单板电源设计经验帖

确定需求

先评估是否为一级电源还是二级电源（一级电源为外部的适配器供电，要留够耐压余量，至少在50%以上，因为拔插电源时会有电压过冲）
在一级电源上，采用PPTC（Polymeric Positive Temperature Coefficient高分子聚合物正温度系数元件，即自恢复保险丝）/保险丝+TVS（Transient Voltage Suppressor，即瞬态电压抑制二极管）+防反接二极管+滤波电容
TVS选型参数：Vrwm：钳位电压reverse stand-off voltage，适配器是有上下浮动电压±20%，设适配器电源为12V，按照+20%计算最高浮动电压有14.4V，应选择钳位电压15V的，钳位电压太低可能使TVS发热（漏电流导致）甚至失效。 Vbr：反向击穿电压Breakdown Voltage，击穿电压大于钳位电压，这个电压是电源芯片要支持的耐压，就算真的击穿了TVS也不会伤及后面的电源芯片。
如果外供电适配器是24V的，耐压留余量要在36V以上。

如果是板内二级电源（类似已经经过一级DCDC或者LDO等板内电源转换），可以不做防护和过高耐压（1到2V就ok了）

确定同步/非同步BUCK开关电源芯片
区别：续流用二极管的是非同步（asynchronous），续流用下MOS管的是同步（synchronous）
原理不细讲。
非同步优点：成本低，可靠性比较高，二极管一般封装较大的散热比较好，对于电流冲击耐受力比较强
非同步缺点：效率低，功率损耗较大，但做高电压输出的时候效率差距不是很大
同步优点：电路体积小，不用外接一个肖特基二极管（SMA SMB SMC等封装特别大），同步BUCk在低压或者大电流输出应用的时候效率比较高（内部使用MOS管导通压降比较小，导通阻抗小）
同步缺点：成本高，MOS成本比二极管高；控制电路复杂，下管MOS必须要一个控制和驱动电路，上下管同时打开的话就会短路，所以需要死区时间，死区时间如果太长，开关电源的电路就会震荡（电感电流不能突变）
趋势是同步BUCK芯片会逐渐取代非同步，在选型的时候得关注芯片后面生产情况怎么样，有没有Pin2pin的一些芯片替代

工况估算

负载电流估算：假设实际设计负载约500mA，则电源芯片电流至少选择1A或以上
原因：开发过程中可能程序功能变更后使负载升高，一般电源在负载30%-50%左右效率最高，效率过低可能导致电源发热严重甚至超过结温导致过热保护等问题使系统宕机。具体可以查看芯片手册上面的曲线，尽量让电流工作点落在所属电压曲线上效率最高的一段。例如效率如果从90%掉至80%，发热量增加不止两倍。

电源芯片效率：根据工作点估算，输入电压，输出电压，电流等表
输入输出压差越大则效率越低，输入电压越高则效率越低；工作温度越高则效率越低。
如果没有电流与效率的关系可以根据效率表格趋势估算。

电源芯片封装：影响电源芯片的散热，一般封装越大，散热能力越好，能承受的热损耗功率就越大

温升计算：
LDO的话热损耗功率P_D（Power Dissipation）=(Vin-Vout)×I

DCDC电源芯片较复杂。如下所示：
以TPS54560为例：芯片内部的损耗：
P_COND导通损耗-上管NMOS导通的时候在MOS的直流阻抗R_dson上引起的热损耗
P_SW开关损耗-MOS管导通和关断的时候不是一个瞬间能关断或导通，会有电压上升或下降的过程，这时候会引起损耗，为V_DS×I_DS
P_GD内部上管MOS栅极驱动损耗-MOS管内部有栅极电荷Qg，在控制MOS管导通或者关断的时候要对栅极进行充电和放电，这时候会引起栅极电荷的驱动损耗
P_Q静态损耗-电源芯片内部电路（反馈、运放等）在工作会有损耗。
Notes：P_COND导通损耗=I²RD，D为占空比；P_SW开关损耗=输入电压×电流×上升（导通用）时间×开关频率；P_GD栅极驱动损耗=输入电压×栅极电荷量×开关频率；静态损耗=输入电压×静态电流（手册值）

