5、MOS管基础知识

1、三极管出现更早，为什么现在大部分芯片工艺采用CMOS？

        BJT是电流控制的器件，所以具有电流放大作用，即共发射极时，以基极和发射极为输入，以集电极和发射极为输出，这样用基极和发射极之间的小电流ib去控制集电极与发射极之间的大电流ic。所以双极性三极管的输入阻抗不高，功耗也比CMOS大的多。

        MOS管在输入回路中是电压控制，在栅极与衬底之间有一层非常薄的二氧化硅绝缘层，所以在共源极时，以栅极和源极的电压为输入信号，输入回路中没有电流，静态功耗几乎为0。所以考虑到输入阻抗和功耗的问题，现在的芯片工艺大都采用CMOS工艺。

        场效应管（FET）是电压控制元件，和BJT原理不同。三极管BJT是电流控制元件。

---

2、MOSFET分为哪几类？其物理构造是什么样的？

只总结N沟道增强型和P沟道增强型，下图是N沟道增强型：

        在P型半导体衬底上参杂了两个高浓度的N型沟道，N型半导体的多子是电子，P型半导体的多子是正电荷。当栅极相对于源极加上正电压时，在栅极的绝缘层下边的P型半导体上会聚集电子，这样正好和两边的N沟道形成电子的通路，在DS之间再加上电压，就会有iD，即MOS管导通。

        N沟道增强型为了避免P型衬底电流流向源极和导电沟道，将P型衬底与源极连接，接到系统的电压最低处。

 N沟道增强型MOS管原理：

P沟道增强型原理与N沟道增强型一样： 

        在N型半导体衬底上参杂两个高浓度的P型沟道，这样P沟道的多子是正电荷，N型衬底的多子是电子，当DS之间加电压时，没有电子通道，不会有电流，这就是截至区。

        相对于源极，当栅极加负电压时（绝对值大于导通电压），这时，栅极绝缘层下边会聚集正电荷，这样DS之间加电压，就会形成电流iD，即MOS管导通。当VGS一定时，VDS总体较小时，iD会随着VDS的增大而近似线性的增大，相当于一个电阻，这就是可变线性区。

        VGS一定，当VDS相对来说加的相当大了，这时再加大VDS，iD几乎不会变化，但是增大VGS，iD会成比例的放大，这就是放大区。

        在数字电路中，我们主要用二极管，三极管和MOS管的开关特性，所以这里用到的就是截至区和可变线性区。

        P沟道增强型为了避免N型衬底电流流向源极和导电沟道，将N型衬底与源极连接，接到系统的电压最高处。

---

3、总结

场效应管是利用电场效应来控制的元件，输入阻抗很大，几乎无穷大（可以看作输入断路）

元件号的箭头可以理解为电子的移动方向

MOSFET都是四极管子，都是将衬底和源极用导线连接起来。

N沟道： 衬底和源极接到系统的电压最低点，栅极电压高

P沟道： 衬底和源极接到系统的电压最高点，栅极电压低

简化符号：N沟道gata栅极高电平导通

                  P沟道gata栅极低电平导通，有个小圆圈

---

4、MOS管基本开关电路

当输入Vi为高电平时，MOS管导通，Vo=0v；

当输入Vi为低电平时，MOS管截至，Vo=VDD；