三极管（5）

一、集电极特性：

        可以改变图1a中的Vcc和Vbb，使晶体管产生不同的电压和电流。通过测量Ic和Vce，获得Ic与Vce特性曲线的数据。

        例如，假定按需要改变Vbb使得Ib = 10mA,保持基极电流不变，改变Vcc并测量出Ic和Vce。根据测量所获数据，画出特性曲线。

        当Vce为零时，集电结不再处于反偏状态，因为Vce为零时，图1b中显示集电结的电流为零。当Vce从零开始增加时，集电电流迅速增加。当Vce介于0~1V之间时，集电极电流增到1mA,并几乎恒定不变

        图1b中恒定电流区域与之前讨论的晶体管特性有关。当集电结变为反偏后，也就是当三极管导通后，到达耗尽层的电子被集电极全部收集。进一步增加Vce并不能增加集电极电流，因为集电极只能收集发射极注入基极的自由电子，这些注入电子的数目仅依赖于基极电路，而不是集电极电路，当基极电流不变时，集电极电流就不变。因此，图1b的显示的集电极电流从Vce大于1V到小于40V的区域为恒定值。

        当大于40V后时，集电结将被击穿，集体管将失去特性，因此晶体管不能工作在击穿区。

图1

二、集电极电压和功率

        基尔霍夫定律说明一个回路或者闭合路径的电压的和等于零，对于图1a所示的集电极电路，得到以下结论：

        集电极电压等于电源电压减去电阻电压：Vce = Vcc - IcRc

       晶体管的功率等于Vce与集电极电流的乘积：Pd = Vce x Ic，这个功率导致集电结的结温升高，功率越大，结温越高。

        当结温升至150-200度时，晶体管就会烧毁，DataSheet里会标注出最大的限制功率，设计中不能超过晶体管的最大限制功率PD(MAX)，否则会导致晶体管烧毁。

三、工作区

        在图1b所示特性曲线的不同区域，晶体管的工作状态时不同的。

        3.1、最后，在Vce处于0~1V的曲线上升区域，这个曲线的斜坡部分叫做饱和区，在该区域内，集电极的正电压不能将发射极注入到基极内的自由电子全部收集，基极电流Ib大于正常值，电流增益βdc小于正常值。

        3.2、首先，在Vce处于1~40V的中间区域，是晶体管的正常工作区域，在这个区域内发射结正偏，集电结反偏，集电极将发射极注入的电子几乎全部收集，因此改变集电极的电压不影响集电极的电流，这个区域叫做有源区，有缘区处于曲线的水平部分，即集电极的电流在这个区域是恒定的。

        3.3、另一个区域Vce大于40V的区域，叫做击穿区，因为晶体管在这个区域会损坏，所以绝不允许晶体管工作在这个区域，齐纳二极管的击穿特性是经过优化的，可以工作在这个区域内，而晶体管绝不允许在这个区域工作。

四、更多的特性曲

         4.1、如果在IB = 30uA时，测量Ic和Vce，就可以得到图2的第三条曲线，与第一条曲线相似，只是集电极电流在有源区的值为3mA，而且集电极电流在有源区也是恒定值。

        4.2、在图2中的有源区部分，每个集电极的电流是相对应的基极电流的100倍。例如顶部有特性曲线的集电极电流7mA，而基极电流为70uA。则电流增益为：

βdc =  =  = 100

对任意曲线进行检测，结果相同。

        4.3、对于其他晶体管，电流增益可能不是100，但其特性曲线大致相同。

        4.4、所有的晶体管分为：截止区，饱和区，有源区，击穿区，其中有源区最重要，因为只有当晶体管工作在有源区时才能对弱信进行放大。

图2

五、截止区

        5.1、图2最下端的曲线，理想状态应与X轴平行，但是实测中有一条最不希望出现的曲线，它表示第四个可能的工作区。

        5.2、注意，此时IB也就是基极电流为零，但IC也就是集电极有微小的电流，这个电流实际中很微小，但是经过测试仪器测量后曲线的比例是放大的，最下端的特性曲线叫做截止区，这个微小的集电极电流叫做集电极截止电流。

        5.3、集电极截止电流的存在是因为集电结中有反向少子电流和表面漏电流，对于设计良好的电路来说，集电极截止电流很小，可以忽略，例如晶体管2N3904的集电极截止电流为50nA，如果实际的集电极电流为1mA，就可以忽略截止电流所产生的5%的影响。

六、要点总结

        6.1、晶体管有四个不同区域的工作区，截止区，有源区，饱和区，击穿区，只有当晶体管处于有源区时才具有放大作用，使弱信号放大。因为输入信号的变化使输出信号发生成比例的变化，所以有时有源区也称为线性区。晶体管在数字电路和计算机电路中工作在截止区和饱和区，这些电路均称为开关电路。