芯片外部的损耗：TPS54560为非同步DC-DC buck芯片，有电感损耗和续流二极管损耗（同步DCDC没有）
电感损耗计算：电感线圈损耗分为直流损耗和交流损耗，直流损耗受电感线圈的直流DCR决定，交流损耗是有电感的磁损和铜损决定，一般交流损耗相对支流损耗比较小，可以进行忽略。
流经电感的电流是变化的，一般需要计算或者测量I_rms电流用于计算电感的热损耗，实际I_rms与输出电流I_out基本相等（结果为均方根平均电流）

电感直流损耗=I_rms（I_out）×R_L，R_L为DCR直流阻抗，不用乘上占空比
续流二极管损耗计算：二极管的导通损耗近似于它的总损耗（导通损耗+截止损耗+开通损耗+关断损耗），续流二极管一般为肖特基二极管，得到二极管两端压降和二极管电流即可计算导通损耗。
续流二极管参数：V_F前向电压（压降Forward Voltage）、I_F前向电流（Forward Current）。二极管导通的时候电流越大，压降越大。

Notes：半对数坐标图一格距离不一样，但是尺度一样代表1
由图可见前向电流I_F=5A，环境温度T_A=25°C时，前向压降V_F约等于0.55V，上管关闭的时候肖特基续流，导通时间比例为1-D。

DCDC总损耗P_D≈芯片损耗＋电感损耗＋二极管损耗（非同步）

损耗和温升成正比例
找芯片的热阻φ_JA 结温/内核温度Junction Ambient，φ_JC外壳温度Junction Case
通过环境温度Ta估算结温（不准确）：Tj=Ta+P_D×φ_JA
（一般使用热电偶）通过测量器件外壳温度Tc计算结温（准确）：Tj=Tc+P_D×φ_JC
计算温升裕量（比环境温度高多少度的时候仍能正常工作）：温升裕量=工作温度范围最大值-计算出来的结温

实际温升会与估算有区别，在PCB设计的时候可以通过调整布局、铺铜、过孔、导热垫、散热片、主动散热（风扇、半导体冷却）等方式增强散热；建议大多数电源留足温升余量，小部分电源作被动、主动散热特殊处理。

工作模式（FCCM（PWM）/PSM/PFM）

PWM模式优点：满载效率高，控制简单-成本低，动态响应快，纹波小，工作频率固定-EMI（RE）频段固定在开关频率奇数倍频，好排查问题
PWM模式缺点：功耗高，轻载时芯片和电感中仍有电流，效率低

轻载高效模式优点：空载/轻载时效率高
轻载高效模式缺点：控制复杂-芯片成本高，响应慢，纹波大，等效工作频率和负载挂钩且会变化，可能引发啸叫和一些EMI问题（且不好排查）

PSM（Skip-Mode）/PFM模式低功耗时效率高，但是可能啸叫、有EMI问题，成本高
FCCM（强制连续模式）成本低，电路可靠性高，调试简单
建议除电池供电便携设备、功率非常敏感的应用，其他设计尽可能选择FCCM，或者选用通用的在轻载情况下启用轻载高效模式，在重载下启用强制连续模式的芯片。

开关频率f_SW、占空比D

开关频率高：EMI辐射高，响应快，感值小，电感体积小
开关频率低：感值大，电感体积大，纹波大

Notes：fsw为开关频率，ΔIL为电感变化电流（纹波电流）
频率与感值成反比，电感感值与体积成正比。
一般高输入电压的一级电源的开关频率为500kHz左右，二级电源开关频率为1~2.2Mhz，可以选择小感值小体积电感减小PCB占用面积。

电感选型

根据频率计算感值，其他参数有DCR，饱和电流SAT，温升电流RMS。

Vin为输入电压，Vout为输出电压，fsw为开关频率，ΔIL为电感变化电流（纹波电流）一般为10%~30%的输出电流值Iout。
ΔIL太大，可能损耗开关电源内部的MOS管（上下管开关）或超过电感的SAT参数，EMI也会加剧，纹波电压变高；ΔIL太小，开关电源响应慢。

理解公式：ΔIL越小，L越大（如果需要较小的电流变化量和纹波，则需要大容量电感）——体现抑制电流突变的特性

p.s. ΔIL纹波电流与输出纹波电压成正比例关系

fSW越小，L越大。开关电源输出功率固定的情况下，fSW频率越低，则每次变换产生的能量越大，电感需要储存的能量也越大，电感储能与感值成正比——体现储能功能

电感与纹波电压的关系

Notes：VRIPPLE（ESR）为输出滤波电容的等效串联电阻效应，VRIPPLE（C）为电容的充放电效应
具体应用为：降低纹波电压1、选用大感值的电感。2、选用低ESR的MLCC和高ESR的铝电解电容并联使用

