电力电子器件_diode全控还是半控-CSDN博客

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一、电力电子器件的概述

1、电力电子器件的功率损耗
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2、系统组成

3、分类

（1）按被控制电路控制电路信号所控制的程度

半控型器件（主要指晶闸管及大部分派生器件）
全控型器件（IGBT和Power MOSFET）
不可控器件（Power Diode）

（2）按驱动信号性质

电流驱动型
电压驱动型

（3）按照驱动信号的波形（电力二极管除外）

脉冲触发型
电平控制型

（4）按照载流子参与导电的情况

单极型器件
双极型器件
复合型器件

二、不可控器件-电力二极管

1、外型结构
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基本结构：PN结
封装：螺栓型、平板型

2、基本特性

静态特性
主要是指伏安特性,正向电压大于门槛电压U_TO，正向电流开始增加，处于稳定导通状态。于I_F对应的为正向电压降U_F。反向电压时，只有少子引起微小的反向漏电流。
动态特性
往往专指从通态到断态之间转换过程的开关特性。

(1）由正向偏置转为反向偏置

延迟时间：t_d=t₁-t₀
电流下降时间：t_f=t₂-t₁
反向恢复时间：t_rr=t_d-t_f
电流下降时间：t_f/t_d，或称恢复系数，用S_r表示

(2)由零偏置转换为正向偏置
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先出现一个过冲Upp，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如2V) 。正向恢复时间t_fr。出现电压过冲的原因:电导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存，在达到稳态导通之前管压降较大;正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，U_FP越高。

3、主要参数

正向平均电流I_F(AV):最大工频正弦半波电流的平均值。I_F(AV):I_D=1:1.57
正向压降U_F：流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。
反向重复峰值电压U_RRM：对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。应当留有两倍裕量。
最高工作结温T_JM：PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度
反向恢复时间t_rr
浪涌电流I_FSM：指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

4、主要类型
(1)普通二极管(General Purpose Diode)，又称整流二极管，多用于开关频率不高的整流电路。反向恢复时间较长，一般5us。正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
(2)快恢复二极管(Fast Recovery Diode)，恢复过程很短，特别是反向恢复过程(5us以下)。快恢复外延二极管，采用外延型P-i-N结构，反向恢复时间更短(可低于50ns)。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复，前者数百纳秒或更长，后者100ns以下。
(3)肖特基二极管(Schottky Barrier Diode-SBD),属于多子器件，优点：反向恢复时间很短(10-40ns),无明显电压过冲，正向降压也很小，开关损耗和正向导通损耗比快速二极管还要小，效率高。缺点：只能用于低压场合，反向漏电流大对温度敏感，反向稳态损耗不能忽略，要严格限制工作温度。

三、半控型器件-晶闸管

1、基本结构和工作原理

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封装：螺栓型和平板型
引出阳极A、阴极K和门极(控制端)G
内部PNPN四层半导体结构

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其他导通情况

阳极电压升高造成雪崩效应
阳极电压上升率du/dt过高
结温较高
光触发

2、基本特性
(1)静态特性

正常工作时的特性：承受反向电压，无论是否有触发信号都不会导通；承受正向电压，有触发信号才会导通；一旦导通，门级失去作用；要使已导通的晶闸管关断，要是流过晶闸管的电流降到低于0的某一数值以下。

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晶闸管伏安特性：1)当I_G = 0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。2)如果正向电压超过临界极限即正向转折电压U_bo，则漏电流急剧增大，器件开通。3)随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。4)如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值I_H以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，I_H称为维持电流。

(2)动态特性
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开通过程：延迟时间t_d，上升时间t_r，开通时间t_gt=t_d+t_r
关断过程：反向阻断恢复时间t_rr，正向阻断恢复时间t_gr，关断时间t_q=t_rr+t_gr

3、主要参数

通态平均电流I_T(AV):允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值
维持电流I_H：维持导通所必须的最小电流
擎住电流I_L：移除触发信号后，能维持导通所需要的最小电流，约为I_H的2-4倍
浪涌电流I_TSM：最大正向过载电流
开通时间t_gt和关断时间t_q
断态电压临界上升率du/dt
通态电流临界上升率di/dt

4、典型全控型器件

1、门极可关断晶闸管(GTO)

晶闸管的一种派生器件，在门级施加负脉冲，可关断，属于全控型器件
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总结

GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的,只不过导通时饱和程度较浅。
关断时,给门极加负脉冲,即从门极抽出电流，当两个晶体管发射极电流I_A和I_K的减小使a1+a2<1时,器件退出饱和而关断。
GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管开通过程更快,承受di/dt的能力增强。

