避免冲击电流的缓启动设计

1、什么是冲击电流

        如下图的电路，V1是一个5V的供电电源，供电启动的上升边沿为1000ns，R2为供电线上的内阻，这里我们设置为2R，C1为被供电输入的去耦电容，R1为负载电阻。当V1供电开关给进来的瞬间，由于供电的边沿对C1是一个低阻抗的回路，所以瞬间的大电流流过电容C1，下图中蓝色的波形就是V1给进来的瞬间在C1上测到的电流，我们可以看到这个瞬间的电流是很大的有2.4A，这个瞬间的冲击电流可能会使保险丝烧断，或者供电输入的电源的保护电路作用，所以要避免这个冲击电流。

                                                                图：缓启动仿真电路

 2、减小这个冲击电流的简单措施

1>用更大阻值的串联电阻，缺点：产生压降，导致负载上的电压变小，还会发热。

2>用负温度系数的热敏电阻NTC，电源上电的瞬间，温度较低，阻值较大，工作起来后温度升高，阻值变小，产生的压降也就变小了，也不会影响效率了，缺点是如果在热的环境下开机就起不到作用了。

3>减小去耦电容的大小，这个只要不影响去耦的效果，可以尽量用小一点，没啥明显的缺陷，就是去耦电容一般不能减小太多，所以对改善冲击电流也是很有限。

3、缓启动电路减小冲击电流

       减小冲击的电流的思路还是想在启动的瞬间串的电阻大一些，启动完成后电阻再减小，mos管正好就有这样的特性，由于在高侧所以为了驱动简单选用pmos，V1开启的边沿到来时，C2两端的电压不突变，所以pmos的栅极和源极两端开始是很接近的，也就满足开始的DS之间的电阻很大，V1到了稳定的5v后，pmos的栅极电压会放电到0v，放电的时常数为R2*C2。

                                                         图：增加缓启动电路

 再看这时候C1上的冲击电流，已经有开始的2.4A，降到了0.8A左右。

                                                             图：冲击电流的大小

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https://zh.wikipedia.org/zh-hans/%E7%B7%A9%E5%95%9F%E5%8B%95

一文读懂电源缓启动原理_nmos缓启动电路-CSDN博客