台积电纳米芯片突破2nm制程 2023年试产

　　根据最新报导，台积电已经在2nm制程上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，2nm制程有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年就能步入量产阶段。

　　台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进1nm制程的研发。台积电预计，苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm制程。华为就没机会享受了。

　　2nm制程上，台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)，甚至不使用三星规划在3nm制程上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，也就是纳米线(nanowire)，而是将其拓展成为「MBCFET」(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)。从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，可以视为从二维到三维的跃进，能够大大改进电路控制，降低漏电率。

　　当然，新制程的成本越发会成为天文数字，三星已经在5nm制程研发上已经投入了大约4.8亿美元，3nmGAAFET上会大大超过5亿美元。但台积电很少披露具体制程节点上的投入数字

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