嵌入式-数模电-三极管NPN&PNP-依次输出高低电平

一：二极管

二极管是一种简单的电子器件，它由两个掺杂不同类型半导体材料所组成。常见的二极管有正向工作的正向导通二极管和反向工作的反向截止二极管两种，左边正极右为负极。

• 正向导通二极管（常用的普通二极管和发光二极管）在正向偏置（正偏）时，将会形成一个低电阻值通路，电子流可以通过二极管从正极流入负极。而在反向偏置（反偏）时，二极管的电阻会非常大，只有微弱的反向漏电流。

• 反向截止电流则恰好相反，反向偏置时将形成一个高阻断电路，并且二极管的反向电流非常小。而在正向偏置时，二极管也无法导通。

• 正偏&反偏
  

二：三极管（由两个背靠背的二极管组成）

2.1 三极管记忆知识点

NPN型：加正向电压输出高电平，也就是输出1.
PNP型：加正向电压输出低电平，也就是输出0.

三极管（Transistor）：
三极管是一种由三个半导体区域组成的电子元件，通常是NPN或PNP型。它具有三个引脚：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。三极管是一种可控电流放大器，可以根据输入信号的变化来控制输出电流。它可以作为开关或放大器使用。在放大器应用中，输入信号作用在基极上，通过控制基极电流，可以放大电流并将其输出到集电极。在开关应用中，基极电流的变化可以控制集电极与发射极之间的电流流动，实现开关功能。

对于 NPN 三极管：

• 当基极与发射极之间施加正向电压时，导通状态，即高电平输出。
• 当基极与发射极之间施加反向电压时，截止状态，即低电平输出。

对于 PNP 三极管：

• 当基极与发射极之间施加负向电压时，导通状态，即高电平输出。
• 当基极与发射极之间施加正向电压时，截止状态，即低电平输出。

因此，对于 NPN 三极管，当输入高电平时，输出也会是高电平；而对于 PNP 三极管，当输入低电平时，输出会是高电平。

2.2 三极管工作原理

上面三极管为 NPN 类型，游离的电子被吸引（高电平）或者排斥（低电平）

区分：
NPN类型：高电压导通，低电平截止（常见）。

PNP类型：base低电压导通，高电平截止

三：BJT晶体管的应用

3.1 原理介绍

• 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极性晶体管（BJT），又称半导体三极管。
  以NPN为例进行说明：
  
  1、截止区。其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置，对于共射电路，Ube<=Uon,且Uce>Ube,此时，Ib=0,Ic≈0；
  2、饱和区。其特征是发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置，对于共射电路，Ube>Uon,且Uce<Ube,此时，随着Ib的增大，Ic增大不多或基本不变；
  3、放大区。其特征是发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置，对于共射电路，Ube>Uon,且Uce大于等于Ube,此时Ic=A *Ib。

3.2 应用说明

实际应用时，晶体管常作开关使用，放大电路使用集成电路。此时，晶体管工作在截止区和饱和区 .

• 截止区，Ic≈0，此时，P=Ic*Uce很小；
• 饱和区，Uce深度饱和电压很小，P=Ic*Uce相对也很小。

3.3 项目实战

• BJT晶体管是驱动电路常用的开关型器件，应用时需要让晶体管工作在截止与深度饱和区。
• BJT 晶体管是流控型期间，小电流控制大电流，于MOS管不同的是，晶体管的驱动电流Ib很小，对驱动源的要求很低，通常，单片机的IO口可以直接驱动。
• BJT晶体管工作在饱和区时，尽管Uce很小，如果Ic很大，发热还是很大的，所以，常用作小功率器件驱动与大功率MOS管的前级驱动。

3.3.1 驱动蜂鸣器

BUZ为高电平，蜂鸣器工作，还可以在蜂鸣器上面接一个电阻分压，保护电路，不至于电流过大

3.3.2 与PMOS组成电源开关

• PMOS导通的条件是：G极电平比S极低１０V以上
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3.3.3 图腾柱驱动电路

• 图腾柱输出电路是一种常见的功率放大拓扑，主要由两个串联的功率晶体管组成，一个是NPN型管，另外一个是PNP型管。
• 工作说明：
• 1.PWM为高电平，Q4导通，Q3截止，U8的寄生电容Cgs通过Q2与R6放电，U8关闭；
• 2.PWM为低电平，Q4截止，Q2截止，12V电压通过Q3给U8寄生电容Cgs充电，U8导通；
• 3.R3为限流电阻，避免Cgs的充放电电流过大；
• 4.R6的作用：Cgs放电时，通过Q2与放电，只能放到0.7V左右，加上R6，就可以放到0V，确保关闭MOS；
• 5.此电路可以用于有刷直流电机的PWM调速；

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