LDO低压差线性稳压器

一、原理与拓扑结构

LDO是Low Dropout Regulator的缩写,意思是低压差线性稳压器

  • 低压差是指输入电压-输出电压的值比较低;
  • 线性是指MOS基本处于线性工作状态;
  • 稳压器 是指在正常的VIN范围内,输出VOUT都稳定在一个固定值,这个固定值就是我们想要的电压值。比如VIN电压4.4~5V,VOUT始终保持3.3V输出;
  • 低压差稳压器(LDO)看似简单,但可提供重要功能,例如将负载与不干净的电源隔离开来或者构建低噪声电源来为敏感电路供电;

为何不选择稳压管

  1. 稳压管一般常态下不导通,电路出现过压时,稳压管可以起到钳位保护作用。
  2. 稳压管的应用一般情况下都是应用在保护的领域,使某一点的电压不至于超过菜一个限值所以稳压管的功率一般都不大。
  3. 稳压管精度较低。
  4. 用稳压管做的这个电路,功耗基本固定需要那么大,就算5V空载,此电路依然存在比较大的功耗,电阻和稳压管都得是功率型。

芯片内部结构

LDO通常包括一个基准电压源、 一个取样输出电压、 一个误差放大器和一个串联调整管组成组成,用放大器控制稳压器的压降维持要求的输出电压值。

输出电压经过反馈电阻分压到误差放大器输入端,当输出电压高于设定值时,内部回路会改变驱动电压,使得管子的导通压降增大,从而降低输出电压。

拓扑结构分类

二、参数介绍

1、压差VDO

压差是指为 LDO实现正常稳压,输入电压VIN 必须高出所需输出电压VOUT的最小压差。

如果 VIN 低于此值,线性稳压器将以压降状态工作,不再调节所需的输出电压。

2、线性调整率

线性调整率 (Line regulation)定义了输入变化对输出的影响,即在负载一定的情况下,输出电压变化量和输入电压变化量之比。

要减小线性调整率,可以提高误差运放的放大倍数和增大调整管的跨导。LDO 的线性调整率越小,输入电压变化对输出电压影响越小,LDO 的性能越好。

3、负载调整率

负载调整率 (Load regulation) 是指在给定负载变化下的输出电压变化,这里的负载变化通常是从无负载到满负载。

  • 负载调整率体现了通路元件的性能和稳压器的闭环DC增益。闭环DC增益越高,负载调整率越好。
  • 和线性调整率一样,负载调整率和误差放大器的放大倍数A及调整管的跨导有关,为了减小负载调整率可以提高这两个量的值。
  • LDO 的负载调整率越小,说明LDO 抑制负载干扰的能力越强。

4、电源抑制比

电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio.PSRR),PSRR规定了特定频率的交流信号从 LDO 输入到输出的衰减程度。

LDO优势之一是能够衰减开关电源生成的电压纹波。这对于ADC/DAC、PLL 和时钟等器件非常重要重要,因为含有噪声的电源电压会影响这类器件的性能。

5、瞬态相应

瞬态响应为负载电流突变时引起输出电压的最大变化,它是输出电容Co及其等效串联电阻ESR和旁路电容Cb的函数,其中Cb的作用是提高负载瞬态响应能力,也起到了为电路高频旁路的作用。

要想实现最佳瞬态响应,闭环回路带宽必须尽可能高,同时还要确保有足够相位余量,以保持稳定性。

  • 6、温升
  • LDO功耗计算公式:(Vin-Vout)*Iout,实际LDO电路设计Pd功耗必须小于芯片数据手册上的Pdmax结温功耗,否则芯片会过热,工作性能下降。这里,Tjmax为节点最高温度TA为环境温度Roja为节点温度到环境温度的热阻。

结论:(Vin-Vout)*Iout=(3.3-1.5)*250mA=450mW 大于芯片温升最大功耗,不能满足设计需求。

三、设计要点

1、输入电容

输入电容的主要作用是对调整器的输入进行滤波,另外输入电容也可以抵消输入线较长时引入的寄生电感效应,防止电路产生自激振荡;所以调整器输入端一般采用两个电容并联的设计。较大的电容提供滤波作用,一般取22uF左右:较小电容提供消除振荡作用,一般选用0.luF,位置尽量靠近调整器的输入Pin;
注意温度对电容特性的影响;
电容都需80%的降额,钽电容需要50%的降额;

2、输出电容

电压调整器的许多性能都受输出电容的影响。其中电容值以及ESR对电路频率响应的影响是最主要的,输出电容以及ESR选择不当,非常容易引起电路的自激振荡;
般取22uF左右:较小电容提供消除高频噪声作用,一般选用0.luF位置尽量靠近调整器的Pin;
在选择电容的时候还需要考虑温度对容值以及ESR的影响,应该保证在整个温度范围内电路都是稳定的;

因为LDO控制环路的带宽有限,因此输出电容必须提供快速瞬变所需的大多数负载电流。

  • luF电容产生约90mV的负载瞬变;
  • 10uF电容将负载瞬变降低至约80mV;
  • 22uF电容将负载瞬变降低至约60mV,LDO控制回路就可捕捉并主动降低负载瞬变;

3、负载电阻

假负载R748作用:LDO芯片需要最小负载电流,来维持负反馈是闭合系统。如果不存在负责电流、无载状态或负载不能满足最小反馈电流时,芯片没办法形成闭环增益,从而导致LDO系统不稳定。

4、功耗和温升

5、降噪电容CNR/CFF

CNR可用于过滤内部电压基准产生的噪声,其余噪声来自误差放大器、FET等。

CFF非必须,但是增加CFF电容可增加输入电压稳定性。添加 CFF 会使得LDO 增加相位裕度,改善负载瞬态响应,输出将减少振铃并更快稳定。

6、PCB设计

  • 电容按先大后小顺序就近摆放;
  • 输入/输出布线路径宽度、 换层过孔数量须满足电源电流大小;
  • 大的GND焊盘须打过孔, 以方便散热, 背面须开阻焊窗;
  • 输入/输出的GND尽量汇接在一起保持完整的回流;
  • 单点接地;
  • 去耦支路尽可能短;
  • 大电流线尽可能短;
  • 做好散热设计,多打地孔;

四、预防应用电路

1、Vout-->Vin反偏预防电路

比如输出接了容量较大的电容或者电池的情况下比较常见(电解电容的情况比较多一点),输入突然断电,输出有电感,由电感引起的反向电动势。这种瞬态“反偏”状态,可能使得电路在瞬间被反偏击穿烧毁。

解决方法:输出尽量用容量比较小的电容或者反接一个保护二极管(可靠性更高)。

2、GND-->Vin反偏预防电路

某些特殊行业,可能由于感性设备等原因产生GND对Vin的负向脉冲,超过5V就会击穿GND-->Vin。

解决方法:GND对Vin反接一个保护二极管。

3、GND-->Vout反偏预防电路

当三端GND端增加稳压管时可能发生反偏的情况时,输出短路瞬间、输出感性负载,引起输出的负脉冲。

解决方法:GND对Vout反接一个保护二极管。

4、ADJ-->Vout反偏预防电路

在采样电阻上并联电容(如图C5)来抑制纹波电流时,输出发生短路。

解决方法:ADJ对Vout反接一个保护二极管。

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