实验二 静态随机存取存贮器实验

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实验二 静态随机存取存贮器实验

一、实验目的

了解静态随机存取存贮器的工作原理；掌握读写存贮器的方法。

二、实验设备

STAR COP2018实验仪一套、PC机一台。

三、实验原理

实验仪的存贮器 MEM 单元选用一片==静态存贮器6116（2K * 8bit）==存放程序和数据。

• CE：片选信号线，低电平有效，实验仪已将该管脚接地。
• OE：读信号线，低电平有效。
• WE：写信号线，低电平有效。
• A0…A10：地址信号线。
• I/O0…I/O7：数据信号线。

SRAM6116功能表

CE	OE	WE	功能
1	×	×	不选中6116
0	0	1	读
0	1	0	写
0	0	0	不确定

存贮器挂在CPU的总线上，CPU通过读写控制逻辑，控制MEM的读写。实验中的读写控制逻辑如下图：

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(M_nI/O)用来决定对 MEM 还是 I/O 读写

• 若M_nI/O = 1，选择存贮器 MEM
• 若M_nI/O = 0，选择 I/O设备

nRD = 0为读操作；nWR = 0为写操作。
对 MEM、I/O 的写脉冲宽度与 T2 一致；
读脉冲宽度与 T2 + T3 一致，T2、T3 由 CON 单元提供。

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存贮器数据信号线与数据总线 DBus 相连；

• 地址信号线与地址总线 ABus 相连，6116 的高三位地址 A10…A8 接地，所以其实际容量为 256 字节。
• 数据总线 DBus、地址总线 ABus、控制总线 CBus 与扩展区单元相连，扩展区单元的数码管、发光二极管上显示对应的数据。
• IN 单元通过一片 74HC245(三态门)，连接到内部数据总线 iDBus 上，分时提供地址、数据。
• MAR由锁存器（74HC574，锁存写入的地址数据）、三态门（74HC245、控制锁存器中的地址数据是否输出到地址总线上）、8个发光二极管（显示锁存器中的地址数据）组成。
• T2、T3 由 CON 单元提供，按一次 CON 单元的 uSTEP 键，时序单元发出 T1 信号；按一次 uSTEP 键，时序单元发出 T2 信号；按一次 uSTEP 键，时序单元发出 T3 信号；再按一次 uSTEP 键，时序单元又发出 T1 信号……
• 按一次 STEP 键，相当于按了三次 uSTEP 键，依次发出 T1、T2、T3 信号。
• 其余信号由开关区单元的拨动开关模拟给出，其中 M_nI/O 应为高电平有效（即对 MEM 读写操作），nRD、nWR、wMAR、nMAROE、IN 单元的 nCS、nRD 都是低电平有效。

四、实验步骤

一、连线说明：

CBus单元：M_nIO、nRD、nWR、nINTA(JP42)	——	开关区单元：K15…K12(JP92)
存贮器MEM单元：A0…A7(JP72)	——	ABus单元：A00…A07(JP56)
存贮器MEM单元：D0…D7(JP73)	——	DBus单元：D0…D7(JP53)
存贮器MEM单元：M_nRD、M_nWR(JP71)	——	CBus单元：nM_RD、nM_WR (JP44)
MAR单元：D0…D7(JP14)	——	iDBus单元：iD0…iD7(JP38)
MAR单元：wMAR、nMAROE（JP13）	——	开关区单元：K7、K6(JP96)
IN单元：IN0…IN7(JP101)	——	iDBus单元：iD0…iD7(JP37)
IN单元：nCS、nRD(JP100)	——	开关区单元：K1、K0(JP99)
扩展区单元： JP65	——	ABus单元：A00…A07(JP55)
扩展区单元： JP63	——	DBus单元：D0…D7(JP54)
扩展区单元：JP67	——	CBus单元：nM_RD、nM_WR (JP50)

• 注意：nINTA(K12)置“1”，使中断响应信号不干扰读写存贮器。

打开实验仪电源，按CON单元的nRST按键，复位
给6116的00H、01H、02H、03H、04H、05H地址单元写入数据11H、22H、33H、44H、55H、61H。由前面的存贮器实验原理图中可以看出，IN单元的8个拨动开关提供数据和地址.

一、提供地址：
（1）禁止对存贮器6116的读写（nWR = 1，nRD = 1）(k13 = 1,k14 = 1)
（2）IN单元的拨动开关给出8位地址数据(s00~s07)，IN单元的nCS=0、nRD=0(k1 = 0,k0 = 0),允许IN单元输出；
（3）MAR单元的
nMAROE = 0(k6 = 0),允许MAR中锁存的地址数据输出到地址总线上；
wMAR = 0(k7 = 0)，允许写MAR；
按CON单元的STEP键一次，依次发出T1、T2、T3信号，在T3的下降沿，IN单元给出的地址数据锁存到MAR中。

二、再写数据：
（1）禁止对存贮器6116的读写（nWR = 1，nRD = 1）(k13 = 1,k14 = 1)、MAR的写（wMAR = 1）(k7 = 1)；
（2）IN单元的拨动开关给出8位数据(s00~s07)，IN单元的nCS=0、nRD=0(k1 = 0,k0 = 0)，允许IN单元输出；
（3）允许对6116写（M_nIO = 1，nRD = 1, nWR = 0）(k15 = 1,k14 = 1,k13 = 0),按uSTEP键三次，在T2的下降沿，数据写入6116中。写存贮器的流程图如下(以向00地址单元写入11H为例)

三、读出数据：
从6116的00H、01H、02H、03H、04H、05H地址单元读出数据
先给出地址，再禁止IN单元输出数据（nRD、nCS至少一个=1），最后进行读操作：
（1）使6116处于读状态（M_nIO = 1，nRD = 0, nWR = 1）(k15 = 1,k14 = 0,k13 = 1)
（2）按uSTEP键三次，在T2、T3信号有效时，6116向数据总线输出数据。

写存贮器流程图↓

读存储器流程图↓

如果实验仪、PC 联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测实验结果，方法是：打开软件，在星研软件的工具条中选择“存贮器实验”，打开存贮器实验的数据通路图。
数据通路图↓

进行上面的手动操作，点击工具条上单节拍或单周期命令图标，数据通路图会反映当前对存贮器所做的操作，借助于数据通路图，仔细分析对SRAM的读写过程。