如何解决LDO上电高压冲击问题导致MCU烧坏？

LDO通常用来给MCU供电，但是在一些实际应用中，如果选型没有选对，就会遇到上电瞬间高压过充，然后LDO芯片没坏，但是后面的MCU被烧坏了。最近在做一个车载应急电源的案子时，电源是4串锂电池16.8V供电，最开始选了6208、18V耐压150MA电流，直接将MCU烧了，找了半天原因没找到，就觉得是不是自己的耐压不够，然后在网上选了HT7550回来，商家给的规格书是24V耐压，150ma电流，接上去测试没坏，然而我还是太年轻了，小批量了100颗，结果回来发现有那么几个板子也是一样的情况，LDO没坏，然后后面的MCU直接烧了。一直没找到原因。后来一个朋友聊到这个问题，他说之前也遇到过，实际上这应该就是芯片设计本身的问题，给我推荐了一颗CSM5350BSD，该芯片：40V耐压输入，5.0V稳压LDO，最大 300mA 。脚位兼容：HT7550、 HT7350、 HT7150，总结记录以下，以备踩坑。

CSM5350BSD跟同类芯片比优势明显：

1：输入耐压高，可到达40V，合泰的HT系列和其他厂家同类型芯片耐压只有24V，个别高压的只有36V。

2：HT系列、62xx系列个别芯片有上电高压冲击问题，CSM5350BSD没有此问题

输入电压：40V

输出电压：5.0V

输出电流：300mA

超低待机功耗：小于2.5uA

请注意，CSM53xx芯片有 SOT89和SOT23-3两种封装，其中SOT89脚位与HT7xxx系列兼容，SOT23-3封装的形式千奇百怪，请注意核对脚位

CSM53XX 的SOT23-3跟SOT89两种封装输入输出电压和电流是一样的

但由于SOT23-3封装体积较小，散热能力比SOT89的差

所以SOT23-3的型号功率要小于SOT89，而且使用时要注意两种芯片的热功率区别，具体对比如下

功率：

SOT23-3：350mW

SOT89-3：750mW