常用元器件知识点全汇总电阻电容电感二极管三极管光耦 MOS管 LDO等等

最新推荐文章于 2025-05-13 09:14:53 发布

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分类专栏：【嵌入式硬件知识汇总】文章标签：单片机嵌入式硬件 mcu 硬件工程驱动开发硬件架构 pcb工艺

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在电子电路设计和嵌入式系统开发中，以下是一些常用的元器件，它们分别在不同的应用场景中起到重要的作用。掌握这些元器件的基础知识对于电路设计和故障排除至关重要。

1.电阻

电阻是限制电流流动的被动电子元器件。它通过阻碍电流的流动来消耗电能。电阻的单位是欧姆（Ω），表示电流通过电阻时，单位电压下电流的大小。根据欧姆定律，电阻是电压与电流的比值。

电阻的原理基于材料中自由电子的运动。当电压施加到电阻两端时，电流通过电阻时，电子会与材料中的原子发生碰撞，产生能量损失（以热的形式表现）。因此，电阻不仅限制电流，还将一部分电能转换成热能。

电阻对电流有阻碍作用，电流流过电阻时会发热，同时电阻上会有电压
电阻的单位： Ω（欧姆）、常用的还有 MΩ（兆欧）、kΩ（千欧）、mΩ（毫欧）、1 MΩ = 1000 kΩ、1 kΩ = 1000 Ω、1 Ω = 1000 mΩ。

电阻上的电压电流关系符合欧姆定律：

发热功率：P= I^2 * R

注意：电阻的参数除了本身的电阻以外，还有功率和耐压：不同体积的电阻最大可以承受的耐压和功率是不同的，体积越大，功率和耐压越高，如果电阻所承受的电压超过自身最大耐压，电阻可能会击穿，如果电阻上面的功率超过了自身所能承受的最大功率，电阻可能会烧毁冒烟，其次就是每个元器件都有自身固有的相关属性，这些都是需要注意的，也有很多相关属性都是通过经验或者是你看过哪本书上面写着有的，最后就是相关常用的参数我也有在每个元器件介绍有写。

直插电阻（色环电阻）：

贴片电阻：贴片元件又叫 SMD（表面贴装期间），SMD封装分为公制和英制，我们一般用到的是英制。

英制：0201，0402，0603，0805，1206，2512

贴片电阻阻值命名规则：
103为例：
10*10^3 Ω = 10kΩ
102 = 1 KΩ
101 = 100Ω
100 = 10Ω
473 = 47 KΩ
474 = 470KΩ

有时又这样命名： 6R7 在需要表达小数点时，比如 6.7Ω时，将小数点用末尾的单位Ω代替，这样在生产电阻时打印标号会很方便因为如果小数点被磨损掉，会造成读数错误！

热敏电阻（也叫NTC）：

特性：温度升高，电阻减小具体电阻与温度的关系需要查表购买时商品页面会有这样一张表：

水泥电阻、铝壳电阻 – 大功率场合用，做电源实验时充当负载：

2.电容

电容是用于储存电荷的被动电子元器件，它能够在电场中储存能量，并在电路中起到储能、滤波、耦合、去耦等多种作用。电容器由两个导体板和绝缘介质（电介质）构成。电容的单位是法拉（F）。

电容器的工作原理基于电场的储能特性。电容器通过两个导体板之间的电场来储存电荷。当施加电压时，电容器的一个极板储存负电荷，另一个极板储存正电荷，形成电场。电容的储能能力与电容器的面积、介质的特性以及极板之间的距离有关。电容器的电荷存储量与施加电压成正比，且电容越大，储存的电荷越多。

1F = 1000mF 1mF = 1000uF 1uF = 1000nF 1nF = 1000pF等等

我们最常听到的就是滤波作用了，其次还有如下的作用。

储能作用：闭合开关，电容充电，然后断开开关，电容上的电压仍然为5V

隔直通交：直流电流无法通过电容，电阻电压为0

交流电流可以通过电容电阻电压有效值为24V

贴片电容（MLCC）：

与电阻相同英制：0201，0402，0603，0805，1206，2512

直插独石电容：

贴片电容MLCC 和直插瓷片电容容量命名规则：
104为例：10*10^4 = 100nF 104 = 0.1uF
474: 47*10^4pF = 470nF

直插电解电容：

封装命名规则：脚距*直径*高度淘宝的命名规则：直径*高度

3.电感

电感是一种能储存磁能的被动电子元器件，通常由导线绕制成线圈或螺旋形状。当电流通过导体时，会在其周围形成磁场，这种磁场能储存能量。电感的单位是亨利（H），它表示电流变化率与磁通量变化率之间的比例关系。

