一主多从下的IAP升级（二）

Flash操作:

写几个常用的操作flash函数，主要就是，flash的擦写和查找：

因为查找手册flash的擦除是整页擦除，我们的擦除一页的单位是2k，说明擦除一次至少擦2k，具体芯片flash擦除大小需要查看手册

首先做一下flash分区，要给boot，bootflag，APP等留出足够的空间

建议可以在flash相关的.h文件中定义下flash分区，这样方便写flash相关函数，也方便后续维护，例如要改各个分区的大小时，如果用宏去做定义，就会相对方便

#define ROM_FLASH_BASE 0x08000000

#define ROM_BOOTLOADER_BASE ROM_FLASH_BASE
#define ROM_BOOTLOADER_SIZE (18 * 1024)

#define ROM_BOOTFLAG_BASE (ROM_BOOTLOADER_BASE + ROM_BOOTLOADER_SIZE)
#define ROM_BOOTFLAG_SIZE (2 * 1024)

#define ROM_APP_BASE (ROM_BOOTFLAG_BASE + ROM_BOOTFLAG_SIZE)
#define ROM_APP_SIZE (100 * 1024)

#define ROM_WRITE_LIMIT (ROM_APP_BASE+ROM_APP_SIZE)

如上，可以定义bootload的起始地址，大小为18k，bootflag大小为2k，APP大小为100k，这样一次排列，当然也可以拓展，比如说多定义一些地址，去存特定的东西，这里只定义这三个分区

//flash之擦除整页
void flash_erase_page(uint32_t BaseAddr)
{
    //对要擦除的地址做判断是否合法
    if(BaseAddr >= ROM_WRITE_LIMIT || BaseAddr < ROM_FLASH_BASE)
        return;
    __disable_irq();
    FLASH_Unlock();
    //此处也可以做一个重试机制，以防偶现不成功的情况
    FLASH_COMPLETE == FLASH_ErasePage(u32BaseAddr))
    FLASH_Lock();
    __enable_irq();
}

//flash之读存特定数据
void flash_read_obj(FlashObj_e eObj){//这里使用枚举，主要为了扩展实际代码不止固定读某个分区
    switch(eObj){
        case eBOOTFLAG:
            //提供bootflag的起始地址addr和宽度len,读出要存入的变量data
            break;
        default:
            return;
    read_flash_data(data,addr,len);
}
//同读函数即可
void flash_save_obj(FlashObj_e eObj){//这里使用枚举，主要为了扩展实际代码不止固定存入某个分区
    switch(eObj){
        case FLASH_BOOT_FLAG:
            //对应存储即可，代码部分可使用写函数进行特定写入
            break;
        default:
            return;
    write_flash_data(desaddr,len,srcaddr);
}

void flash_eara_obj(FlashObj_e eObj)//同理

读写flash的时候，还可以存入一些crc等校验，可以在读出的时候去做一些校验,

并且在读写flash之前，应该增加一些地址限制的判断

此处只做个函数示例，具体场景下还需要具体分析。