Notes：纹波电压主要是由充放电纹波决定的

电感选型参数：
1、上面计算的感值（选择最接近数值的电感）
2、DCR直流阻抗-电感内部导线产生热效应影响损耗和总体电源拓扑效率
3、SAT饱和电流-当电感的电流值超过一定值的时候，电感的感值就会下降，把电感感值下降20~30%的时候叫SAT饱和电流
电源最大的电流峰值要小于SAT电流，且要留有一定空间的余量

Notes：当瞬时电流超过Isat的时候，电感值下降，由于右边所示的伏秒平衡原理，Usw不变，则电流变化率上升，电流斜率更陡峭，产生电流冒尖的现象，这时候瞬时电流会更大有可能损坏芯片和电感

4、RMS温升电流-由于电感的热效应，当电感流过一定的电流值的时候产生某个温升时的这个电流值为RMS，电感温升电流要大于设计电源的输出电流并留有一点余量。
总体关系：电感值越大，通常DCR、SAT、RMS指标越差，需要找到平衡。

续流二极管选型（非同步）

1.反向电压额定值必须大于VIN(max)并留有裕量
2.峰值电流额定值必须大于最大电感电流
3.低正向电压（压降）
4.合适的额定功率和导热系数

确定滤波电容，输出容值估算

电容功能主要体现在储能和滤波
大多数应用的输入输出滤波电容，按照1A电流对应10_{20μF即可，且注意输入输出滤波电容相对于输入输出电压的耐压；对于负载电流变化比较大的应用，可以适当增加容值：一般用10}22μF×n MLCC（1206等大封装）+100nF 1~2个MLCC（0603 0402等小封装）并联组合而成。
此处输入输出容值要是有要求得考虑清楚II类MLCC电容直流偏置效应（封装越小，直流偏置效应越明显，容值越小）。
如果无法查询所用电容的直流偏压特性曲线时，为了满足设计要求我们要尽量增大封装。
同样额定容量的条件下，封装越小耐压越小，相对的直流偏压特性越强，即实际容量随所施加实际电压而下降的斜率越大。
一般获得良好的直流偏压特性，以10μF，X7R为例，额定耐压和推荐封装如下（英制）：
6.3V–0805 1206
10V–1206 1210
16V–1210
25V–1210、2220
50V–2220
10nF及以下容值的mlcc由于实际使用时会留两倍以上的电压裕度，所以其直流偏压特性可以忽略不计，可以选择任意封装。

确定FB反馈分压和Cff前馈电容

反馈分压网络通常由上电阻和下电阻组成

通常使下电阻为10kΩ，通过输出电压和FB电压的关系Rfb1=Rfb2×（Vout/Vfb-1）确定上电阻阻值
有些手册会有特殊公式规则计算，则遵从手册
FB电阻一定要用1%精度或者更高的

上图C1为前馈电容Cff，功能为提高电源的响应速度，提高动态性能，降低电源的过冲变化（负载变化的时候电源输出电压会有过冲），理论上来说Cff改变了系统的零极点，减少了相位裕量（自动控制原理二阶系统分析）
一般取值10~100pf，建议往小去取，Cff值过大可能导致SW不稳定，出现大小周期问题。
Notes：电源的突变输出波形（有无Cff波形）

确定EN使能耐压和阈值

EN耐压有些芯片和Vin相同，有的不同，不同的中间要进行电平转换（电阻分压），分压网络还可以预留一个对地电容位置以便调整上电时序。另外一个好处是由于有EN的上阈值存在，所以输入电压要超过某个值的时候才可以使系统启动。也就相当于设定上电电压，防止欠压启动。
确认EN的高低电平阈值。

PCB布局规则

主要根据Datasheet里面的guideline和PCBlayout示例，注意输入电流回路、输出电流回路面积最少，尽可能减少SW面积，GND铺铜散热等。

Notes：辐射强度公式
特别注意：FB的引线在输出滤波电容旁边、SW引脚面积要小（SW高频振荡容易产生干扰）

一些小问题

DCDC啸叫问题：
听觉范围：20Hz~20KHz
1、电源芯片支持轻载高效模式，PSM或PFM，开关频率可能落在听觉范围引起啸叫。
2、负载为周期性负载，负载变化频率在听觉范围内。