实验四 存储器和总线实验
一、实验目的
熟悉存储器和总线的硬件电路
二、实验内容
1、存储器的写操作
2、读存储器的数据到总线上
三、实验步骤和结果
实验一:存储器的写操作
● 把内部地址总线AJ1(8芯盒形插座)与右板上的二进制开关单元中J03插座相连(对应二进制开关H0~H7),把内部数据总线DJ8与右板上的J02插座相连(对应二进制开关H8~H15)。
● 把EMCK连到脉冲单元的PLS1,WC、RC、BUS接入二进制的开关中。(请按下表接线)。
信号定义 | 接入开关位号 |
EMCK | PLS1 孔 |
WM | H22 孔 |
RM | H21 孔 |
BUS | H21 孔 |
接线图示:
● 按启停单元中的运行按钮,置实验平台为运行状态。
● 二进制开关H0~H7作为地址(A0~A7)输入,置55H(对应开关如下表)。
H7 | H6 | H5 | H4 | H3 | H2 | H1 | H0 | 数据总线值 |
A7 | A6 | A5 | A4 | A3 | A2 | A1 | A0 | 8位数据 |
0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 55H |
● 二进制开关H8~H15作为数据(D0~D7)输入,置66H(对应开关如下表)。
H15 | H14 | H13 | H12 | H11 | H10 | H9 | H8 | 数据总线值 |
D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 | 8位数据 |
0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 66H |
置各控制信号如下:
H22 | H21 |
WM | RM、BUS |
0 | 1 |
● 按脉冲单元中的PLS1脉冲按键,在EMCK上产生一个上升沿,数据从内部数据总线流向外部数据总线,将数据66H写入地址为55H的存储单元。

实验二:读存储器的数据到总线上
● 在做好实验1的基础上,保持电源开启和线路连接不变,只拔掉内部数据总线DJ8与CPT-B板上的J02插座 (对应二进制开关H8~H15) 的连接。
● 按启停单元中的运行按钮,置实验平台为运行状态。
● 二进制开关H0~H7作为地址(A0~A7)输入,置55H(对应开关如下表)
H7 | H6 | H5 | H4 | H3 | H2 | H1 | H0 | 数据总线值 |
A7 | A6 | A5 | A4 | A3 | A2 | A1 | A0 | 8位数据 |
0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 55H |
置各控制信号如下:
H22 | H21 |
WM | RM、BUS |
1 | 0 |

● 按脉冲单元中的PLS1脉冲按键,在EMCK上产生一个上升沿,数据从外部数据总线流向内部数据总线,将存储器55H单元中的内容输出,应该为实验1中的写入的数据66H。此时数据总线上的指示灯IDB0~IDB7显示结果66H。
实验结果图片如下:
四、实验总结
● 实验原理
本实验的主要目的是研究存储器和总线的工作原理,包括如何通过控制信号实现数据的写入和读取。存储器由地址总线和数据总线构成,通过控制信号(写入信号WM和读取信号RM)来控制数据在存储器和总线之间的流动。在写操作中,数据从内部数据总线写入指定地址的存储器单元;在读操作中,通过地址总线读取指定地址的数据并将其传输至外部数据总线。
● 实验结果分析
1. 存储器的写操作:在实验一中,通过设定地址为55H,将数据66H写入该地址的存储器单元。在设置控制信号WM为0(写操作使能)和RM为1(读操作禁止)之后,按下PLS1脉冲按钮,成功将66H写入55H地址。实验结果确认了写入操作的成功,外部数据总线上未显示错误数据。
2.读存储器的数据:在实验二中,保持同样的设置,利用地址总线再次选择55H,同时将WM置为1(禁止写入),RM置为0(使能读取),以此允许将存储器中的数据读出。按下PLS1脉冲按钮后,存储器55H地址成功输出数据66H至数据总线,指示灯IDB0~IDB7正确显示66H,验证了读操作的功能。
● 个人感悟
通过本次实验,我深化了对存储器工作机制以及数据总线运作原理的理解。实际操作让我体会到理论与实践的结合,尤其是控制信号在数据传输中的关键作用。通过直观的实验过程,我认识到细致的接线和正确的设置对实验成功的重要性。这次实践激发了我对计算机硬件设计的兴趣,并期待在未来的学习中继续探索更复杂的电路及其应用。