动态特性
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参数

最大可关断阳极电流I_ATO：用来标称GTO额定电流
电流关断增益β_off：最大可关断阳极电流I_ATO于门极负脉冲电流最大值I_GM之比
开通时间t_on：延迟时间和上升时间之和
关断时间t_off：储存时间和下降时间之和

2、电力晶体管(Giant Transistor-GTR)

是一种耐压高、大电流的双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT)

结构
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采用至少两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，GTR是由三层半导体形成两个PN结，多采用NPN结构。

GTR的基本特性

静态特性
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共发射极接法分截止区、放大区、饱和区，GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区，途经放大区。

动态特性
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开通过程：需要经过延迟时间t_d,和上升时间t_r，二者之和为开通时间t_on；增大基极驱动电流i_b的幅值并增大di/dt，可以缩短延迟时间，同时也可以缩短上升时间，从而加快开通过程；
关断过程：需要经过储存时间t_s,和下降时间t_f二者之和为关断时间t_off；减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流l_b2的幅值和负偏压，可以缩短储存时间,从而加快关断速度。
GTR的开关时间在几微秒以内,比晶闸管和GTO都短很多。

主要参数

电流放大倍数β、直流电流增益h_FE、集电极与发射极间漏电流I_ceo、集电极和发射极间饱和压降U_ces、开通时间t_on和关断时间t_off

3.电力场效应晶体管(Power MOSFET)

分为结型和绝缘栅型，但通常指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET)，简称电力MOSFET(Power MOSFET)。
按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
栅源电压为零存在沟道为耗尽型，栅源不为零才存在沟道为增强型。
电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。

结构和工作原理

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基本特性

(1)静态特性
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转移特性：漏极电流I_D和栅源电压U_GS的关系，反映输入电压和输出电流的关心；I_D较大时，I_D与U_GS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨到G_fs，即G_fs=dI_D/dU_GS;是电压控制型器件，输入阻抗极高，输入电流非常小。
输出特性：是MOSFET的漏极伏安特性。
截止区（对应GTR的截止区）、饱和区（对应GTR的放大区）、非饱和区（对应GTR的饱和区），饱和是指漏源电压增加漏极电流不在增加，非饱和是指漏源电压增加漏极电流也增加。
工作在开关状态，在截止区和非饱和区切换；本身结构所致，漏源之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管；通态电阻具有正温度系数，对器件并联时均流有利。

(2)动态特性
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开通过程：开通延迟时间t_d(on)，电流上升时间t_r，电压下降时间t_fv，开通时间t_on=t_d(on)+t_r+t_fv
关断过程：关断延迟时间t_d(off)，电压上升时间t_rv，电流下降时间t_fi，关断时间t_off=t_d(off)+t_rv+t_fi
MOSFET的开关速度和其输入电容充放电有很大关系，可以减小栅极驱动电路的内阻R_s，从而减小栅极回路的充放电时间常数，加快开关速度。

主要参数

跨导U_fs、开启电压U_T
漏极电压U_DS：标称电力MOSFET电压额定的参数
漏极直流电流I_D和漏极脉冲电流幅值I_DM：标称电力MOSFET电流定额的参数
栅源电压U_GS：栅源之间绝缘层薄，|U_GS|>20V将导致绝缘层击穿
极间电容C_GS、C_GD和C_DS：漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散工功耗决定了MOSFET的安全工作区

结论

不存在少子储存效应，因其关断过程十分迅速
开关时间10-100ns之间，工作频率可达100KHz，是主要电力电子器件中最高的
开关过程需要对输入电容充放电，任需要一定的驱动功率，开关频率越高，所需驱动功率越大

4.绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应,其通流能力很强,但开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipoLar TransistorIGBT或IGT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。

结构
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是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E
由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多了一层P⁺注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使IGBT具有很强的通流能力

工作原理

与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件；其开通和关断由栅极和发射极间电压U_GE决定。当U_GE>U_GE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流而使IGBT导通
电导调制效应使电阻R_N减小，这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降

基本特性

(1)静态特性
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转移特性：描述集电极I_C和栅射电压U_GE之间的关系；开启电压U_GE(th)是IGBT能实现导通的最低栅射电压，随温度升高而下降
输出特性(伏安特性)：描述集电极电流I_C与集射电压U_CE之间的关系；分为正向阻断区、有源区和饱和区三个区；U_CE<0时，IGBT为反向阻断工作状态；IGBT工作在开关状态，在正向阻断区和饱和区之间切换