电感的工作原理基于法拉第电磁感应定律。当电流通过电感元件时，它会产生一个与电流变化方向相反的磁场。根据自感现象，电流的变化会引起电感器中的磁场变化，进而通过电感器内部的线圈感应出一个与电流变化相反的电压，反抗电流的变化。

电感元件的反应特性使得它对电流的变化产生惯性——也就是阻碍电流的变化。当电流增大时，电感会产生一个反向电动势，减少电流的增长；当电流减小时，电感会产生一个反向电动势，阻碍电流的衰减。

电感的实质是好多圈导线绕在一个可以导磁的磁环上，具体可以参考高中的楞次定律那里

电感的单位：亨（L）
1H = 1000mH
1mH = 1000uH
1uH = 1000nH
与电容的常用单位uF一样，电感的常用单位是uH

电感的性质：电流惯性，这个词教科书上并没有，这里只是为了方便解释；电流惯性就是指电流流过电感时仿佛有惯性一样，电感电流不能突变（同理，电容上的电压不能突变，有电压惯性）与电容类似，电感的作用也有储能和滤波。

阶段一：闭合开关，电感充能，稳态电流为5mA

阶段二：断开开关，电感放能，断开瞬间电流仍然为5mA

贴片：一体成型电感 > 屏蔽电感 > CD系列电感、0603系列（做电源推荐用一体成型电感）
直插：工字电感、绕线电感。

4. 二极管

二极管是一种具有两个电极的半导体器件，能够允许电流仅在一个方向流动，并对反向电流提供阻抗。二极管的基本特性是“单向导电”，即在正向电压下导电，在反向电压下截止。二极管通常由两种类型的半导体材料（P型和N型）组成，这些材料通过交界面形成PN结。

正向导电： 当二极管的阳极连接到正电压，阴极连接到负电压时，电流可以通过PN结流动，二极管导电。

反向截止： 当阳极连接到负电压，阴极连接到正电压时，PN结的反向电流非常小（理想情况下为零）。二极管处于截止状态，电流无法通过。

二极管性质：单向导电性
二极管参数：最大电流、正向压降、反向耐压

肖特基二极管与快恢复二极管：

在二极管正向导通后，突然加反向电流，理想情况下，二极管应该立刻变为截止状态但是实际上二极管并不会立即变为截止状态，而是有一个反向电流，然后这个反向电流经过很小的一段时间后慢慢减小到0，达到截至状态。

稳压二极管：
但是这个反向电压也不能无止境的增加，反向电压大到一定程度的时候，二极管就反向击穿了，此时二极管也是永久的损坏，但是稳压二极管-齐纳二极管不会，你给他施加一个超过一定值的反向电压时，他也会被击穿，但是并不会被损坏，而是表现一种神奇的特性，例如一颗反向击穿电压为6V的齐纳二极管，当他反向击穿后，不管流过的电流是多少，他两端的电压都会维持在6V不变，那如果我们把它放在电路中，如下所示：

5.三极管

三极管是一种具有三个电极的半导体器件，通常用于放大电流和控制信号。三极管的三个电极分别为：基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。三极管可以通过基极电流的微小变化来控制集电极和发射极之间的大电流，因此广泛用于放大和开关应用。

三极管分为两种主要类型：

NPN型三极管（NPN Transistor）

PNP型三极管（PNP Transistor）

三极管的工作原理基于半导体的PN结。通过控制基极电流，可以调节集电极和发射极之间的电流。具体工作方式如下：

NPN三极管： 当基极（B）电压比发射极（E）电压高时，PNP结被正向偏置，电流可以从集电极（C）流向发射极（E），基极电流控制着集电极电流的大小。

PNP三极管： 与NPN相反，PNP三极管的工作原理是基极电压比发射极低，电流可以从发射极流向集电极。

三极管常用于放大器、开关和信号调节等电路中，具体工作模式包括放大模式（用于信号放大）和开关模式（用于切换电流）。

NPN型三极管的基本原理、工作条件：

工作条件：必须Ub > Ue、Uc > Ue
性质：
1、Ue = Ub – 0.7V
2、Ic = β * Ib （ β是放大倍数，几十到几百）
3、Ie = Ib + Ic
4、Ubc为常值：硅管为 0.7V，锗管为 0.3V
工作状态：截至、放大、饱和
PNP型三极管的基本原理、工作条件（NPN型）：

工作条件：必须Ue > Ub、Ue > Uc
性质：
1、Ub = Ue – 0.7V
2、Ic = β * Ib （ β是放大倍数，几十到几百）
3、Ie = Ib + Ic
4、Ubc为常值：硅管为 0.7V，锗管为 0.3V PNP与NPN的性质相似，而实际电路中常用的是NPN

