NPN、PNP三极管导通状态

最新推荐文章于 2024-11-11 19:49:17 发布
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分类专栏： 三极管；MOS管 文章标签： 学习
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NPN型三极管

高电平导通，地电平截止

PNP型三极管

高电平截止，地电平导通

NPN和PNP三极管原理以及应用电路设计
硬件之家，技术前行
05-08 4万+
一、基本概念与原理 　　三极管最主要的功能是电流放大（模拟电路）和开关作用（数字电路），常用的三极管有：S9014、S8550等型号。 三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。 三极管...
三极管 导通条件
m0_61973119的博客
05-13 5526
1、先看有箭头的那根线2、箭头指向里面，则是PNP，箭头指向外面，则是NPN3、PN结导通条件，P接正极，N接负极例如如果有箭头的那根线是指向里面，则PNP行，然后P是正极，则基极是负极请问一下基极是高电平导通还是低电平导通了？
简单理解三极管导通条件（从电压角度考虑）
热门推荐
weixin_41899171的博客
09-25 3万+
从电压的角度考虑，三极管是如何导通的，考虑实际应用
浅谈三级管（PNP和NPN）导通基极（B）电位情况
weixin_44133119的博客
03-20 3万+
概述:   三级管通常使用的两种类型为PNP型和NPN型，两者在使用过程中可作开关使用，然而两者导通时的基极电位却不相同，PNP可看做为低电平导通，而NPN型可看做高电平导通，初学者往往容易混淆，本文意在使初学者能够准确的理解电位。 PNP型   首先分析PNP三极管有2块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成， 　　　　　　　 P为+5价，N为-3价，故电流流向应为P —>N；故PNP三极...
【模拟电路】关于NPN和PNP导通的应用以及条件
wsq_666的博客
03-11 2万+
1.NPN和PNP 是三极管的两种类型，一般的作用是放大和做开关使用，此次讨论的是三极管作为开关使用的应用情况。下面从常见的驱动蜂鸣器的电路来进行分析。 2.电路连接中，NPN三极管的B基极一般是控制脚，C集电极接VCC，E发射极接GND；PNP三极管的B基极一般是控制脚，C集电极接GND，E发射极接VCC。 3.三极管做开关的导通和关断条件 NPN导通Ube>Uon；NPN关断Ube<Uon。 PNP导通Ueb>Uon；NPN关断Ueb<Uon。 4.电路图 下面是NPN和PNP三
看图搞懂三极管的三个工作状态/三极管工作原理新讲解
xiebingsuccess的博客
09-30 8214
这篇文章最大的特点是详细分析了使三极管达到饱和导通的条件和方法，以及注意事项，对实际使用中问题的分析和参数的选择还是很有帮助的。 大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=βIb的关系，怎么理解三极管的放大模型呢?这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是那句话只谈应用不谈原理，希望通过下面的“图解”让初学者对三极管有一个形象的认识。三极管是一个以b(基极)电流Ib 来驱动流过CE 的电流Ic 的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门。 左边细管子里蓝色的小...
PNP三极管导通条件
07-19
当PNP三极管导通时，基极的低电压会使得从发射极向基极注入的空穴数量增多，这些空穴被集电极所收集，形成集电极电流。由于集电极电压相对较高，所以在导通状态下，集电极和发射极之间可以流过较大的电流，这就是...
NPN、PNP三极管和NMOS、PMOS管的导通条件及原理
LibraRhy的博客
09-14 8675
NPN、PNP三极管和NMOS、PMOS管的导通条件及原理
PNP三极管和NPN三极管的开关电路
