CW32L052 FLASH存储器

CW32L052 FLASH存储器

概述

CW32L052内部集成了64KB嵌入式FLASH供用户使用，可用来存储应用程序和用户数据。

芯片支持对 FLASH 存储器的读、擦除和写操作，支持擦写保护和读保护。

芯片内置 FLASH 编程所需的高压 BOOST 电路，无须额外提供编程电压。

FLASH存储器组织

• 总容量64KB，分页管理
• 每页 512 字节
• 共 128 页

FLASH存储器保护

FLASH 存储器具有擦写保护和读保护功能。

• 擦写保护

  包括锁定页擦写保护和PC 地址页擦写保护，处于保护状态的页面不能被擦写，可避免 FLASH 内容被意外改写。

• 读保护

  以整片 FLASH 为保护对象，不支持单页保护，可避免用户代码被非法读取。

FLASH存储器操作

FLASH 存储器操作包括：读操作、擦除、写（编程）操作。

页擦除

FLASH 的页擦除操作的最小单位为 1 页，即 512 字节。页擦除操作完成后，该页所有地址空间的数据内容均为 0xFF。

如果对未解锁的 FLASH 页面进行页擦除操作，或者对正在运行的程序¹进行擦除操作，会操作失败，产生错误中断标志。

CW32L052 内部 FLASH 存储器被划分为 128 页，每 8 页对应擦写锁定寄存器的1 个锁定位。擦写锁定寄存器的各位域与 FLASH 锁定页面的对应关系如下表所示：

写操作

基于嵌入式 FLASH 的特性，写操作只能将 FLASH 存储器中位数据由‘1’改写为‘0’，不能由‘0’改写为‘1’， 因此在写数据之前先要对对应地址所在页进行擦除操作。

基于以上陈述，总结出以下三个原则：

• 不可对数据位内容为‘0’的地址写入
• 不可对锁定区域内的地址写入
• 不可对 PC（程序指针）所在的页的地址写入

读操作

CW32L052 对 FLASH 的读操作支持 3 种不同位宽，可采用直接访问绝对地址方式读取，读取的数据位宽必 须和对应地址边界对齐。

核心代码

//单片机头文件
#include "main.h"
//硬件驱动
#include "gpio.h"
#include "delay.h"

//子程序
void LCD_Configuration(void);							//段式LCD配置函数
void LCD_Display(uint16_t dispdata);					//段式LCD显示函数
uint8_t FLASH_Erase(void); 								//FLASH页擦除函数
uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount); //FLASH写操作函数

int main(void)
{
	int i;
	int temp8;
	uint8_t cnt=0;
	uint8_t WriteBuf[256];
	
    LED_Init();				//初始化程序运行情况指示灯
	LCD_Configuration();    //配置LCD液晶显示屏
	
	FLASH_Erase();          //页擦除操作
	for(i=0;i<256;i++)      //验证是否擦除成功
	{
		temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
		if(temp8!=0xff)
		{
			while(1)
			{
				LED2_ON();       //LED2闪烁
				Delay_ms(300);
				LED2_OFF();
				Delay_ms(300);
			}
		}
	}
	
	for(i=0;i<256;i++)      //准备写入FLASH存储器的数据
	{
		WriteBuf[i]=i;
	}
	FLASH_Write(WriteBuf,256); //写操作
	for(i=0;i<255;i++)           //验证是否写入正确
	{
		temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
		if(temp8!=i)
		{
			while(1)
			{
				LED1_ON();     //LED1、LED2同时闪烁指示写入失败
				LED2_ON();
				Delay_ms(300);
				LED1_OFF();
				LED2_OFF();
				Delay_ms(300);
			}
		}
	}
	
	LED1_ON();       //指示擦除、读、写均成功
	LED2_ON();
    while(1)
    {
		LCD_Display(*((volatile uint8_t*)(512*127+cnt)));  //LCD上依次显示写入的数据
		Delay_ms(500);
		cnt++;
    }
}

uint8_t FLASH_Erase(void)    //页擦除
{
	int flag=1;
	
	FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
	flag=FLASH_ErasePages(512*127,512*127);
	FLASH_LockAllPages();
	if(flag!=0)
	{
		while(1)
		{
			LED1_ON();
			Delay_ms(300);
			LED1_OFF();
			Delay_ms(300);
		}
	}
	
	return 0;
}

uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount)  //写操作
{
	int flag=1;
	
	FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
	flag=FLASH_WriteBytes(512*127,ByteData,amount);
	FLASH_LockAllPages();
	if(flag!=0)
	{
		while(1)
		{
			LED2_ON();
			Delay_ms(300);
			LED2_OFF();
			Delay_ms(300);
		}
	}
	
	return 0;
}

void LCD_Configuration(void)      //段式LCD配置
{
    __RCC_LCD_CLK_ENABLE();
	RCC_LSI_Enable();
	
    LCD_InitTypeDef LCD_InitStruct = {0};

    LCD_InitStruct.LCD_Bias = LCD_Bias_1_3;
    LCD_InitStruct.LCD_ClockSource = LCD_CLOCK_SOURCE_LSI;
    LCD_InitStruct.LCD_Duty = LCD_Duty_1_4;
    LCD_InitStruct.LCD_ScanFreq = LCD_SCAN_FREQ_256HZ;
    LCD_InitStruct.LCD_VoltageSource = LCD_VoltageSource_Internal;

    LCD_Init(&LCD_InitStruct); 
	LCD_COMConfig(LCD_COM0 | LCD_COM1 | LCD_COM2 | LCD_COM3, ENABLE);
    LCD_SEG0to23Config(LCD_SEG0|LCD_SEG1|LCD_SEG2|LCD_SEG3|LCD_SEG4|LCD_SEG5|LCD_SEG6|LCD_SEG7, ENABLE);
   
	LCD_Cmd(ENABLE);
}

void LCD_Display(uint16_t dispdata)   //LCD显示
{
	uint16_t DisBuf[10]={NUM0,NUM1,NUM2,NUM3,NUM4,NUM5,NUM6,NUM7,NUM8,NUM9};
	
	LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0x00000000);
	LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0x00000000);
	
	if(dispdata<10)
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata]);
	else if(dispdata<100)
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/10]|DisBuf[dispdata%10]<<16);
	else if(dispdata<1000)
	{
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/100]|DisBuf[dispdata/10%10]<<16);
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,DisBuf[dispdata%10]);
	}
	else
	{
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0xffffffff);
		LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0xffffffff);
	}
	
}

动态演示

完整视频

所有完整视频均由CW32生态社区发布，敬请关注。

补充

FLASH存储器和EEPROM存储器对比

一般性的总结：

类型	读写速度	擦写次数	擦写单位
FLASH	较快	数千次	整页
EEPROM	较慢	百万次	字节

使用场景侧重：

• EEPROM：频繁的擦写操作，如存储计数器、传感器数据等

• FLASH：大容量、高速读写，如存储程序代码和固件等

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1. 当用户程序运行 FLASH 时，如果当前程序指针 PC 正好位于待擦写的 FLASH 地址页范围内，则该擦写操作失败 ↩︎