关于三极管三种工作状态的说明：

1、截至状态：

2、放大状态：

3、饱和状态：

根据这三种状态，我们日常使用三极管通常有俩种方式：
1、放大状态：让三极管保持在放大状态，用来搭建分立元件放大电路。
2、开关状态：让三极管在截至状态和饱和状态之间切换，这时相当于一个开关，用来当作电子开关

6.光耦

光耦（又称光隔离器或光耦合器，Optocoupler）是一种将电气信号通过光信号进行传输的电子器件。它的主要功能是隔离输入和输出部分的电气信号，同时通过光的方式传递信息，从而避免高电压部分的信号干扰或对低电压电路的影响。

光耦通常由一个发光二极管（LED）和一个光敏元件（如光电二极管、光敏晶体管等）组成。LED在输入端接收电信号并发光，而光敏元件在输出端接收光信号并将其转换为电信号。

光耦的基本工作原理是通过光电效应来实现信号传输。它通常包含两个主要部分：

发光二极管（LED）： 该部分接收输入信号，并将电信号转换为光信号。当LED接收到输入电流时，它会发出红外光。

光敏元件： 该部分位于LED的对面，通过光电效应将LED发出的光转换为电流或电压信号，输出到电路中。光敏元件的类型可以是光电二极管、光电晶体管、光敏晶体管等。

当输入信号驱动LED时，LED发出的光会照射到光敏元件上，光敏元件通过光电效应产生输出信号。由于输入和输出端之间是通过光传输的，所以光耦提供了电气隔离，从而避免了高电压部分对低电压电路的影响。

后续会有文章详细说明该元器件。

7.MOS管

MOS管，全称金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种利用电场控制电流的三端半导体器件。MOS管常用于开关、放大器和电源管理等应用中，具有较高的输入阻抗和较低的功率消耗。根据其工作原理，MOSFET通过改变栅极（Gate）电压来控制源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流。

MOSFET的类型：

MOSFET有两种主要类型：

N型MOSFET（NMOS）：

源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流从源极流向漏极，且只有在栅极电压大于源极电压时，才会形成导电通道。

在栅极电压为正时，N型MOSFET导通。

P型MOSFET（PMOS）：

源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流从漏极流向源极，且只有在栅极电压小于源极电压时，才会形成导电通道。

在栅极电压为负时，P型MOSFET导通。

这些MOSFET的组合（N通道和P通道）可以用来实现更复杂的开关和放大功能，如在CMOS电路中，N型和P型MOSFET常常配对使用。

MOSFET的工作原理：

MOSFET的工作原理是基于场效应的控制，栅极电压调节半导体材料的导电性，从而控制源极和漏极之间的电流。

栅极（Gate）： 控制信号输入端，通过电场控制导电通道的开启与关闭。
源极（Source）： 电流的输入端，电流从源极流向漏极。
漏极（Drain）： 电流的输出端，电流从漏极流向源极。

在N型MOSFET中，栅极电压必须高于源极电压，才能使源极和漏极之间形成导电通道，允许电流通过。在P型MOSFET中，栅极电压必须低于源极电压才能形成导电通道。

MOS的等效电路及驱动方法：（分立元件）

使用集成芯片驱动MOS管：低端驱动芯片：TC4420、TC4421、TC4422

8.自恢复保险丝

自恢复保险丝（也称为聚合物保险丝或Polyfuse）是一种具有过电流保护功能的电子元件，广泛用于电路保护。与传统的保险丝不同，自恢复保险丝在过载事件发生时会暂时断开电路，但一旦电流恢复正常或过载移除后，它能够自动恢复到导通状态，而不需要手动更换。

这种保险丝是由一种特殊的聚合物材料制成的，聚合物在过载时会因为温度升高而变形，导致电路中断。当温度恢复到安全范围时，聚合物的电阻恢复到低阻态，电路再次导通。

正常工作状态：
- 在正常电流情况下，自恢复保险丝的电阻非常低，几乎不产生任何功率损耗。
过载保护：
- 当电路中流过的电流超过自恢复保险丝的额定电流时，电流会产生热量，导致保险丝内部的聚合物材料温度升高。
- 聚合物的热膨胀导致其内部电路的电阻增大，从而限制电流流动，达到保护电路的目的。
自恢复过程：
- 一旦过载电流停止或恢复正常电流，聚合物材料的温度降低，电阻恢复到低阻状态，电路重新导通，保险丝自我恢复。
- 这种特性使得自恢复保险丝在不需要更换的情况下，能够多次保护电路，避免了传统保险丝的不可重用性。