08-11
PNP三极管导通的条件是基极（B）的电压高于集电极电压，此时电流能够从发射极流向集电极。而当基极电压低于集电极电压时，三极管处于截止状态，电流无法流动。例如在用PNP型三极管作为开关控制FM蜂鸣器时，当单片机...
NPNPNP三极管开关电路.pdf
10-11
然而，我会根据标题中的信息“NPNPNP三极管开关电路.pdf”来进行一些基础性假设，并提供一个关于NPNPNP配置的三极管开关电路的知识点概述。 NPN和PNP是双极型晶体管（BJT）的两种类型，它们在电子电路中常被用作...
NPN和PNP三极管开关
世间所有的相遇都是久别重逢
06-11 4703
（2）图2-PNP三极管开关电路：有时候我们也会用PNP的三极管搭建三极管开关电路，当如图输入低电平时，三极管B和E间的电压小于开启电压（负值），这时三极管饱和导通；为了让三极管C和E间的电压尽可能小，三极管处于一个深度饱和的状态，一般三极管基极的电流取集电极电流的1/10，所以基极电流为：IB=IC/10=2mA；（2）导通电压是指PN结导通以后两端的电压降，硅管与锗管的导通电压分别为0.7V与0.5V普通三极管，导通电压0.5~0.7V，符合二极管的特性。当使用三极管当电子开关时，对于控制端输入信号，
NPN PNP 导通
蚂蚁取经
01-18 8857
大学模拟电子的课程里面肯定讲到了三极管、晶体管的应用。什么放大倍数，推挽输出、共基极放大电路、共射放大电路等等。现在想起来还是头晕，其实我自始至终都不怎么会用上面说的那些电路。 工作好几年，三极管用的最多的，其实是开关电路。下面分别介绍PNP型和NPN型的三极管。先说PNP型的三极管，常用的型号有9012，8550等等。如何使用呢，如下图：   FM是一个蜂鸣器，8550是一个P
嵌入式-数模电-三极管NPN&PNP-依次输出高低电平
weixin_50833257的博客
01-19 3606
道友：每天反复做的事情造就了我们，然后你会发现，优秀不是一种行为，而是一种习惯。
NPN 与 PNP
Joyer_cc 的博客
01-16 2894
NPN 基极高电平导通，PNP 低电平导通，开关可以放大电流，也可以只是开关。PNP 的特性与 NPN 相反，NPN 三极管可以用做电平转换。
NPN三极管导通数据总结
猪哥的专栏
04-25 1万+
由上图和数据可知，三极管相当于是用小电流（Ib）控制大电流（Ic）， 截止区就是Ube 放大区：Ube>0.5开始，注意并不是要大于0.7V，0.7V是二极管的导通电压，在放大区里，Ube一般是大于0.5V，小于0.65V，此时Ic是Ib的线性放大倍数。 饱和区：随着Ube大于0.65以上，Ic基本上不会再增大，此时Uce会很快降低，而且会迫使Ubc正偏，这些数学关系，可以通过简单的欧姆
三极管的导通
m0_69658652的博客
09-28 353
111
三极管导通条件
tyh19820234964的博客
11-21 6410
NPN三极管，箭头朝外：低电平导通。PNP三极管，箭头朝里：高电平导通。
NPN和PNP三极管的基本原理及差异
一个老菜鸟的学习分享
11-11 4092
理解NPN和PNP两种类型的三极管原理及电流方向
1、PNP和NPN的简单识别和使用
sxj731533730
10-04 1万+
左图为PNP三极管 低电平时导通 右图为NPN三极管 高电平时导通 其中 B是三极管的基极，C是集电极，E是发射极 由此我们推断出：锐志实验板的P2各个引脚都是低电平导通；
ｐｎｐ三极管导通条件
最新发布
03-13
<think>好的，我需要解释PNP三极管的导通条件。首先，回顾一下三极管的基本结构。PNP型三极管由三层半导体组成，中间是N型，两边是P型。三个极分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。 用户可能想知道导通的条件，即什么时候电流能从E流向C。首先，导通的关键在于发射结和集电结的偏置状态。对于PNP管，发射极通常是接较高电位，集电极接较低电位。要让三极管导通，发射结（P到N）必须正向偏置，集电结（N到P）反向偏置。这可能和NPN管的情况相反，需要注意区分。 然后需要详细说明各极电压关系。