三极管（1）

自由电子带负电，流经正极

原子带正电，流经负极

空穴不带电但会吸引自由电子与之复合

一、三极管原理

        1.1、晶体管有三个掺杂区，底部的是发射级，中间的是基极，顶部的是发射级，图中是一个NPN型集体管，P区在两个N区之间，N型材料中多子是自由电子，P型材料中的多子是空穴

        1.2、掺杂浓度

                其中发射级的掺杂浓度最高，其次是发射极，最后是基极掺杂的最少，集电极外形上是三个区域中最大的。

        1.3发射结和集电结

               集体管是由两个结组成

                        1.3.1下面的二极管是由基极和发射极组成的发射结

                        1.3.2上面的二极管是由集电极和基极组成的集电结

                因此，集体管看起来好像是背对背的二极管

        1.4扩散前后

                1.4.1图1所示是晶体管扩散之前的情况，学过模拟电路的同学知道，N区的自由电子会穿过PN结扩散到P区与空穴复合，两个N区的自由电子都会穿过PN结与空穴复合。

                1.4.2图2所示是晶体管扩散之后的情况，扩散之后会产生耗尽层，在环温25度下对于硅晶体管而言，每个耗尽层的势垒电压为0.7V，锗晶体管每个耗尽层的势垒电压为0.3V；我们用的硅晶体管较多。

        1.5发射极电子

                图3所示是施加偏置的晶体管，自由电子是负电，重掺杂的发射极的作用是将自由电子注入进基极；轻掺杂的基极是将发射极注入进的自由电子传输进集电极。

                图3所示是晶体管常见的偏置方式，左边的电源VBB使基极正偏，右边的电源VCC使集电极反偏，尽管还有其他偏置方式，但基极正偏，发射极反偏是最常用的偏置方式。

        1.6基极电子

                图3所示，在发射结正偏瞬间，发射极中的自由电子尚未进入到基区，如果VBB大于发射极-基极的势垒电压0.7，则发射极电子进入基区。

                图3所示，理论上这些自由电子将可以沿着以下两个方向中任意一个流动，第一他们可以向左流动并从基极流出，流经RB，最后进入VBB的正极；第二自由电子可以流到集电极。

                所以自由电子大多数继续流向集电极，原因有两个，第一是基区轻掺杂，第二是基区很薄。轻掺杂意味着自由电子在基区的束缚小且寿命长，，基区薄则意味着自由电子从基区到达集电极的时间很短，因为这两个原因所以几乎所有的发射极的自由电子都能通过基区到达集电极。

                只有少数的自由电子会与基区中的空穴相复合，形成导电带，通过基区的电阻进入VBB的正级。

        1.7集电极电子

                几乎所有的自由电子，都能到达集电极，如图4所示，当他们进入集电极后会被VCC的正级所吸引，他们会流经电阻RC进入电源正极。

                总结下：在图4中，当基极正偏大于0.7V后，发射极中的自由电子会通过基区流经集电极，因为基区轻掺杂且浓度低，几乎所有的自由电子有足够的时间扩散到集电极，这些电子流经RC进入VCC的正极。