模集-第三章 单极放大器part1

 看了一下网课和课程ppt整理的笔记（参考网课有西安理工大学和西安交大的课）

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1.小信号概念

小信号的假定条件是：vgs<<2(VGS-Vth)

假定VGS-Vth=0.5V，则vgs的变化范围约等于0.1V

沟长调制：r0=1/λId

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2.电流镜

两个都工作在饱和区并且具有相同栅源电压的相同晶体管传输相同的电流（忽略沟道长度调制效应）

 1.按比例复制电流（忽略沟道长度调制效应）；

2.考虑沟长调制

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3.大信号分析

 当Vin进一步增大时，晶体管进入深线性区，此时，晶体管相当于一个电阻，电阻的阻值大小=1/gm，gm是晶体管在饱和区的跨导。

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4.小信号分析

1.电阻为负载

不考虑沟道长度调制

考虑沟道长度调制

 放大器的增益会随着输入信号Vin的变化而变化，在信号摆幅较大时，会引入非线性。

以电阻为负载的CS放大器的漏电流和增益随输入电压的变化图如下

2.电流源为负载

电流源，内阻很大，可视为无穷大，这时增益可认为是gmro，（因为电流源内阻RD和晶体管等效电阻ro并联，RD>>ro），该增益认为是本征增益，晶体管能达到的最大增益

3.放大器的设计参数

4 .二极管为负载

 1.大信号特性

 2.小信号特性

NMOS二极管连接的晶体管的小信号等效电阻

 3.考虑体效应

M1管没有体效应，M2一定存在体效应，此时小信号模型为

  

其中：η是栅漏跨导和背栅跨导的比值 

4.如何避免？M2采用Pmos

可以看出：

1.增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数

2.高增益要求会造成晶体管尺寸的不均匀

3.尺寸过大会使得寄生电容过大，从而导致3dB带宽减小，增益和速度之间的权衡

5.求输出电压摆幅

根据《4.如何避免？M2采用Pmos》中的Av公式，由于存在

因此，可以得出Av的另一种表达方式