做直流电机的试验后,发现io口内阻的问题,就想了一下上拉电阻和下拉电阻的原理是不是类似呢,但是看了很多资料,各有各的解释。
这个是最通俗易懂得了
这是两个实验测得的电压,可以发现上拉电阻可以提高电路的驱动能力。
不串联电阻直接测电压是5v,串联后变为3.8v,这是因为单片机的内木结构是两个MOS管
当单片机输出高电平时上面的mos导通,但是存在内阻,可以算出内阻值
加上拉电阻相当于给内阻并联一个电阻,阻值变小,所以下面的电阻分压变多了。
但是为什么上拉电阻可以将不确定的信号固定在高电平呢
单片机的io内部结构是两个mos管。输出高电平时,上面导通,下面截止。输出低电平时,上面截止,下面导通。
开漏输出,上面的mos管永远断开,如果想输出高电平下面的mos也断开,但是两个断开的mos相当于两个无穷大的电阻。但是上面无穷大的电阻并联一个10k,阻值也只有10k,所以电压都被下面分走了。所以测得电压是5v。及使要输出低电平,下面导通相当于VCC连接上拉电阻,直接接地。电阻10K,通过的电流很小,可以忽略不计。