EMC浪涌防护器件之压敏电阻详解

MOV简介

      MOV（Metal Oxide Varistors），即金属氧化物压敏电阻，以氧化锌为主体，掺杂多种金属氧化物，采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。其电阻随电压呈指数规律变化，具有如下图所示对称的 I-V 特性。

                                          压敏电阻伏安特性曲线

MOV工艺原理

      压敏电阻中的氧化锌颗粒之间构成了类似于PN结的结构，具有二极管的特性。整个压敏电阻相当于大量的二极管并联和串联。由于有些PN结是正向偏置，有些是反向偏置的，因此，压敏电阻的特性是双向的，类似于两个背靠背的二极管，如下图所示：

                                                                         压敏电阻结构

      显然，串联的PN结越多，压敏电阻的导通电压越高。因此，压敏电阻器件的厚度决定了它的导通电压。并联的PN结越多，压敏电阻承受电流的能力越强，因此，压敏电阻的面积决定了它的承受电流能力。 

MOV参数

 

V1mA：压敏电压，即压敏电阻通过 1mA 电流时，压敏电阻两端的电压。

V1mA 测试回路如下图所示，测试时，为避免压敏电阻受热损坏，试验电流的施加时间应小于 400ms， 除非另有规定，试验电流应该为 1mA。电源应为恒流源，不管负载阻抗大小，电源应保持在一个稳定值。 目前市场上有很多可以直接测试压敏电压的仪器设备，可以直接从仪器上读出压敏电压值。

                         

                            元件说明：P—脉冲电流源     V—数字电压表      A—电流表

VAC，VDC：可以长时间施加在压敏电阻两端的电压值，此时认为压敏电阻是不导通的，其漏电流很小。VAC 为交流有效值，VDC 为直流电压。

IP，VC：IP，某一波形冲击电流的峰值；VC，钳位电压，即为 IP 下 MOV 两端的电压。

      此处的冲击电流 IP 为多次电流冲击，验证 MOV 在多次脉冲电流冲击下不引起 MOV 显著失效（如压敏电压应在 10%内）。试品在规定时间内恢复热平衡（如：达到施加冲击前的初始条件）之后，施加下次冲击。试验回路如下图所示：

                        冲击电流峰值（IP）下冲击峰值电流峰值限制电压（VC）试验回路

元件：PS—DC充电电源    S1—充电开关    S2—放电开关  R1—充电电阻  C—储能电容      L—调波电感       R3—调波电阻    R2—调波限流电阻        DUT—试品（MOV)      R4—电流传感电阻（同轴）或者可采用适当额定值的电流互感器探头      CRO—用于观察电流和电压的示波器

         无特定要求时，试验电流采用 8/20us 波形，波形参数如下图所示：具体试验方法可参阅G/B T 18802.331-2007。

 Withstanding Surge Current：压敏电阻可承受的单次最大浪涌电流，一般采用 8/20μs 波形对其施加冲击。测试电路如上所示，对压敏电阻施加浪涌脉冲电流后，压敏电阻的参数应在规定的范围内。

Maximum Energy：可吸收的规定波形单次脉冲能量的最大值。除非另有规定，一般采用 10/1000μs 波形或 2ms 方波进行测量。测试电路如上图所示。

Rated Power：在指定温度下可承受的最大静态功率。

Typical Capacitance：结电容，一般测试条件为：1kHz，1Vrms。

MOV的应用电路

      

MOV缺点

      压敏电阻的一个缺点是钳位电压不是一个确定的数值，而是与流过压敏电阻的电流有关，压敏电阻上的电压（一般称为钳位电压）等于流过压敏电阻的电流乘以压敏电阻的阻值，流过压敏电阻的电流越大，压敏电阻上的电压越高，压敏电阻上的电压在浪涌电流的峰值处达到最高，这个电压会超过交流电峰值的30%。因此，压敏电阻的保护效果较差。

      压敏电阻的另一个缺点是，有些颗粒在遭受浪涌的冲击后会被损坏，呈现短路状态，这时相当于串联的PN结减少了，因此整个压敏电阻的导通电压值就会降低。当压敏电阻的导通电压低于电源的峰值电压时，电源的功率电流就会流过压敏电阻，使压敏电阻过热而损坏，可能会发生爆炸，造成安全问题。