例如，对于PNP，发射极电压V_E应高于基极电压V_B，这样发射结正偏。同时，基极电压V_B应高于集电极电压V_C，这样集电结反偏。这样电流才能从E到B再到C，形成导通路径。 可能用户会混淆PNP和NPN的电压极性，需要强调两者的区别。比如，NPN是B极电压高于E极时导通，而PNP则是E极电压高于B极。此外，导通时的电流方向也要说明，PNP的电流是从E到B和E到C，而NPN相反。 还需要提到放大状态的条件，即发射结正偏，集电结反偏，这时候三极管处于放大区，可以用于放大信号。如果两个结都正偏，可能进入饱和区，这时候虽然导通，但放大作用减弱。而截止区则是两个结都反偏，不导通。 可能用户会问到具体的电压数值，比如典型的工作电压是多少。这里可以举例，比如在常见的电路中，V_E可能比V_B高0.7V左右（硅管），而V_C则比V_B低，以确保集电结反偏。但实际数值可能因具体型号和电路设计而异。 另外，可能需要指出应用场景，比如PNP管常用于高边开关，而NPN用于低边开关。这有助于用户理解为什么选择不同类型的晶体管。 最后，检查是否有遗漏点，比如是否要提到温度影响或者电流关系（如I_E = I_B + I_C），但用户主要问的是导通条件，可能不需要深入电流公式，除非必要。 总结起来，步骤应该是：结构介绍，偏置条件，电压关系，与NPN的对比，工作区域，应用举例。确保用中文清晰表达，公式用$$，例如电压条件：$$V_E > V_B > V_C$$。</think>PNP三极管的导通条件与工作状态密切相关，以下是详细说明： ### 1. **基本结构** PNP型三极管由三层半导体构成： - **发射极（E）**：P型半导体（高掺杂） - **基极（B）**：N型半导体（薄且低掺杂） - **集电极（C）**：P型半导体（面积较大） ### 2. **导通条件** 要使PNP三极管导通（进入放大状态），需满足以下电压关系： $$V_E > V_B > V_C$$ - **发射结（E-B）正偏**：发射极电压（$V_E$）高于基极电压（$V_B$），即$V_{EB} > 0.7\ \text{V}$（硅管）。 - **集电结（B-C）反偏**：基极电压（$V_B$）高于集电极电压（$V_C$），即$V_{BC} < 0$。 ### 3. **导通原理** - **发射结正偏**：P型发射区的空穴扩散到N型基区，形成发射极电流$I_E$。 - **基区控制**：少量空穴与基区电子复合，形成基极电流$I_B$，大部分空穴被集电结电场拉向集电区，形成集电极电流$I_C$。 - 电流关系：$$I_E = I_B + I_C$$ ### 4. **与NPN管的区别** | **特性** | **PNP** | **NPN** | |----------------|-----------------------|-----------------------| | 导通电压方向 | $V_E > V_B > V_C$ | $V_C > V_B > V_E$ | | 电流方向 | 从E流向B和C | 从C流向B和E | | 典型应用 | 高边开关、负压电路 | 低边开关、正压电路 | ### 5. **工作状态** - **放大区**：发射结正偏，集电结反偏（满足导通条件），$I_C$受$I_B$控制，满足：$$I_C = \beta I_B$$（$\beta$为电流放大系数）。 - **饱和区**：发射结和集电结均正偏，三极管完全导通，$V_{CE}$接近0。 - **截止区**：发射结反偏，无电流通过。 ### 6. **实际应用示例** - **高边开关电路**：PNP管常用于控制电源正极的通断。例如： ``` +Vcc ──┬─ E ├─ B（通过电阻接地） └─ C ── 负载 ── GND ``` 当基极电压低于发射极时，三极管导通，负载得电。 ### 7. **注意事项** - 若基极-发射极电压$V_{EB}$超过最大额定值（通常5-6V），可能损坏三极管。 - 温度升高会导致$\beta$增大，需设计稳定电路（如负反馈）。 通过以上条件，PNP三极管可实现电流放大或开关功能，广泛应用于电源控制、信号放大等场景。
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