MOS管基础知识学习总结

前言

在使用MOS管的时候经常对NMOS管和PMOS管的符号记不清，对他的原理也模糊，学了忘，忘了学，现打算对他彻底了解一下，学习资料来自B站视频，百度，和一些书本，总结如下。

一：MOS管前的故事

MOS管作为电子产品里面常见的器件，在他被发明出来前又有哪些器件呢？他又是在什么基础上发明出来的呢？

1：二极电子管的诞生

爱迪生在研究电灯泡的时候，想解决灯泡发黑的问题，在灯泡里面加入一个铜片，问题没有得到解决，但是发现了一个现象，灯丝加热后，当铜片接上正电压的时候 铜片上会有微小电流通过。爱迪生把他申请了专利，没有继续往下研究。

英国电气工程师弗莱明根据爱迪生效应，在真空灯泡里装上碳丝和铜板，充当阴极和屏极，使用时 将阴极加热，电子 跳出来，屏极时正极的时候，吸收电子，导电，这个就是二极电子管，单向导电。后面再经过多人的努力，才解决了 阴极材料容易老化，电流低，效率低等问题。

2：三极电子管的出现

美国发明家福雷斯特为了避开电子二极管的专利，在灯丝和金属片之间又加了一个极，称为栅极，在这个上面加上微小的正电压，可以让阴极和屏极 之间的电流发生大的变化，负电压让电流小，正电压让电流变大。后面经过多人的努力，加入正反馈，使得三极管的应用广泛。

电子管出道即巅峰，但因为体积大，功耗大等缺点，开始被后来出现的晶体管取代

                   

3：半导体的出现

4：晶体三极管的发明

二：MOS管起源与发展

 晶体三极管发明使用后，各种技术渐渐成熟，在此基础上，发明出了MOS管。

三：MOS管的基础知识

1：MOS管的构造

先看看这三种元素，硼元素外层有3个电子，硅元素外层有4个电子 磷元素外层有5个电子

P 元素与 SI 组合,外层是9个电子，共价键8个电子稳定，所以就有一个电子变成了自由电子。电子带负电，容易流向 空穴处。这样往硅里面掺入磷元素，就可以让这个区域变成了N区。

B元素与 SI 组合 ，外层是7个电子，根据共价键8个电子稳定，就像留了一个电子位置，形成了一个空穴，可以吸引电子移动过来，这个区域就变成了P区。

然后再将 P区和N区组合在一起，有两种情况，一种是 大面积的范围区（衬底）用P材料，两边电极区用N材料，这个就是NMOS管，一种是 大面积区域（衬底）用N材料，两边的电极区域用P材料，这个就是PMOS管。

然后再在中间搞一层绝缘层（SiO2）,绝缘层上搞一层金属铝做栅极，（后面用多晶硅等材料）。下图种的N+ 不是说N区带正电，是说N区参杂电子浓度大。

MOS管命名的来历看下图

有的MOS管P衬底和源极（S）连接在一起的

2：MOS管体二极管和寄生电容

因为衬底和S极短接，所以C1被短路，就不存在电容，这样G极性到S极的电容就等于C6并C4 再穿C3，

拿NMOS管来说，衬底是P区 两个极性区域是N区，这样就形成了两个PN结，类似两个二极管，如下图

因为衬底与S 极 短接 所以 其中一个二极管就被短接了，就剩下一个二极管，如下图

3：NMOS和PMOS的区分，增强型与耗尽型的区分，及符号的含义

NMOS管和PMOS管 就是看两个极（源极和漏极） 接的是N区 还是 P区。

沟道

NMOS管 源极和漏极 接的是N区域，中间隔了一个P区，如果从S极性接正电，D极接负电，通过体二极管，是有电流的。如果D极接正电，S极接负电，二极管反向了，所以没有电流，如果要让他们导通的话 就需要在D 和S 之间接一个桥梁，D 和S 都是 N区 要他们导通的话 中间的桥梁也是要变成N区。这个桥梁就是沟道，NMOS管 要导通 就是要一个N沟道。PMOS管同样的原理，叫P沟道。

增强型和耗尽型的区分

耗尽型就是 不需要外接的干预 沟道就存在，要让这个沟道消失的话，需要外接的干预才可以。他就像一个常闭开关。

增强型就是  没有外接的干预 沟道就不存在，需要有外接的干预才能形成这个沟道

MOS管符号上的每根线代表的含义

PMOS管 两个极（S 和 D）是P区 中间的沟道就是P区，衬底是N区，所以中间的箭头代表 P指向N，所以箭头朝右。NMOS刚好相反，中间的沟道是N区，衬底是P区，箭头由P指向N，所以是从右指向左。

虚线代表 沟道需要外接干预才会形成，所以代表增强型，如果这里是实线就代表没有外接干预就是有沟道，代表耗尽型。

体二极管的方向 就是根据 D区到衬底组成的二极管来定的。

4：MOS管工作原理（增强型）

MOS管工作的时候就是通过控制栅极（G），来让 漏极（D）和源极（S）之间导通和关断。

NMOS管正极接在珊极上 负极接在源极上，这个电压即为VGS，当VGS>0时，衬底的电子就开始往绝缘层流动（衬底与源极短接）。VGS越大，源极和漏极之间聚集的电子（负电荷）就越多，N沟道就开始形成。此时在源极和漏极之间接上电压（漏极接正极，源极接负极），就有了电流通过。

PMOS管要导通 就需要在沟道上形成正电荷，所以栅极就要接负极，这样就把电子往衬底排斥，留下空穴（正电荷）。

电路种的电流都是电子的流动形成的，电子是从电源的负极流向正极，NMOS电子的流动就是从源极流向漏极。PMOS的电子流动时从漏极流向源极。不管时N沟道 还是P沟道 ，都是给电子开辟的道路。

预夹断

VGS 按照导通条件 让NMOS 或PMOS导通以后，源极和漏极之间的电压加大，他们之间的电流就会越大，但是大到一定程度后 就不会再增加了。保持一个恒定的电流。如果想让这个电流变得更大，就需要改变VGS，曲线如下

这个就是预夹断，原由是：衬底与漏极之间得体二极管得PN结得耗尽层变大，让沟道变窄。

不管是NMOS 还是PMOS，这个体二极管都是反向接得。随着源极和漏极得电压增大，这个体二极管内部得耗尽层变大，从而给电子得通过造成阻碍。

夹断了 还有电流通过原因是，这个夹断区很薄，电子还是能通过这个空间电荷去 被漏极搜集。

5：MOS管得上/下拉电阻和串接电阻

串接电阻的作用：1：限流，栅极上电的时候，因为寄生电容的存在，如果没有串接电阻，电流会比较大。2：从芯片控制脚到栅极之间的走线会产生一个电感，再加上寄生电容，就容易产生振荡，加上这个电阻可以让振荡信号变弱。这个电阻一般用几十欧，太大了造成开关速度变低。

上/下拉电阻（NMOS用下拉，PMOS用上拉）的作用：1：对寄生电容放电。2：防止静电击穿。3：消除干扰信号，这个电阻一般用10K.