制精度能达到±1%以内，这一指标在目前的多路输出电源设计中处于领先水平，特别适用于工业仪器、通信设备、家电控制等高精度应用领域。

此外，得益于FluxLink技术，InnoMux2-EP的安全隔离性能也得到了显著提升，并顺利通过了严苛的4000VAC绝缘强度认证，满足UL1577和TUV（EN62368）等国际安全标准。对于工程师而言，这不仅提升了设计的安全裕量，更大幅简化了整体的电源方案设计过程。

如下图所示，InnoMux2-EP具有出色的稳压精度。

PI InnoMux2-EP性能表现

90%以上整体能效

电源的效率一直都是工程师在进行设计时最为关注的指标之一。InnoMux2-EP系列通过结合先进的1700V PowiGaN技术与创新的零电压开关（ZVS）设计，成功实现了在最高1000VDC电压输入条件下稳定达到90%以上的整体能效。如下图所示，在200-1000VDC的输入电压范围内，InnoMux2-EP的满载效率都稳定地超过了90%。

低待机/空载功耗：应对严苛节能法规

InnoMux2-EP芯片内部集成了EcoSmart高效节能技术和精确的功率管理机制，即使在极低负载甚至空载情况下，也能保持极佳的能效表现。如下图所示，InnoMux2-EP在输入功率仅为300mW的极轻载条件下，其输出功率仍能达到203mW；而在1000VDC输入电压下，空载功耗甚至低至60mW以下。          

可靠性更进一步

InnoMux2-EP依靠创新的1700V PowiGaN技术，单芯片即可承受高达1700V的电压。这样不仅大幅减少了元器件数量，也从根本上消除了因多个元器件串联导致的不一致性风险。此外，该芯片还内置了全面的保护机制，包括输入过压保护（OVP）、输入欠压保护（UVP）、过温保护（OTP），以及每一路输出都具备独立的过载保护功能。这些保护功能通过芯片内部的初级和次级控制器实时监测并作出快速反应，进一步提高了电源系统在复杂环境下的稳定性与安全性。          

性价比之选：可替代碳化硅方案

长期以来，碳化硅材料因成本较高、制备工艺复杂，造成产品整体成本难以下降，制约了其在产业中进一步普及应用的步伐。InnoMux2-EP系列产品通过引入氮化镓技术，提供了一种高性价比的替代方案。氮化镓在材料、生产工艺和封装成本方面均具备明显优势。PI自主研发的PowiGaN工艺技术，成功地使1700V氮化镓器件的成本更接近传统硅MOSFET的水平，同时性能和可靠性均明显优于碳化硅。

小型化：提升功率密度

InnoMux2-EP采用的单级反激多路输出架构，省去了额外的DC-DC稳压模块，大幅减少了元器件的使用数量与电路布局面积。更高的集成度带来了更紧凑的系统设计，使设备功率密度显著提升，满足当前工业设备、电动车充电系统、太阳能逆变器等对空间和布局要求严格的场景。如下图所示，InnoMux2-EP的封装具有小型化的特点，功率密度高，同时降低了PCB设计复杂度。    

总结

总的来说，InnoMux2-EP系列的发布，让氮化镓第一次真正走进了以前一直由碳化硅主导的高压领域，让氮化镓芯片也能轻松应对高电压场景。

对用户和开发人员而言，这意味着我们用更少的成本，就能实现过去只有碳化硅才能做到的性能，而且产品使用起来更省电、更耐用、维护也更少。InnoMux2-EP可以说为工业设备、电动车、新能源系统甚至家电产品提供了一个性能更好又更经济实惠的选择。

六、xxx