mos管原理，参数及应用

MOS是一种压控元件。我觉得用一句话概括就是：通过控制Vgs的大小，控制源极漏极的通断程度

原理：

以N沟道增强型mos管为例：

如图，源极和漏极与掺杂了电子的半导体相连，而掺杂了空穴的半导体作为衬底，形成了两个相反的PN结。而由于源极与衬底相连，又形成了一个体二极管（寄生二极管）

NMOS管的导通过程是这样的：

当在DS两级接入电压源，无论正接反接都不导通（因为有两个相反的二极管），当栅极增加正向电压Vgs＞Vth时，栅极下方由于电场的作用（正电压吸引电子，排斥空穴）形成N沟道，使得DS连通。如下图所示

（这里我有一个想法不知道对不对，之所以是Vgs去和阈值电压比较，是因为s和衬底是相连的，会形成电场。如果G,S为高电平，则无法形成沟道，电流直接通过体二极管流过）

所以一般在电路图中这样表示NMOS:

如果不考虑体二极管，可以将NMOS等效为：(电压控制ds间电阻的大小)

这个等效模型就很简单了，可以这么理解：

这就可以很好的理解为啥mos可以做开关了。

实例：

现在再加上体二极管，这里通过一个应用来学习：

首先声明：充电时输入电压大于电池供电电压，图中所用为PMOS。

不充电时，电流通过体二极管拉高源极电压，此时栅极没有供电。Vgs＜0，pmos导通，通过ds低阻通道给稳压芯片供电。同时，因为最上面的二极管，电流不会倒流至输入端。

充电时，VGS＞0，pmos关闭，同时源极电压大于栅级，不能从体二极管供电。输入通过最上面的二极管直接供电。

个人觉得沟道形成以后，电流的方向是可以改变的，取决于源漏两级的电压。

通常情况下NMOS的电流方向是从D到S，PMOS是从S到D（与体二极管方向相反）。如果反接会失去开关功能。

从这里有一些微妙的感觉了。体二极管还是有作用的。

除此之外，体二极管还可以：

        区分源极和栅极。

        保护MOS管（出现瞬间反向电流时，直接通过体二极管导出，保护MOS管）

MOS管在LDO中的运用：

如图，LDO由四部分组成：

1.分压采样电路。Vo=Vref*（1+R1/R2）

2.基准电压。

3.误差放大器。当FB小于参考电压时，输出电源-。否则输出电源正。

4.晶体管调整电路。重点说这个

当FB增大，则误差放大器的输出，即栅极电压增大，|Vgs|变小，沟道变小，PMOS的压降增大，Vo处的电压减小、反之同理。

所以Vo始终为较为稳定的电压。

且不论如何导通，MOS都存在着一定的压降，所以LDO只能用作降压。

且|Vgs|越大，压降越小，甚至能完成3.3转3.2的任务。

参数：

在设计电路时，需要考虑MOS管的四个参数。

1.封装,这个就不赘述了。

2.Vgs（th）。选择时，太小易倍干扰误触发，但最大不超过高电平的电压值。

3.Rdson（完全打开时ds间的电阻）

4.Cgs（gs间的寄生电容），会影响MOS打开的速度。在高速pwm电路中十分重要。