RF基本概念——《射频微电子》第二章 知识点简述(增益压缩、互调、交调)

参考书籍 《RF microelectronics》英文版 《射频微电子》拉扎维 撰;    余志平等 译


这一章的第一模块主要在讲系统的非线性与时变性,简述非线性系统和时变系统的概念。

在绝大多数情况下,我们都在讨论时不变系统(推导出的公式、计算出的关于时间的曲线或者函数,不论过了多久,对于同一个系统,依旧适用)。

然后第一模块还讲述了系统的非线性带来的影响和现象,比如谐波(harmonics)、增益压缩(gain compression)、互调(crossmodulation)和交调(intermodulation)等。


2.1.1 谐波

接下来的分析都围绕一个简化过的非线性系统,为了便于分析,只考虑到三阶项

如果一个正弦信号作用上述的非线性系统,输出信号将包含输入信号频率的整数倍频

令上式x(t)=Acos(wt)

2.28式中,含w的是基频,高阶项是谐波分量。


2.2.2 增益压缩(1dB压缩点)

实际上,非线性可以简单的理解为电路系统的小信号增益随着输入信号的大小而变化。

比如式2.28中基频信号的项,除以A则为基频增益,如果a3<0,则增益是输入信号幅值A的减函数。由此引出RF电路中常见的1dB压缩点。

1dB压缩点定义为小信号增益(基频增益)下降1dB 时,输入信号的值

 典型的RF前端放大器1dB压缩点大约在-20~-25dbm


2.2.3 减敏和阻塞(desensitization and blocking)

减敏和阻塞,我的理解是本质上和上面说的 增益压缩差不多,都是输入信号的幅值对小信号的增益产生影响,区别之处在于增益压缩是输入信号本身经由非线性系统产生的高次幂的项,合并在基频信号后对增益产生的影响。

减敏是在小信号输入的同时,还有一个干扰信号(幅值比小信号要大,频率也相距较远),在输出端,干扰信号的幅值项也有部分整合到了小信号的输出基频项,从而产生增益减小,这种现象是减敏,若增益减小为0,则成为阻塞。

例如,当输入为

则输出为(A2>>A1)


 2.2.4 互调

互调是在减敏和阻塞的情况上再加一个条件,那就是干扰信号的幅值受到一个正弦波调制,此时y(t)为

输出有用信号受到频率wm和2wm的幅度调节

2.2.5 交调

交调是指两个不同频率的信号通过一个非线性系统时,输出一般会含有一些不属于输入频率薛波谐波的成分。所以说,前面在讨论输出基频的幅值项时,交调现象是一直存在的,只不过没有拎出来分析。

当输入一个含有两个不同频率不同幅值的信号时x(t)时,略去基频和谐波分量,可以得到以下的交调项(频率是w1和w2的组合)

输入信号

输出交调项有:Aw1±Bw2,其中2w1-w2和2w2-w1是我们最关心的,从下图可以看出,2w1-w2和2w2-w1是距离w1和w2最近的频率,滤波器很难滤除。

两个临近的干扰产生的三阶交调对信号的破坏非常普遍并且比较严重, 如下图所示,如果两个干扰信号和一个弱有用信一起进入三阶非线性调制系统,则将有一个交调项落入我们需要的频带。

针对上面这种现象,提出了一个性能指标,三阶交调点

在双声测试中,选择幅度A足够小,这样高阶的非线性项可以被忽略,因而增益可视为常数α1。从式2.43可以看出,随着A的增加,基波分量也与A成比例增加,而三阶交调量与A的三次方成比例增加。如图figure2.20所示

参数IP3仅仅描述了三阶非线性的特性,实际中如果输入幅度增大到交调点时,α1>>9α3A²/4的假设前提将不再成立,增益将下降,高阶的交调项也变得显著。

事实上很多电路的IP3都超出了允许的输入范围,甚至超出了电源电压,所以测量IP3的方法是在小输入幅度下测出figure2.20中的实线部分,然后在对数坐标系下外推找到交调点。

1dB压缩点和三阶交调点的计算公式分别为,二者一般相差10dB


2.3 级联非线性级

给三阶非线性系统输入一个双声信号x(t)=Acos(w1t)+Acos(w2t),经过两级级联系统,输出如下,只需了解每一级输出后信号幅度的变化,以及产生了哪些频率分量。

 另外,对于多级联系统,可推导出

 如果每一级都有大于1的增益,则最后一级的非线性将变得越来越重要,因为每一级的IP3将以它之前所有级的总增益按比例缩小。

2.4 符号间干扰(缺)

一个信号不能同时受时间限制和带宽限制:当时限脉冲通过带宽限制系统时,输出在时域上必然会延申无限长的时间。

2.5 噪声

2.5.1 MOS热噪声

mos的热噪声可以模拟成接在漏源之间的电流源,或接在栅极的电压源,其PSD(功率谱密度)为

散粒噪声:按照Guss分布的白噪声,由电荷越过一定的能量势垒(如pn结)形成,PSD为

闪烁噪声:由电荷在MOS的氧化层-衬底界面上被随机俘获而产生,可以模拟为与栅极串联的电压源

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