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三极管
文章平均质量分 64
三极管基础讲解
炸板强
这个作者很懒,什么都没留下…
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三极管(1)
自由电子带负电,流经正极原子带正电,流经负极空穴不带电但会吸引自由电子与之复合一、三极管原理 1.1、晶体管有三个掺杂区,底部的是发射级,中间的是基极,顶部的是发射级,图中是一个NPN型集体管,P区在两个N区之间,N型材料中多子是自由电子,P型材料中的多子是空穴 1.2、掺杂浓度其中发射级的掺杂浓度最高,其次是发射极,最后是基极掺杂的最少,集电极外形上是三个区域中最大的。 1.3发射结和集电结原创 2024-05-09 00:59:59 · 102 阅读 · 1 评论 -
三极管(5)
进一步增加Vce并不能增加集电极电流,因为集电极只能收集发射极注入基极的自由电子,这些注入电子的数目仅依赖于基极电路,而不是集电极电路,当基极电流不变时,集电极电流就不变。当结温升至150-200度时,晶体管就会烧毁,DataSheet里会标注出最大的限制功率,设计中不能超过晶体管的最大限制功率PD(MAX),否则会导致晶体管烧毁。通过测量Ic和Vce,获得Ic与Vce特性曲线的数据。晶体管的功率等于Vce与集电极电流的乘积:Pd = Vce x Ic,这个功率导致集电结的结温升高,功率越大,结温越高。原创 2023-10-22 16:56:44 · 120 阅读 · 1 评论 -
三极管(4)
1.1、三极管的特性曲线图看起来就像普通二极管的特性曲线图,如图1a所示,实际上对于正向偏置的发射结,它的特性就是二极管的伏安特性,我们可以采用之前讨论二极管伏安特性曲线的近似方法。大多数情况下在理想值和精密值,取一个中间值,所以我们采用二阶近似,则Vbe = 0.7V。采用二阶近似,则取Vbe = 0.7V。总结:基极电阻电压为1.3V,基极电阻电流为13uA,集电极电流为2.6mA。例1、采用二阶近似计算图1b中的基极电流的和基极电阻上的电压。对图1b中的基极电阻使用欧姆定律得到。原创 2023-10-21 18:06:23 · 87 阅读 · 1 评论 -
三极管(3)
通过改变VBB电压或者改变Rb电阻,可以改变基极电流,而改变基极电流则可以改变集电极电流,因为基极电流控制集电极电流,晶体管的特性,可以用小电流控制大电流。在图1-1a的电路上,两个电源的公共端或者地端连接到发射极上,该电路称为共发射极电路,该电路有两个回路,三极管左边的回路为基极回路,三极管右边的回路为集电极回路。列如,电压Vb是基极和地之间的电压,电压Vc是集电极和地之间的电压,电压Ve是发射极和地之间的电压。我们有时将基极回路称为输入回路,集电极回路称为输出回路,在CE连接中,输入回路控制输出回路。原创 2023-10-21 16:35:01 · 102 阅读 · 1 评论 -
三极管(2)
虽然集电极的掺杂浓度较轻,但是集体管偏置时发射极的大多数电子流向了集电极,所以集电极电流和发射极电流的大小几乎相同,相比而言,基极的电流非常小,通常只有集电极电流的1/100。βdc也成为电流增益,通过较小的电流控制比他本身大很多的电流,例如晶体管中IB可以控制IC,具有电流增益的集体管的主要特点,几乎都是由此而生,小功率晶体管(小于1W)的电流增益为100-300;即发射极IE的电流等于集电极IC电流和基极IB电流的之和,由于基极电流很小,集电极几乎等于发射极的电流。基极电流远小于集电极电流。原创 2023-08-29 00:08:32 · 1073 阅读 · 1 评论 -
三极管(1)
总结下:在图4中,当基极正偏大于0.7V后,发射极中的自由电子会通过基区流经集电极,因为基区轻掺杂且浓度低,几乎所有的自由电子有足够的时间扩散到集电极,这些电子流经RC进入VCC的正极。图3所示是晶体管常见的偏置方式,左边的电源VBB使基极正偏,右边的电源VCC使集电极反偏,尽管还有其他偏置方式,但基极正偏,发射极反偏是最常用的偏置方式。1.1、晶体管有三个掺杂区,底部的是发射级,中间的是基极,顶部的是发射级,图中是一个NPN型集体管,P区在两个N区之间,N型材料中多子是自由电子,P型材料中的多子是空穴。原创 2023-08-24 23:54:28 · 258 阅读 · 1 评论