输入冲击电流抑制电路设计

 输入冲击电流抑制电路设计

设计出合适的输入冲击电流抑制电路,可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发保护而停止工作,从而提高系统的可靠性。

· 引言

在开关电源的输入端存在容量较大的电容,由于电容两端电压不能突变的特性,设备接通瞬间电容相当于短路,这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流,当输入冲击电流过大时,可能触发前端供电设备的过流保护或前端空气开关、断路器等跳闸保护。因此设计出合适的输入冲击电流抑制电路,可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发保护而停止工作,从而提高系统的可靠性。

关键词:输入冲击电流、电源、可靠性、电路对比

常 见 方 式

常见输入冲击电流抑制原理介绍:

一般是设备接通时在输入回路中接入一定阻抗R1,进行限流式输入冲击电流抑制,抑制的最大电流值为Is≈Vin/R1(Vin为输入端的电压),使其低于前端供电设备的过流保护值或前端空气开关、断路器等动作保护值,避免触发保护而影响系统的可靠性;设备接通后,开关电源的输入端电容电压达到Vin,此时撤销或减少输入回路中的阻抗R1,提高系统的效率。

以下介绍几种目前常见的输入冲击电流抑制电路方案及优劣分析:

方案  0 1

串入热敏电阻

该方案是在输入回路串入负温度系数热敏电阻,这种方式元器件数量少、原理简单、成本低。

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工作原理分析:

设备接通前热敏电阻未流过电流,温度较低,阻值较大,设备接通瞬间相当于输入回路串入较大阻抗,能够有效抑制输入冲击电流峰值;设备接通后,热敏电阻流过电流而发热,阻值减小,降低正常工作时的损耗。

优缺点分析:

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方案  0 2

串入再并联水泥电阻

该方案是在方案一电路的基础上进行了改动,在负温度系数热敏电阻上并联一个水泥电阻,改善低温启机不良的问题。

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工作原理分析:

低温时,热敏电阻NTC与水泥电阻R1并联,避免热敏电阻NTC在低温阻值过大导致电源限流而启机不良;高温时热敏电阻阻值下降,降低正常工作时的损耗。

优缺点分析:

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方案  0 3

串入MOS管

该方案是在输入回路串入MOS管(需外加控制电路),利用MOS的可变电阻区进行电流抑制,适用小功率输入冲击电流抑制。

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工作原理分析:

设备接通时输入回路中的MOS管通过控制电路控制进入可变电阻区,利用可变电阻有效抑制输入冲击电流峰值;设备接通后,MOS管正常导通降低损耗。

优缺点分析:

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以上三种方案中:方案一以及方案二均利用热敏电阻实现输入冲击电流抑制,在大电流下热敏电阻会存在一定的损耗,高温下失效且二次启机时需要热敏电阻冷却后才能恢复输入冲击电流抑制作用;而方案三利用MOS管可变电阻区实现输入冲击电流抑制,但适用抑制输入冲击电流范围窄。

而在针对以上温度失效以及抑制输入冲击电流范围窄问题有以下可行方案:

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方案  0 4

串入冲击电流抑制电路

该方案是在输入回路串入冲击电流抑制电路,由mos管、水泥电阻及控制电路组成,可以有效地解决温度失效以及抑制输入冲击电流范围窄问题。

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工作原理分析:

设备接通时输入回路中的MOS管TR1处于关闭状态,输入冲击电流通过水泥电阻R1有效抑制;设备接通后后端开关电源正常工作时,MOS管开通,水泥电阻被切出主功率回路,降低损耗。

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优缺点分析:

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总  结 

输入冲击电流抑制电路方案汇总:

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 从以上四种常用电路方案的原理以及优缺点分析来看,方案一以及方案二元器件数量少、原理简单、成本低,对温度以及损耗要求不高的工况下可使用;方案三适用范围较窄,可使用在对温度要求高的小功率产品上;方案四成本较高,控制复杂,需要一定布板空间,但优势也很明显,具有损耗小,无温度失效,二次启机间隔时间短以及抑制输入冲击电流范围宽可调等优势。

金升阳已将方案四控制部分集成一个模块以方便客户使用,比如铁路电源适用的电流抑制模块FS-A(C)xxP(-N)系列。

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金升阳持续响应市场趋势,始终如一,深耕电源技术创新,脚踏实地将民族工业品牌发扬光大,为客户提供更优质的产品,为国产电源崛起贡献力量。

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### 回答1: MOS浪涌电流抑制电路是一种用于抑制MOS场效应管(MOSFET)开关过程中产生的浪涌电流的电路。该电路一般由两个二极管、一个电感和一个电容组成。 当MOSFET处于关断状态时,电感L和电容C形成一个谐振回路,通过二极管D1将电容充满电荷,当MOSFET开启时,谐振回路中的电荷会快速流入MOSFET管内,从而形成短暂的浪涌电流。但是,当MOSFET管关闭时,这些电荷却无法立即消失,会产生反向电压,从而对MOSFET管产生损害。 因此,在MOSFET管的驱动电路中,需要加入一个二极管D2和电阻R,使得当MOSFET管关闭时,二极管D2能迅速释放谐振回路中的电荷,并且通过电阻R消耗这些电荷,从而防止电压反向击穿MOSFET管。同时,二极管D2还能使得电路中的电荷能够重新经过L1充满电容C1,以备下一次MOSFET管的开启。 在设计MOS浪涌电流抑制电路时,需要根据实际情况选择合适的电感和电容组合,并且根据MOSFET管的电压和电流特性进行匹配,以实现稳定可靠的开关控制。此外,在电路中还可以采用TVS二极管等其他保护元件,以增强MOSFET管的稳定性和抗干扰能力。 ### 回答2: MOS浪涌电流抑制电路图是一种保护电子设备的电路设计,可以避免电路组件在断电或电压变化时受到突然的高电压冲击。该电路采用了二极管和MOS场效应管组成的电路,作为滤波器和电压调节器使用。 当电路中出现电压冲击时,二极管会迅速将其吸收,从而避免电路中的其他部件受到损坏。同时,MOS场效应管还可以通过控制放电电流的方式,释放电荷并保持电路稳定。 MOS浪涌电流抑制电路图在各种电子设备中都得到了广泛应用,特别是在电源管理和电压调节方面。通过使用这种电路设计,可以有效地保护设备不受到不良电压冲击的影响,从而延长其使用寿命。此外,该电路还具有稳定性和可靠性,能够充分满足各种电器设备和工业自动化应用的需求。 总之,MOS浪涌电流抑制电路图是一种技术先进、可靠性高、使用广泛的电路设计方案,能够有效地保护电子设备免受电压冲击的危害。 ### 回答3: MOS浪涌电流抑制电路图包括两个部分,一个是输入端的MOS管,另一个是输出端的TVS二极管。 在正常工作状态下,输入信号由MOS管经过控制开关转换为输出信号输出到负载端,而TVS二极管处于断开状态。 在出现浪涌电流时,TVS二极管会迅速导通,将浪涌电流引向地线,保护电路中的器件不被损坏。 此外,为了提高保护效果,还可以在MOS管的源极和地之间加入电感,并在TVS二极管的两端分别加上限流电阻,以限制电流的流动。 总之,MOS浪涌电流抑制电路图的作用是通过引导浪涌电流,保护电路中的器件不被损坏。

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